低功耗DDR2 (LPDDR2)正在成為移動DRAM領(lǐng)域中的主要技術(shù)，預(yù)計到今年第二季度將占據(jù)40%的份額，高于第一季度的31%。大部分移動DRAM市場仍然由較舊的LPDDR1技術(shù)控制，但時間不會太長了。

    到今年第四季度，情況將會發(fā)生改變，屆時LLPDDR2將首次取得優(yōu)勢，控制58%的市場份額，如圖4所示。

    移動DRAM曾經(jīng)是DRAM市場中的一潭死水，但現(xiàn)在三星、海力士半導體、爾必達和美光等重要廠商正在向這個領(lǐng)域投入更多的工程與開發(fā)努力。不同于標準DRAM，移動DRAM功耗較低、發(fā)熱較少而且占用的空間較小，特別適合智能手機和其它小型電子產(chǎn)品。這些產(chǎn)品都需要更強的計算能力和更小的占用空間。移動DRAM也用于數(shù)碼相機、便攜媒體播放器、便攜游戲產(chǎn)品和平板電腦。

    移動DRAM面臨的一個主要挑戰(zhàn)，是其性能能否滿足未來產(chǎn)品的要求。雖然LPDDR2現(xiàn)在對于手機和平板電腦來說已足夠，但功耗和寬帶問題仍然令人關(guān)注。

    例如，工作電壓為1.2V的時候，LPDDR2在每次數(shù)據(jù)傳輸中可以比LPDDR1節(jié)省50%左右的功耗。但是，如果未來設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸量是目前的10倍——很快就會達到這樣的水平，則LPDDR2將根本無法滿足要求。

    LPDDR2的傳輸速度是每秒8.5GB，而LPDDR1只有1066MHz，這點也很突出。但LPDDR2這樣的速度可能不足以滿足即將推出的產(chǎn)品。智能和機廠商的反饋顯示，需要數(shù)據(jù)率高達每秒12.8GB，這將要求LPDDR2把時鐘頻率提高到800MHz，而IHS公司認為這似乎不太可行。

下一步是什么？

    由于LPDDR2可能達到性能極限，并很快無力滿足更高的要求，幾種移動DRAM技術(shù)正在爭取人們的關(guān)注，試圖取而代之，如表1所示。

    目前處于前列的包括：Rambus公司的移動XDR；SPMT聯(lián)盟開發(fā)的串行端口內(nèi)存技術(shù)，準備充當免授權(quán)費的內(nèi)存接口。

    其它移動DRAM技術(shù)包括Wide I/O，聲稱要在硅片層面連接DRAM內(nèi)核，但不一定是移動技術(shù)；LPDDR3，其參數(shù)仍然未定；DDR4，一種標準DRAM，在2013年以前可能不會面世。