意法半導(dǎo)體（ST）最新MDmesh V功率MOSFET技術(shù)，在650V額定電壓下取得最佳單位面積導(dǎo)通電阻、能效和功率密度
2009-02-20
作者：意法半導(dǎo)體
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功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh V技術(shù)達到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻。MDmesh V讓新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用緊湊型功率封裝，使能效和功率都達到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。這些產(chǎn)品的目標應(yīng)用是以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。?
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“MDmesh V產(chǎn)品在RDS(ON)上的改進將會大幅度降低PFC電路和電源的電能損耗，從而能夠?qū)崿F(xiàn)能耗更低、尺寸更小的新一代電子產(chǎn)品，”意法半導(dǎo)體功率MOSFET產(chǎn)品部市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示，“這項新技術(shù)將幫助產(chǎn)品設(shè)計工程師解決新出現(xiàn)的挑戰(zhàn)，例如，新節(jié)能設(shè)計法規(guī)的能效目標，同時再生能源市場也是此項技術(shù)的受益者，因為它可以節(jié)省在電源控制模塊消耗的寶貴電能?！?/SPAN>?
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作為意法半導(dǎo)體在成功的多漏網(wǎng)格技術(shù)上的最新進步，通過改進晶體管的漏極結(jié)構(gòu)，降低漏--源電壓降，MDmesh V在單位面積導(dǎo)通電阻RDS(ON) 上表現(xiàn)異常出色。此項優(yōu)點可降低這款產(chǎn)品的通態(tài)損耗，同時還能使柵電荷量(Qg)保持很低，在高速開關(guān)時實現(xiàn)優(yōu)異的能效，提供低‘RDS(ON) x Qg’的靈敏值（FOM）。新產(chǎn)品650V的擊穿電壓高于競爭品牌的600V產(chǎn)品的擊穿電壓，為設(shè)計工程師提供寶貴的安全裕量。意法半導(dǎo)體的MDmesh V MOSFET的另一項優(yōu)點是，關(guān)斷波形更加平滑，柵極控制更加容易，并且由于EMI降低，濾波設(shè)計更加簡單。?
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MDmesh V MOSFET的節(jié)能優(yōu)勢和高功率密度將會給終端用戶產(chǎn)品的節(jié)能帶來實質(zhì)性提升，例如：筆記本電腦的電源適配器、液晶顯示器、電視機、熒光燈鎮(zhèn)流器、電信設(shè)備、太陽能電池轉(zhuǎn)換器以及其它的需要高壓功率因數(shù)校正或開關(guān)功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用設(shè)備。?
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詳情請訪問：www.st.com/pmos.?
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關(guān)于意法半導(dǎo)體（ST）?
意法半導(dǎo)體，是微電子應(yīng)用領(lǐng)域中開發(fā)供應(yīng)半導(dǎo)體解決方案的世界級主導(dǎo)廠商。硅片與系統(tǒng)技術(shù)的完美結(jié)合，雄厚的制造實力，廣泛的知識產(chǎn)權(quán)組合（IP），以及強大的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使意法半導(dǎo)體在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)方面居最前沿地位。在今天實現(xiàn)技術(shù)一體化的發(fā)展趨勢中，意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品扮演了一個重要的角色。2008年，公司凈收入98.4億美元，公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。詳情請訪問意法半導(dǎo)體公司網(wǎng)站 www.st.com 或意法半導(dǎo)體中文網(wǎng)站 www.stmicroelectronics.com.cn?