對于較低功率的應(yīng)用而言，臨界導(dǎo)電模式(CrM)(也稱作邊界、邊界線甚至是瞬態(tài)導(dǎo)電模式)通常是首選的控制技術(shù)。這種控制技術(shù)簡單，市場上有采用這種技術(shù)的不同的商用控制器，容易設(shè)計。然而，高輸入電壓時，如果輸入和輸出電壓之間的差距小，PFC段會變得不穩(wěn)定。本文將說明解決這種問題的方法。PFC段一個更加常見的問題是通常發(fā)生在啟動時的大電流過沖，而不論采用的是何種控制技術(shù)。

臨界導(dǎo)電模式工作

臨界導(dǎo)電模式(CrM)工作是低功率應(yīng)用中最常見的解決方案。這種控制方法可以采用可變頻率控制原理來描述特征，即電感電流先上升至所需線路電流的2倍，然后下降至零，接著再上升至正電流，期間沒有死區(qū)時間(dead-time)，如圖1所示。這種控制方法需要電路精確地檢測電感的磁芯復(fù)位。

圖1 臨界導(dǎo)電模式工作

零電流檢測

確定退磁完成的常見解決方案在于感測電感電壓，更具體地說，就是檢測電感電壓何時降至零。監(jiān)測線圈電壓并非經(jīng)濟(jì)的解決方案。相反，這升壓電感與小型繞組相關(guān)，這繞組(稱作“零電壓檢測器”或ZCD繞組)提供了電感電壓的一個縮小版本，能夠用于控制器上，如圖2所示。ZCD繞組采用耦合形式，因而它在MOSFET導(dǎo)電時間(反激配置)期間呈現(xiàn)出負(fù)電壓，如圖3中所示。這繞組提供：

VAUX=-NVIN，當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時；

VAUX=N(VOUT-VIN)，當(dāng)MOSFET開路時。

其中，N是輔助繞組與主繞組之間的匝數(shù)比。

圖2 NCP1607驅(qū)動的應(yīng)用段典型應(yīng)用示意圖

當(dāng)ZCD電壓(VAUX)開始下降時線圈電流會達(dá)到零。許多CrM控制器內(nèi)部比較VAUX與接近0V的ZCD參考電壓，檢測出下降沿，并準(zhǔn)時啟動下一個驅(qū)動信號。為了實(shí)現(xiàn)強(qiáng)固的工作，應(yīng)用了磁滯機(jī)制，并實(shí)際上產(chǎn)生較高的(upper)閾值(VAUX上升時有效)及較低的(lower)閾值(VAUX下降時有效)。出于不同原因(如安森美半導(dǎo)體NCP1607 PFC控制器中的ZCD引腳的多功能性)，在大多數(shù)商用器件中這些閾值都相對較高(在1V及2V之間)。

例如，NCP1607數(shù)據(jù)表中可以發(fā)現(xiàn)下述的ZCD閾值規(guī)范(引腳5是監(jiān)測ZCD信號的電路)。

Vpin5上升：最低值為2.1V，典型值為2.3V，最大值為2.5V；

Vpin5下降：最低值為1.5V，典型值為1.6V，最大值為1.8V。

要恰當(dāng)?shù)貦z測零電流，VAUX信號必須高于較高的閾值。

圖3  波形

極高輸入線路時的不精確零電流檢測

圖4及圖5顯示出在高線路時會面對的一個問題。VAUX電壓在退磁相位期間較小，而這時Vin較高，因?yàn)閂AUX與輸出輸入電壓差成正比VAUX=N(VOUT-VIN)。此外，如圖4所示，輸入電壓在開關(guān)頻率呈現(xiàn)出交流含量。因此，VAUX波形并不平坦，相反，它還包含紋波。在低線路時，這紋波可以忽略不計。在高線路時，VAUX幅度在退磁相位期間較小。因此，這些振蕩可能大到足以導(dǎo)致過早檢測電感磁芯復(fù)位。事實(shí)上，如圖4和圖5所示的那樣，零電流檢測的精度降低了。

圖4 不精確零電流檢測導(dǎo)致的不穩(wěn)定性

圖5 連續(xù)導(dǎo)電模式工作

圖4顯示出現(xiàn)不穩(wěn)定性問題時高輸入線路(正弦波頂端，此處Vin約為380V)下的VAUX電壓。我們可以看到MOSFET關(guān)閉時，VAUX電壓輕微躍升至高于ZCD閾值。由于其大紋波的緣故，在退磁相位期間，VAUX電壓首先增加，然后下降。由于在某些開關(guān)周期的末段VAUX接近ZCD閾值，這VAUX電壓下降導(dǎo)致零電壓比較器在電感磁芯完全復(fù)位前就翻轉(zhuǎn)(trip)。圖5證實(shí)了這一論斷。有時，升壓二極管仍在導(dǎo)電時，PFC段開始新的周期。這個現(xiàn)象主要導(dǎo)致線路電流失真(見紅色跡線)、功率因數(shù)退化，并可能有一些頻率處在人耳可聽到的噪聲。

