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意法半導體(ST)推出全新30V功率晶體管,采用第六代STripFET制造工藝,功率密度達到業(yè)內(nèi)最高水平

STripFET VI DeepGATE產(chǎn)品系列首批產(chǎn)品,提升功率轉(zhuǎn)換器的能效,采用PowerFLAT 5x6封裝,典型導通電阻
2009-04-08
作者:意法半導體
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功率半導體業(yè)全球領(lǐng)先廠商意法半導體(紐約證券交易所: STM)推出全新系列的30V表面貼裝功率晶體管,導通電阻僅為2毫歐(最大值),新產(chǎn)品可提高計算機、電信設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的能效。?

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采用意法半導體最新的 STripFET VI DeepGATE制造工藝單元密度提高,以有效芯片尺寸對比,新產(chǎn)品實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最佳的導通電阻RDS(ON),比上一代產(chǎn)品改進大約20個百分點,開關(guān)穩(wěn)壓器和直流--直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)因此可以使用小尺寸的貼裝功率封裝。這項技術(shù)還得益于本身既有的低柵電荷量特性,這項優(yōu)點讓設(shè)計人員可以使用高開關(guān)頻率,在產(chǎn)品設(shè)計中選用尺寸更小的無源器件,如電感和電容。?

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意法半導體新30V表面貼裝功率晶體管產(chǎn)品提供各種工業(yè)標準封裝,包括SO-8DPAK5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK、通孔IPAKSOT23-6L,兼容現(xiàn)有的焊盤/引腳布局同時還能提高能效和功率密度。這一特性使意法半導體的STripFET VI DeepGATE產(chǎn)品系列可以創(chuàng)造出最大的市場機遇。?

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首批采用新工藝的產(chǎn)品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6兩款產(chǎn)品。STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封裝,單位面積導通電阻 RDS(ON)* 達到市場最低水平;STD150N3LLH6采用DPAK封裝,導通電阻 RDS(ON)2.4毫歐。?

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兩款產(chǎn)品的樣片都已上市,計劃2009年6月開始量產(chǎn)。?

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詳情登錄意法半導體公司網(wǎng)站www.stmicroelectronics.com.cn/pmos.?

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關(guān)于意法半導體(ST)?

意法半導體是微電子應用領(lǐng)域中開發(fā)供應半導體解決方案的世界級主導廠商。硅片與系統(tǒng)技術(shù)的完美結(jié)合,雄厚的制造實力,廣泛的知識產(chǎn)權(quán)組合(IP),以及強大的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,使意法半導體在系統(tǒng)級芯片(SoC)技術(shù)方面居最前沿地位。在今天實現(xiàn)技術(shù)一體化的發(fā)展趨勢中,意法半導體的產(chǎn)品扮演重要的角色。2008年,公司凈收入98.4億美元,公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。詳情請訪問意法半導體公司網(wǎng)站 www.st.com 意法半導體中文網(wǎng)站 www.stmicroelectronics.com.cn?

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PolarPAK VISHAY/SILICONIX公司的注冊商標。?

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