中微半導體設(shè)備（上海）有限公司（以下簡稱“中微”）于本周 SEMICON West 期間發(fā)布面向22納米及以下芯片生產(chǎn)的第二代300毫米甚高頻去耦合反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備 -- Primo AD-RIE(TM)。基于已被業(yè)界肯定的Primo D-RIE(TM) 刻蝕設(shè)備，中微 Primo AD-RIE 應(yīng)用了更多技術(shù)創(chuàng)新性來解決高端芯片復雜生產(chǎn)過程帶來的挑戰(zhàn)，同時保證了芯片加工的質(zhì)量。這些技術(shù)創(chuàng)新包括：先進的射頻系統(tǒng)保證了刻蝕過程的穩(wěn)定性和可重復性，更好的調(diào)諧能力確保了超精細的關(guān)鍵尺寸均勻度，更優(yōu)異的反應(yīng)室內(nèi)壁材料以降低缺失來提高產(chǎn)品良率。
　　
　　同前一代產(chǎn)品類似，同行業(yè)標準相比，Primo AD-RIE 實現(xiàn)了35%到50%的資本效率增益，總體擁有成本降低20%至40%，更加緊湊的產(chǎn)品設(shè)計 -- 占地面積比同類最大設(shè)備小至少30%，這些都使得 Primo AD-RIE 成為當前半導體設(shè)備市場上最高產(chǎn)出率、最低生產(chǎn)成本的先進刻蝕設(shè)備。
　　
　　產(chǎn)品將于今年第三季度付運。第一臺 Primo AD-RIE 將進入亞洲一流芯片代工廠。中微Primo D-RIE 設(shè)備將繼續(xù)用于22納米以上的芯片刻蝕加工和部分22納米以下刻蝕工藝的加工。
　　
　　對于芯片廠，中微新設(shè)備投放市場的時機同樣是他們面臨挑戰(zhàn)的時刻。各晶圓廠持續(xù)擴大規(guī)模和新材料的整合帶來了技術(shù)上的障礙，而不斷攀升的資本支出成本影響著利潤。對于刻蝕設(shè)備廠商來說，這就意味著要加速生產(chǎn)加工設(shè)備的創(chuàng)新步伐，使之更先進、更穩(wěn)定、更可靠，但同時又應(yīng)當簡單化并降低成本。這是中微的最佳立足點，也是中微至今已有超過30臺設(shè)備進入亞洲9家客戶（其中包括了世界頂級的晶圓生產(chǎn)廠商）的制勝點。為了進一步滿足市場需求，中微正在中國擴大生產(chǎn)能力。今年，中微將在臺灣竹南地區(qū)完成建立新的組裝和測試廠房設(shè)施。
　　
　　“客戶都想要最新、最先進的加工技術(shù)，然而他們對生產(chǎn)成本的考慮卻比以往都更敏感，”中微公司副總裁、刻蝕產(chǎn)品部總經(jīng)理朱新萍說，“Primo AD-RIE 為先進的關(guān)鍵工藝加工帶來了技術(shù)創(chuàng)新和生產(chǎn)力提高的最優(yōu)化，客戶可以采用更進取的工藝策略，而不必擔心會以生產(chǎn)效率為代價。新老客戶都對我們的產(chǎn)品表示了極大的興趣。”
　　
　　Primo AD-RIE 基于 Primo D-RIE，具有更多突破性技術(shù)創(chuàng)新Primo AD-RIE 在促進中微第一代刻蝕設(shè)備技術(shù)創(chuàng)新的同時，又大大擴大了其自身的加工領(lǐng)域。該設(shè)備的主要部分是一組創(chuàng)新的少量反應(yīng)臺反應(yīng)器的簇架構(gòu)，可以靈活地裝置多達三個雙反應(yīng)臺反應(yīng)器，以達到最佳芯片加工輸出量。每個反應(yīng)器都可以實現(xiàn)單芯片或雙芯片加工。獨特的反應(yīng)器腔體設(shè)計融合了中微專有的等離子體聚焦和噴淋頭技術(shù)，確保了芯片加工的質(zhì)量。Primo AD-RIE 的一些基本特征使其更具備28納米以下關(guān)鍵刻蝕加工的能力，這些基本特征包括：除了已有的60兆赫茲射頻以外，2-13.5兆赫茲可切換射頻使 Primo AD-RIE 加工范圍更加廣泛，獨特的射頻輸入和對稱分布改善了等離子密度的均勻分布，三區(qū)氣體分布和雙調(diào)諧氣體提高了刻蝕的均勻度和調(diào)諧性，靜電吸盤雙區(qū)冷卻裝置提高了晶片溫度的可調(diào)性并極大改善了晶圓片的刻蝕均勻度。
　　
　　系統(tǒng)特點和優(yōu)勢：
　　
　　•去耦合反應(yīng)離子刻蝕實現(xiàn)了離子濃度和離子能量的獨立控制；
　　•獨特的甚高頻射頻輸入和對稱分布可在大批量生產(chǎn)環(huán)境中仍能確保實現(xiàn)重復性結(jié)果的精準控制；
　　•具有自主知識產(chǎn)權(quán)的等離子體聚焦使刻蝕過程更為穩(wěn)定可靠，有更寬泛的工藝窗口；
　　•每個反應(yīng)臺獨立的射頻發(fā)生器、各反應(yīng)臺均勻度的分別控制和刻蝕終點控制，使每片晶圓可以在獨立的反應(yīng)環(huán)境中被刻蝕處理；
　　•從底部供能的高頻射頻提供了穩(wěn)定、低壓、高密度度的等離子體，保持 low-k材料的完整性；
　　•具有自主知識產(chǎn)權(quán)的、具有快速、穩(wěn)定、可靠的調(diào)諧能力的自隔離射頻匹配裝置；
　　•反應(yīng)腔內(nèi)壁選用高純度、耐等離子特殊材料，開發(fā)了最佳的材料加工過程，大大降低了損耗，將雜質(zhì)微粒數(shù)降到最低；
　　•電阻上電極直接加熱處理的閉環(huán)控制為持續(xù)的芯片加工過程提供了精確、快速的溫度控制；
　　•雙反應(yīng)臺反應(yīng)器的簇架構(gòu)，可配置多達六個單芯片加工反應(yīng)臺，即在較小的占地面積上獲得很高的輸出量；
　　•模塊化的系統(tǒng)架構(gòu)使安裝和維護操作更簡便。