改善高線路工作的簡單調(diào)整方法

如圖6所示，在VCC與引腳5(ZCD引腳)之間布設(shè)一顆電阻，能夠減輕或抑制這個現(xiàn)象。這樣一來，ZCD引腳上就產(chǎn)生了偏置。

圖6 ZCD引腳上的調(diào)整

在測試的應(yīng)用中，VCC為15V，且Rzcd=68kΩ。在VCC與引腳5之間增加一顆電阻Roff=680kΩ，就改變了施加在引腳5(ZCD引腳)上的電壓。退磁相位期間ZCD引腳上施加的實(shí)際VAUX電壓就變?yōu)椋?/p>

    (1)

然后，施加在引腳5上的電壓就偏置。事實(shí)上，這就像是VAUX電壓與減小了1.36V的ZCD閾值比較。這樣一來，新的實(shí)際ZCD閾值就是：

Vpin5上升：最低值為0.74V，典型值為0.94V,最大值為1.14V；

Vpin5下降：最低值為0.14V，典型值為0.24V,最大值為0.44V。

這些降低的ZCD閾值增加了ZCD的精度，并能抑制CCM工作，在相同條件下獲得的波特圖（見圖7）就證實(shí)了這一點(diǎn)。

圖7 調(diào)整改善器件工作

必須注意，Vpin5下降(我們的案例中是1.5V)時，偏置必須保持在低于ZCD最低閾值。這是為了確保新的實(shí)際ZCD閾值(Vpin5下降時) 保持高于0V。否則，系統(tǒng)可能難于檢測磁芯復(fù)位并因此啟動新的開關(guān)序列。出于這個目的，應(yīng)當(dāng)考慮到VCC的變化。

啟動時的大過沖

PFC段從輸入線路正弦波電壓源吸收正弦電流，因此，它們?yōu)樨?fù)載提供僅匹配平均需求的方波正弦功率。輸出電容(大電容)“吸收”實(shí)際提供的功率與負(fù)載消耗的功率之差值。

● 饋送給負(fù)載的功率低于需求時，輸出電容放電，補(bǔ)償功率差額。

● 提供的功率超過負(fù)載功耗時，輸出電容充電，存儲多余的能量。

因此，輸出電壓呈現(xiàn)出輸入線路頻率2倍的低頻交流含量。不利的是，PFC電流整形(current-shaping)方法均基于控制信號無紋波的假設(shè)。否則，就不能夠優(yōu)化功率因數(shù)，因?yàn)檩斎刖€路電流重新復(fù)制了控制信號失真。這就是眾所周知的PFC電路動態(tài)性能差的原因。它們的穩(wěn)壓環(huán)路帶寬設(shè)得極低，從而抑制100Hz或120Hz紋波，否則輸出電壓就會注入這紋波。

由于系統(tǒng)極慢，PFC段遭受陡峭的負(fù)載或輸入電壓變化時，會在大電容上呈現(xiàn)出大的過沖

圖8 輸出電壓紋波

圖9展示能在啟動相位期間觀察到的那類過沖。這波特圖是使用由NCP1607驅(qū)動、負(fù)載是下行轉(zhuǎn)換器的PFC段獲得的。

圖9 啟動相位期間的過沖

承受啟動過沖

應(yīng)用軟啟動是減小過沖的一種自然選擇。然而，設(shè)計人員所選擇的控制器并不必須具有這個功能特性。此外，從定義來看，這種功能減緩了啟動速度，而這并非總是可以接受。

另外一種簡單的選擇涉及在反饋感測電阻分壓器處增加一個電容，如圖10所示。在這個圖中，我們假定感測網(wǎng)絡(luò)中上部的電阻分割為兩個電阻，而電容Cfb并聯(lián)連接在其中一個電阻的兩端。

圖10 小幅調(diào)整反饋網(wǎng)絡(luò)

如果控制電路中嵌入了傳統(tǒng)的誤差放大器，讓我們分析電容Cfb的影響。在穩(wěn)態(tài)，Cfb改變了傳遞函數(shù)。通過檢測，我們立即注意到它增加了：

處于下述頻率的一個零點(diǎn)：

    (2)

處于下述頻率的一個極點(diǎn)：

    (3)

控制器集成了傳導(dǎo)誤差放大器(OTA)時，情況就有點(diǎn)不同。這是因?yàn)榉答佉_(誤差放大器的反相輸入)不再是虛接地(virtual ground)。因此，電阻分壓器中下部位置的電阻(RfbL)影響了極點(diǎn)頻率的表達(dá)式。實(shí)際上，采用OTA時：

    (4)

