1月10日消息，知情人士透露，為2012年做準(zhǔn)備的TD-LTE雙模終端芯片的MTnet測(cè)試已結(jié)束，包括聯(lián)芯科技等在內(nèi)的3家廠商通過(guò)了測(cè)試，即將參加第二階段的TD-LTE規(guī)模技術(shù)試驗(yàn)，今年預(yù)計(jì)將把TD-LTE芯片下行速率提高至最高150兆/秒。

    據(jù)悉，截至2011年12月，由工信部與中國(guó)移動(dòng)(微博)組織的TD-LTE規(guī)模技術(shù)試驗(yàn)，已完成第一階段測(cè)試，第二階段測(cè)試已經(jīng)開(kāi)始布局，計(jì)劃于今年第一季度開(kāi)始，目前正在選擇城市范圍，傳將增加4個(gè)城市參與TD-LTE規(guī)模技術(shù)試驗(yàn)。

    參與測(cè)試的大唐電信集團(tuán)旗下聯(lián)芯科技透露，2011年舉行的TD-LTE第一階段測(cè)試主要是采用單模終端，而第二階段已確定普遍采用多模終端測(cè)試，這被認(rèn)為是我國(guó)無(wú)線通信由3G邁向4G的重要技術(shù)驗(yàn)證階段。

    目前，聯(lián)芯科技等3家廠商已于12月底成功通過(guò)各項(xiàng)技術(shù)測(cè)試，成為首批入圍MTnet測(cè)試第二階段雙模技術(shù)驗(yàn)證的芯片廠商。另兩家可能為海思和創(chuàng)毅視訊。

    已知的消息是，聯(lián)芯科技采用的TD-LTE/TD-SCDMA雙模解決方案DTivy1760是單芯片雙模方案，可以支持雙模重選、自動(dòng)切換功能，同時(shí)可以帶來(lái)成本的優(yōu)化和功耗的降低。

    據(jù)悉，基于該方案的TD-LTE/TD-SCDMA一款雙模測(cè)試數(shù)據(jù)卡產(chǎn)品LC5760也參與到MTnet內(nèi)場(chǎng)和外場(chǎng)測(cè)試，已可滿足TD-LTE組網(wǎng)的各項(xiàng)指標(biāo)要求，基本性能或達(dá)到早期商用要求。

    在LTE未來(lái)的規(guī)劃上，聯(lián)芯科技表示將推出更加先進(jìn)工藝的LTE芯片，可支持TD-LTE/FDDLTE/TD-SCDMA/GGE多模自動(dòng)切換，支持下行150兆/秒，上行50兆/秒的數(shù)據(jù)吞吐率，更能滿足國(guó)際市場(chǎng)開(kāi)拓需求。