7月14日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，韓國(guó)芯片巨頭海力士半導(dǎo)體周三稱(chēng)，它已經(jīng)同意與日本東芝公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)下一代內(nèi)存芯片。

　　海力士在聲明中稱(chēng)，根據(jù)這個(gè)合作協(xié)議，海力士和東芝將聯(lián)合開(kāi)磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)。與現(xiàn)有的內(nèi)存芯片相比，MRAM內(nèi)存將提高速度和效率。一旦開(kāi)發(fā)工作完成，這兩家公司將組建一個(gè)合資企業(yè)大批量生產(chǎn)MRAM內(nèi)存。

　　海力士是僅次于三星電子的全球第二大DRAM內(nèi)存芯片廠商。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠商。

　　這個(gè)合作將把東芝高級(jí)的MRAM技術(shù)和海力士有競(jìng)爭(zhēng)力的成本和內(nèi)存技術(shù)結(jié)合在一起。東芝還是全球第三大半導(dǎo)體廠商，僅次于英特爾和三星。

　　MRAM芯片預(yù)計(jì)在早期階段將用于移動(dòng)市場(chǎng)并且用于PC和服務(wù)器。