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IDT70V9289的典型應用電路設計
摘要: IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步雙口靜態(tài)存儲器(SRAM),可實現(xiàn)不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。文中詳細介紹該電路的結構和原理,給出IDT70V9289的典型應用電路及設計時應注意的問題。
Abstract:
Key words :
  IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步雙口靜態(tài)存儲器(SRAM),可實現(xiàn)不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。文中詳細介紹該電路的結構和原理,給出IDT70V9289的典型應用電路及設計時應注意的問題。

  1 引言

  隨著科技的發(fā)展和高速設備的不斷涌現(xiàn),數(shù)據(jù)傳輸率也越來越高。而由于傳輸方式的不同,各種高速設備在連接時能否實現(xiàn)可靠的數(shù)據(jù)交換就顯得十分重要。高速雙口SRAM的出現(xiàn)為解決這一問題提供了一種有效途徑。IDT70V9289是IDT公司新推出的高速同步雙口靜態(tài)存儲器,其容量為64k×16bit,具有設計簡單,應用靈活等特點。

  2 IDT70V9289的結構及功能

  2.1 內部結構

  圖1示出IDT70V9289的結構框圖,它主要由I/O控制器、存儲器陣列、計數(shù)器/地址寄存器和一些邏輯電路組成。

IDT70V9289的結構框圖

  2.2 功能特點

  ·真正的雙端口存儲器,完全同步操作

  3.5ns時鐘建立時間,0ns保持時間(所有控制、數(shù)據(jù)和地址輸入)

  具有數(shù)據(jù)輸入、地址和控制寄存器

  ·存儲容量達1024kbit(64k×16bit);

  ·高速數(shù)據(jù)存取,其TCD(時鐘上升沿與數(shù)據(jù)輸入/輸出的時延)為

  商業(yè)級:6/7.5/9/12ns(最大)

  工業(yè)級:9ns(最大)

  ·應用IDT公司的高性能CMOS技術,所耗低

  工作時:500mW(典型值)

  待機時:1.5mw(典型值)

  ·計數(shù)使能和重置功能

  ·通過FT/PIPE引腳選擇任意端口的流通(folw-through)或流水線輸出模式

  ·可對多路傳輸總線中的獨立高位字節(jié)和低位字節(jié)進行控制

  ·LVTTL接口電平,3.3V(±0.3V)單電源供電

  2.3 引腳功能(以左邊端口引腳為例)

  VDD:電源輸入端,起濾波作用的旁路電容器應盡可能靠近電源引腳,并直接連接到地;

  VSS:接地引腳;

  CE0L,CE1L:使能端,當CE0L為低電平且CE1L為高電平時,電路工作。該引腳可允許每個端口的片上電路進入低功耗的待機模式;

  R/WL:讀/寫使能,此端為高電平時讀出,為低電平時寫入;

  OEL:異步輸出使能;

  A0L-A15L:地址同步輸入端;

  I/O0L-I/O15L:數(shù)據(jù)輸入/輸出端;

  CLK::存儲器工作時鐘,所以輸入信號在該時鐘上升沿有效;

  UBL:高位字節(jié)選擇,低電平有效;

  LBL:低位字節(jié)選擇,低電平有效;

  CNTENL:計數(shù)器使能,當時鐘上升沿到來時,如果該引腳為低電平,則地址計數(shù)器工作,優(yōu)先級高于其它引腳;

  CNTRSTL:計數(shù)器重置,低電平有效,優(yōu)先級高于其他引腳;

  FT/PIPEL:流通(flow-through)和流水線模式選擇,高電平有時為流水線模式,此時輸出有效發(fā)生在CE0L為低電平且CE1L為高電平的二個周期。

  ADSL:地址選通使能,低電平有效,優(yōu)先級高于其他引腳。

  3 應用舉例

  以IDT70V9289為核心,配以適當?shù)目刂菩盘?,即可使不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流實現(xiàn)無損傳輸。下面以某高速誤碼儀與CY7C68013型高速USB單片機的連接為例,介紹IDT70V9289的應用及應注意的問題。

