DRAM價(jià)Q1看跌5% 沖擊廠商

進(jìn)入淡季后，第1季DRAM價(jià)格將持續(xù)下跌，業(yè)者預(yù)期，單季跌幅可能超過(guò)5%，比第4季的跌價(jià)幅度稍大。這對(duì)于華亞科、南亞科等廠商的業(yè)績(jī)，可能造成部分影響。業(yè)者強(qiáng)調(diào)，整體而言，今年的DRAM市況雖然可能不如去年，但還算樂(lè)觀。

發(fā)表于：1/15/2015

Atmel牽手FPC建立生物測(cè)量指紋和觸屏解決方案

近日消息，全球微控制器和觸控技術(shù)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者Atmel®公司(NASDAQ：ATML)與全球領(lǐng)先的指紋身份驗(yàn)證解決方案提供商Fingerprint Cards公司(FPC)近日宣布，兩家公司將攜手推出適用于智能設(shè)備的世界一流的電容觸摸屏和指紋觸摸區(qū)傳感器技術(shù)。

發(fā)表于：1/15/2015

量子光學(xué)硬盤突破性進(jìn)展 存儲(chǔ)時(shí)間提高100倍

據(jù)科學(xué)日?qǐng)?bào)報(bào)道，近日科學(xué)家們研發(fā)了一款量子硬盤原型，后者的存儲(chǔ)時(shí)間可以提高100倍。科研小組記錄的6小時(shí)存儲(chǔ)時(shí)間是朝基于量子信息的安全的全球數(shù)據(jù)加密網(wǎng)絡(luò)邁出的重大一步，這一網(wǎng)絡(luò)可以用于銀行交易以及個(gè)人郵件。

發(fā)表于：1/13/2015

微型超級(jí)電容技術(shù)獲突破 智能服飾或受益

5月11日《自然》雜志刊登出版清華大學(xué)與美國(guó)和新加坡科學(xué)家發(fā)明了一種微型超級(jí)電容，由于質(zhì)地屬于易彎曲，可用于智能服飾和可穿戴移動(dòng)診療設(shè)備中。

發(fā)表于：1/5/2015

智能皮膚給假肢患者帶來(lái)觸覺體驗(yàn)

科學(xué)家們發(fā)明了一種仿真的假肢皮膚，如同真正的皮膚那般溫?zé)嵊袕椥?。其?nèi)鑲嵌了微型傳感器用于收集諸如溫度，氣壓和濕度等環(huán)境信號(hào)。盡管言之尚早，理想的情況是仿真假肢皮膚在未來(lái)經(jīng)過(guò)發(fā)展，可以將感官信息傳送給截肢者的大腦從而讓他們能夠體驗(yàn)到假肢的感受。

發(fā)表于：1/4/2015

蘋果升級(jí) DRAM缺口擴(kuò)大

蘋果決定明年將新款iPhone與iPad的DRAM容量提升一倍，存儲(chǔ)器業(yè)者估算，將讓全球DRAM明年供給缺口，由原預(yù)估的1.5%，擴(kuò)大到3%，以蘋果明年下半年新機(jī)備貨時(shí)間推算，預(yù)料明年第2季DRAM將再掀漲勢(shì)。

發(fā)表于：1/4/2015

DRAM樂(lè)觀 NAND有隱憂

記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩(wěn)定獲利，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂。

發(fā)表于：1/4/2015

南韓加速研發(fā)新興存儲(chǔ)器與材料，穩(wěn)固龍頭地位

南韓為穩(wěn)固全球記憶體龍頭地位，在產(chǎn)業(yè)通商資源部(Ministry of Trade, Industry and Energy;MOTIE)主導(dǎo)下，不僅采取以三星電子(Samsung Electronics)等大企業(yè)為投資要角的產(chǎn)官學(xué)新合作研發(fā)模式，亦將次世代非揮發(fā)性記憶體與新興材料、技術(shù)列為研發(fā)重點(diǎn)。

