低功耗DDR2 (LPDDR2)正在成為移動(dòng)DRAM領(lǐng)域中的主要技術(shù)，預(yù)計(jì)到今年第二季度將占據(jù)40%的份額，高于第一季度的31%。大部分移動(dòng)DRAM市場(chǎng)仍然由較舊的LPDDR1技術(shù)控制，但時(shí)間不會(huì)太長(zhǎng)了。

    到今年第四季度，情況將會(huì)發(fā)生改變，屆時(shí)LLPDDR2將首次取得優(yōu)勢(shì)，控制58%的市場(chǎng)份額，如下圖所示。

    移動(dòng)DRAM曾經(jīng)是DRAM市場(chǎng)中的一潭死水，但現(xiàn)在三星、海力士半導(dǎo)體、爾必達(dá)和美光等重要廠商正在向這個(gè)領(lǐng)域投入更多的工程與開發(fā)努力。不同于標(biāo)準(zhǔn)DRAM，移動(dòng)DRAM功耗較低、發(fā)熱較少而且占用的空間較小，特別適合智能手機(jī)和其它小型電子產(chǎn)品。這些產(chǎn)品都需要更強(qiáng)的計(jì)算能力和更小的占用空間。移動(dòng)DRAM也用于數(shù)碼相機(jī)、便攜媒體播放器、便攜游戲產(chǎn)品和平板電腦。

    移動(dòng)DRAM面臨的一個(gè)主要挑戰(zhàn)，是其性能能否滿足未來產(chǎn)品的要求。雖然LPDDR2現(xiàn)在對(duì)于手機(jī)和平板電腦來說已足夠，但功耗和寬帶問題仍然令人關(guān)注。

    例如，工作電壓為1.2V的時(shí)候，LPDDR2在每次數(shù)據(jù)傳輸中可以比LPDDR1節(jié)省50%左右的功耗。但是，如果未來設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸量是目前的10倍——很快就會(huì)達(dá)到這樣的水平，則LPDDR2將根本無法滿足要求。

    LPDDR2的傳輸速度是每秒8.5GB，而LPDDR1只有1066MHz，這點(diǎn)也很突出。但LPDDR2這樣的速度可能不足以滿足即將推出的產(chǎn)品。智能手機(jī)廠商的反饋顯示，需要數(shù)據(jù)率高達(dá)每秒12.8GB，這將要求LPDDR2把時(shí)鐘頻率提高到800MHz，而IHS公司認(rèn)為這似乎不太可行。

下一步是什么？

    由于LPDDR2可能達(dá)到性能極限，并很快無力滿足更高的要求，幾種移動(dòng)DRAM技術(shù)正在爭(zhēng)取人們的關(guān)注，試圖取而代之，如下表所示。

    目前處于前列的包括：Rambus公司的移動(dòng)XDR；SPMT聯(lián)盟開發(fā)的串行端口內(nèi)存技術(shù)，準(zhǔn)備充當(dāng)免授權(quán)費(fèi)的內(nèi)存接口。

    其它移動(dòng)DRAM技術(shù)包括Wide I/O，聲稱要在硅片層面連接DRAM內(nèi)核，但不一定是移動(dòng)技術(shù)；LPDDR3，其參數(shù)仍然未定；DDR4，一種標(biāo)準(zhǔn)DRAM，在2013年以前可能不會(huì)面世。