  3.1 讀模式選擇

  在設計中,高速誤碼儀的Virtex_II XC2V250與CY7C68013進行數(shù)據(jù)交換,由于CY7C68013采用突發(fā)方式傳輸且傳輸速度高達300Mbit/s,而Virtex-II XC2V250只能檢測連續(xù)數(shù)據(jù)流的誤碼,因此正好可以應用IDT70V9289實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。IDT70V9289提供二種讀數(shù)據(jù)模式(流通模式和流水線模式)。為了實現(xiàn)高速傳輸和降低時序設計的復雜度,設計選擇了流水線模式。下面簡述二種模式的區(qū)別。

  (1)結構差別

  二者在寫入過程中完全一樣,都是通過輸入寄存器緩沖數(shù)據(jù),但在讀出過程中,流水線模式通過輸出寄存器緩沖數(shù)據(jù)而流通模式則沒有。如圖2所示,在流水線模式中輸入寄存器和輸出寄存器工作在同一時鐘邊沿。

  (2)時序差別

  結構差別反映在時序關系上就是流通模式的數(shù)據(jù)輸出比流水線模式提前一周期,并與存儲器陣列的讀數(shù)據(jù)同在一個時鐘周期,并與存儲器陣列的讀數(shù)據(jù)同在一個時鐘周期,如圖3所示,這樣,可以實現(xiàn)地址輸入和數(shù)據(jù)輸出的同步,從而滿足一些電路的時序要求;而流水線模式由于有輸出寄存器,其輸出引腳上的讀數(shù)據(jù)在幾乎整個時鐘周期內都是可用的,因而為器件取數(shù)據(jù)提供最佳的建立時間,并允許在更高的時鐘頻率下進行操作,同時設計者也無需擔心電路設計技巧和定時通路。更要注意的是:由于存在這種時序差別,設計者在選擇讀模式時,要考慮到相應的時序變化,以免造成讀取數(shù)據(jù)錯誤。

  3.2 電路設計

  由于本設計的數(shù)據(jù)傳輸率高達300Mbit/s,而IDT70V9289的容量僅有1024kbit,所以必須采取邊讀邊寫的方式緩沖數(shù)據(jù)。但是,IDT70V9289并不允許雙端口對同一地址同時進行讀和寫,也沒有像以前的SRAM(如IDT7024)那樣設計操作忙邏輯,而是制定了一套讀寫規(guī)則。由于這套讀寫規(guī)則比較復雜,為了降低時序關系的復雜度,本設計將IDT70V9289分成容量相等的二個區(qū)域,把地址預存入Virtex-II XC2V250和CY7C68013的RAM中。

  當CY7C68013向Virtex-II XC2V250傳輸數(shù)據(jù)時,將Virtex-II XC2V250和IDT70V9289的片選端置低電平以啟動這二個電路,然后再向IDT70V9289發(fā)送數(shù)據(jù),同時通過CLKOUT端向Virtex-II XC2V250的CLKIN發(fā)送時鐘,以使Virtex-II XC2V250定時讀取數(shù)據(jù);當CY7C68013發(fā)送512kbit后,即改變A0R-A15R引腳的值,同時Virtex-II XC2V250也通過內置計數(shù)器定時改變A0L-A15L引腳的值,從而將CY7C68013的二個存儲區(qū)域交換過來,然后再按上述方式進行讀寫,如此循環(huán)下去。只要讀和寫的平均速率保持一致,就可以保證數(shù)據(jù)可靠傳輸。應用電路框圖如圖4所示。這樣做不但充分利用了二個端口可同時進行存取操作的特點,而且巧妙地避免了同時對同一地址進行讀寫操作的沖突,從而達到了設計要求。

  當Virtex-II XC2V250向CY7C68013傳輸數(shù)據(jù)時,也可以通過片選端啟動CY7C68013和IDT70D9289,其余過程與上面所述類似,不過由于CY7C68013有內置時鐘,為了保持時間一致,此時的時鐘仍由CY7C68013提供。

  結論

  IDT70V9289是IDT公司新推出的高速同步雙口靜態(tài)存儲器,其容量為64k×16bit,具有設計簡單,應用靈活等特點。



 

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