然而，PFC輸出電壓的穩(wěn)壓電平通常處于390V范圍，而控制器參考電壓處在少數(shù)幾伏的范圍。因此，與(RfbU1+RfbU2)相比，RfbL極?。蝗绻鸕fbU1與RfbU2處在相同范圍，或如果RfbU1小于RfbU2，我們就可以考慮：RfbL=RfbU2。事實(shí)上，設(shè)計人員基于這些考慮因素，能夠得出近似Cfb產(chǎn)生的極點(diǎn)頻率，即：

    (5)

最后，兩種配置中都獲得相同的極點(diǎn)。

這些條件(RfbU1≈RfbU2)或(RfbU1≤RfbU2)并非限制性條件。相反，滿足這些條件是明智之舉，因?yàn)镽fbU1兩端的電壓及相應(yīng)的Cfb兩端的電壓取決于RfbU1值與(RfbU1+RfbU2+RfbL)總電阻值的相對比較關(guān)系。這就是為什么它們是現(xiàn)實(shí)可行的原因。

如果RfbU1與RfbU2這兩個電阻擁有類似阻值，

     (6)

如果RfbL=RfbU2：

    (7)

最后，如果與RfbU2相比RfbU1極小，我們就獲得在控制至輸出傳遞函數(shù)中抵消(cancel)的極點(diǎn)和零點(diǎn)。這樣，增加Cfb就對環(huán)路和交越頻率沒有影響。如果RfbU1與RfbU2處在相同范圍，低頻增益就略微增加，交越頻率就以跟fp與fz的相同比率增加。事實(shí)上，特別是在RfbL=RfbU2時，這個增加的電容并不會大幅改變PFC段的動態(tài)性能。

然而，在啟動相位期間，這個電容發(fā)揮重要作用。當(dāng)輸出電壓上升時，Cfb電容也充電。Cfb充電電流增加到反饋電流中，所以穩(wěn)壓電平臨時降低。這增加的電流與Cfb電容值成正比，并取決于輸出電壓的陡峭度，因此，在輸出電壓快速充電時，這個影響更引人注目。

實(shí)際驗(yàn)證

在應(yīng)用中已經(jīng)測試了調(diào)整方法，反饋網(wǎng)絡(luò)如下所示：

RfbU1≈RfbU2=470kΩ

RfbL=6.2kΩ

電阻RfbU1兩端放置了一個100nF電容。它必須是一種高壓電容，因?yàn)槿粑覀兗俣ㄝ敵鲭妷鹤畲笾禐?50V，它兩端的電壓可能達(dá)到223V。作為一項(xiàng)經(jīng)驗(yàn)法則(rule of the thumb)，我們選擇了100nF電容值，這樣，在觀測到過沖時，時間常數(shù)（RfbU1Cfb）就處在啟動時間的范圍之內(nèi)。

圖11比較沒有時的啟動序列(左圖)與有Cfb時的啟動相位(右圖)。這些波特圖清楚顯示電容的影響。Cfb充電電流人為地增加了輸出電壓(即圖中的Vbulk)充電期間的反饋電流，導(dǎo)致預(yù)期的控制信號(Vcontrol)放電。因此就沒有觀測到輸出電壓過沖。我們可進(jìn)一步指明，啟動時間未受明顯影響。

圖11 有Cfb(左圖)及沒有Cfb(右圖)時的啟動特性

圖12顯示了沒有Cfb時(左圖)及有Cfb時(右圖)PFC段對突兀的負(fù)載改變(120W階躍)的響應(yīng)。我們的案例中(RfbU1=RfbU2)，Cfb產(chǎn)生并不會相互抵消的額外極點(diǎn)及額外零點(diǎn)，且輕微改變環(huán)路特性。然而，最重要的是，采用Cfb還是改善了響應(yīng)，因?yàn)檩^大的輸出偏差(Output deviation)使這些負(fù)載階躍類似于啟動瞬態(tài)。因此，Cfb在這里同樣幫助控制電路出現(xiàn)預(yù)料中的所期望的電平恢復(fù)。

圖12 沒有Cfb時(左圖)及有Cfb時(右圖)PFC段對負(fù)載階躍變化的響應(yīng)

結(jié)論

本文討論了如何解決PFC段經(jīng)常會面對的兩個問題。首先，在CrM應(yīng)用中，零電流檢測在高輸入線路時精度不高，而當(dāng)輸入線路電壓非常接近輸出電壓時，可能會出現(xiàn)某些不需要的連續(xù)導(dǎo)電模式周期，導(dǎo)致一些功率因數(shù)退化，及可能出現(xiàn)一些人耳可聽到的噪聲。能夠使用一顆簡單的電阻來改善這功能。其次，在啟動序列期間，PFC段也可能呈現(xiàn)出過大的過沖?？梢栽诜答伕袦y網(wǎng)絡(luò)中放置一顆電容來限制或抑制這過應(yīng)力。即便是在電源設(shè)計的極晚階段，這兩種調(diào)整方法都易于實(shí)施。