據(jù)IHS公司的DRAM市場報告，隨著DRAM價格降到了極低水平，如果廠商不轉(zhuǎn)向效率更高的3x/2x納米制程，可能面臨重大虧損，三星電子等領(lǐng)先的內(nèi)存供應(yīng)商已經(jīng)采用了上述制程。

　　三星第三季度采用3x/2x制程進行的晶圓生產(chǎn)已占到29%，在所有主要DRAM廠商中處于最高水平。第三季度DRAM價格從一年多以前的6.50美元以上降到了1.60美元，如果廠商不趕緊轉(zhuǎn)向3x納米工藝，則在銷售2GB DDR3時可能遭受虧損。2GB DDR3是目前的主流DRAM類型。

　　三星的韓國同業(yè)海力士半導體聲稱，其18%的DRAM生產(chǎn)也采用了同樣的3x/2x納米工藝。日本爾必達緊隨其后，該比例是16%。這些數(shù)字表明，其它廠商都在奮起直追，盡管海力士和爾必達在轉(zhuǎn)向新制程方面尚未接近三星那樣的高效率。按營業(yè)收入份額排名，海力士和爾必分別是第二及第三大DRAM廠商。

　　圖4所示為五大DRAM廠商的制程組合情況，有些廠商在采用新制程的步伐顯然非常落后，比如美國美光和臺灣南亞科技，二者采用3x/2x納米工藝的生產(chǎn)僅占1%。
 

制造工藝方面追趕三星 " src="http://files.chinaaet.com/images/20110825/2c9ecfe3-3c78-4305-ac2a-cbfc3de46707.jpg" />

　　三星將保持業(yè)內(nèi)領(lǐng)先地位，到2012年底，它將把將近80%的晶圓生產(chǎn)轉(zhuǎn)向3x納米或者更先進的制程。海力士想趕上來，但將落后一個季度。爾必達也努力快速追趕，盡管其25納米產(chǎn)品仍處于早期的驗證階段。

　　目前處于落后地位的美光和南亞科技，將在明年底以前不斷追趕。這兩家公司的主要產(chǎn)品目前都依賴仍然可行的42納米工藝，該工藝的成本可行性可能只保持到今年，然后必須加快向3x納米的遷移速度，以保持競爭力。

　　由于目前DRAM價格處于低位，力晶等業(yè)內(nèi)仍然在采用4x/5x納米工藝的其它廠商，收回現(xiàn)金成本的可能性將不斷下降。目前31納米2Gb DDR3封裝裸片的單位現(xiàn)金成本是0.68美元，但48納米工藝就會上升到1.34美元。預計DRAM平均銷售價格會進一步下滑，第四季度可能降到1.25美元，所以繼續(xù)采用4x納米工藝將面臨災(zāi)難。

　　出路很明顯：如果想走在不斷下滑的價格前面，廠商必須迅速采取行動并轉(zhuǎn)向更先進的工藝。不幸的是，此舉也有副作用：隨著業(yè)內(nèi)廠商努力縮小制程，單位晶圓將生產(chǎn)出更多的DRAM，最終會進一步打壓價格。

　　然而，其它趕超方法很少。美光采取的一種策略，包括讓客戶基礎(chǔ)多樣化，以化解一些價格風險。但是，不是所有廠商都能采用這種方法，也不是所有廠商都能涉足多樣化市場。由于落后者的利潤繼續(xù)蒸發(fā)，這些廠商最終可能被收購甚至被淘汰。