意法半導(dǎo)體(ST)推出節(jié)省成本的便攜設(shè)備用五大功能記憶卡接口
2007-10-30
作者:意法半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體" title="意法半導(dǎo)體">意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼:STM)今天推出一個高集成度的微型記憶卡" title="記憶卡">記憶卡接口芯片,新產(chǎn)品采用世界領(lǐng)先的IPAD? (有源和無源器件集成)技術(shù),內(nèi)置可插拔SD(安全數(shù)字)記憶卡接口所需的五個基本功能,適用于帶有SD接口的手機(jī)、GPS導(dǎo)航設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)等各種消費(fèi)類和工業(yè)類產(chǎn)品。新的倒裝片封的EMIF06-SD02F3記憶卡收發(fā)器集成了信號調(diào)節(jié)、雙向電平轉(zhuǎn)換、ESD(靜電放電)保護(hù)、EMI (電磁干擾)過濾單元和一個2.9V穩(wěn)壓器。?
在一個單片內(nèi)集成這些電路有助于提高系統(tǒng)的可靠性,同時比分立器件解決方案節(jié)省電路板空間75%以上。EMIF06-SD02F3占用電路板面積不到7平方毫米,具有相同功能的分立器件解決方案需要大約30平方毫米,同時新產(chǎn)品還簡化了目標(biāo)應(yīng)用的產(chǎn)品設(shè)計和電路布局。 ?
該芯片符合標(biāo)準(zhǔn)的和高速SD接口協(xié)議標(biāo)準(zhǔn),以及MiniSD、MMC和uSD/TransFlash標(biāo)準(zhǔn)。新產(chǎn)品的特性包括一個先進(jìn)的ESD保護(hù)電路" title="保護(hù)電路">保護(hù)電路、高效EMI過濾電路和上拉/下拉電阻,其中ESD保護(hù)電路用于保護(hù)外部的裸露的記憶卡插槽,EMI過濾電路用于防止射頻干擾數(shù)據(jù)線路,上拉和下拉電阻用于防止出現(xiàn)懸空的數(shù)據(jù)線路??▊?cè)ESD保護(hù)電路符合嚴(yán)格的IEC61000-4-2 的四級保護(hù)標(biāo)準(zhǔn),即空氣放電15kV。EMI濾波器工作頻率800MHz到3GHz,在1GHz頻率下,衰減性能超過20dB。?
此外,該芯片還提供六個高速雙向電平轉(zhuǎn)換器,它們的工作頻率50MHz,典型傳播延遲3ns,能夠把2.9V的記憶卡連接到1.8V主處理器。1.5ns的通道間最大" title="最大">最大延遲差確保數(shù)據(jù)的一致性,并針對低功耗應(yīng)用優(yōu)化了驅(qū)動器,靜態(tài)斷態(tài)電路取得了1微安的好成績。 ?
記憶卡的電源是由一個2.9V片上低壓降(LDO) CMOS穩(wěn)壓器提供的,輸出電流 200mA,輸入電壓范圍3.1V到5V。當(dāng)200mA負(fù)載時,最大壓降100mV。新產(chǎn)品還提供一個關(guān)斷控制引腳,該引腳的導(dǎo)通時間很短,僅為30μs,這個特性有助于最大限度降低產(chǎn)品的功耗,延長電池使用時間。穩(wěn)壓器包括一個熱關(guān)斷、低壓鎖定和短路保護(hù)功能。 ?
EMIF06-SD02F3采用一個24焊球的微型無鉛封裝,焊球間距400微米,新產(chǎn)品現(xiàn)已投入量產(chǎn)。訂購100萬只,單價1.10美元;訂購100萬到500萬只,單價0.95美元。?
關(guān)于意法半導(dǎo)體(ST)公司
意法半導(dǎo)體,是微電子應(yīng)用領(lǐng)域中開發(fā)供應(yīng)半導(dǎo)體解決方案的世界級主導(dǎo)廠商。硅片與系統(tǒng)技術(shù)的完美結(jié)合,雄厚的制造實力,廣泛的知識產(chǎn)權(quán)組合(IP),以及強(qiáng)大的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,使意法半導(dǎo)體在系統(tǒng)級芯片(SoC)技術(shù)方面居最前沿地位。在今天實現(xiàn)技術(shù)一體化的發(fā)展趨勢中,ST的產(chǎn)品扮演了一個重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所" title="股票交易所">股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。2006年,公司凈收入98.5億美元,凈收益7.82億美元,詳情請訪問ST網(wǎng)站?? www.st.com 或 ST中文網(wǎng)站 www.stmicroelectronics.com.cn