0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aet
文檔大?。?span>324 K
標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機(jī)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。
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