發(fā)表于：12/28/2014

Vishay推出的新款超薄汽車級(jí)PIN光電二極管，其感應(yīng)面積可達(dá)7.5平方毫米

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布兩顆新的采用5mm x 4mm x 0.9mm頂視表面貼裝封裝的汽車級(jí)高速硅PIN光電二極管---VEMD5010X01和VEMD5110X01，擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VEMD5010X01和VEMD5110X01的感光面積達(dá)7.5mm2，反向光電流為48μA，暗電流為2nA，對(duì)光輻射的靈敏度很高，可用于汽車、工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用。

發(fā)表于：12/19/2014

Altera演示FPGA中業(yè)界性能最好的DDR4存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)速率

Altera公司(Nasdaq: ALTR)今天宣布，在硅片中演示了DDR4存儲(chǔ)器接口，其工作速率是業(yè)界最高的2,666 Mbps。Altera的Arria® 10 FPGA和SoC是目前業(yè)界唯一能夠支持這一速率DDR4存儲(chǔ)器的FPGA，存儲(chǔ)器性能比前一代FPGA提高了43%，比競(jìng)爭(zhēng)20 nm FPGA高出10%。硬件設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以使用最新的Quartus® II軟件v14.1，在Arria 10 FPGA和SoC設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)2,666 Mbps DDR4存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)速率。視頻演示表明，魯棒的存儲(chǔ)器接口能夠工作在2,666 Mbps，并具有一定的余量，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.altera.com.cn/arria10進(jìn)行觀看。

發(fā)表于：12/19/2014

Allegro MicroSystems, LLC公布新型無(wú)刷直流電機(jī)無(wú)傳感器控制器

Allegro MicroSystems, LLC公布一款新型三相無(wú)傳感器無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)控制器，該控制器適用于外置補(bǔ)償P溝道和N溝道功率MOSFET。只需調(diào)節(jié)幾個(gè)簡(jiǎn)單的默認(rèn)參數(shù)，就可以快速為單獨(dú)電機(jī)和負(fù)載自定義可靠的無(wú)傳感器啟動(dòng)和運(yùn)行換相，節(jié)省大量設(shè)計(jì)時(shí)間。 A4963 適用范圍很廣，這是因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)選擇外部MOSFET來(lái)比例放大或縮小輸出電流需求，并且它具有4.2 V至50 V的寬直流電源電壓范圍。這種新型電機(jī)控制器主要面向消費(fèi)者、工業(yè)和白色家電市場(chǎng)，其終端應(yīng)用包括：泵、鼓風(fēng)機(jī)、動(dòng)力和園林工具、吹風(fēng)機(jī)、便攜式混音器和無(wú)人機(jī)。

發(fā)表于：12/18/2014

2015年半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)將成長(zhǎng)15.2%

發(fā)表于：12/16/2014

12V 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系列可消除電機(jī)調(diào)諧

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出最新 12V 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系列，進(jìn)一步壯大其電機(jī)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品陣營(yíng)，該系列不僅可將啟動(dòng)時(shí)間縮短至幾秒鐘，而且還可進(jìn)一步簡(jiǎn)化步進(jìn)電機(jī)及有刷 DC 電機(jī)的調(diào)諧。DRV8846 包含最新自適應(yīng)電流控制專利技術(shù)，可自動(dòng)調(diào)諧電機(jī)性能，實(shí)現(xiàn)精確、流暢且安靜的工作環(huán)境。DRV8848 使用簡(jiǎn)單的脈寬調(diào)制 (PWM) 控制接口與最少的外部組件，從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

發(fā)表于：12/12/2014

大聯(lián)大2014年再度榮獲“最受歡迎授權(quán)分銷商”獎(jiǎng)項(xiàng)

致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先電子元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，在《電子產(chǎn)品世界》雜志所舉辦的“2014年度電子產(chǎn)品世界編輯選擇獎(jiǎng)”評(píng)選中，再度榮獲最受歡迎授權(quán)分銷商，這已經(jīng)是大聯(lián)大連續(xù)第二年獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)。

發(fā)表于：12/12/2014

美高森美推出用于以太網(wǎng)解決方案的創(chuàng)新高可靠性室外雷擊保護(hù)器件

致力于在電源、安全、可靠和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)宣布提供支持以太網(wǎng)電源(PoE)和非以太網(wǎng)電源(non-PoE)企業(yè)設(shè)施的全新高可靠性室外額定性能雷擊保護(hù)器件PD-OUT/SP11。

發(fā)表于：12/10/2014