全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、μ8FL及SOIC-8封裝， 為計(jì)算機(jī)和游戲機(jī)應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。 

新系列的MOSFET利用安森美半導(dǎo)體獲市場(chǎng)驗(yàn)證的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗[RDS(on)]及更高的開關(guān)性能，用于個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)、服務(wù)器、游戲機(jī)、處理器穩(wěn)壓電源(VRM)及負(fù)載點(diǎn)(POL)應(yīng)用中的同步直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器。直接替代NTD48x、NTMFS48x及NTMS48x系列的DPAK、SO-8FL及SOIC-8封裝方案，以及新的μ8FL 3.3 mm x 3.3 mm封裝方案，就其封裝尺寸而言，提供業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通阻抗。  

 安森美半導(dǎo)體功率MOSFET產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說(shuō)：“計(jì)算機(jī)和游戲機(jī)領(lǐng)域的電源管理設(shè)計(jì)工程師能夠利用安森美半導(dǎo)體最新的30 V溝槽MOSFET方案提升總能效。我們利用電源管理及封裝技術(shù)專長(zhǎng)，為我們的客戶提供多種方案，以應(yīng)對(duì)提升能效及節(jié)省空間等設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。” 

 安森美半導(dǎo)體的新MOSFET采用先進(jìn)的封裝系列，具有優(yōu)化的低門電荷及低導(dǎo)通阻抗，提升開關(guān)性能及系統(tǒng)總能效。所有器件均為無(wú)鉛、無(wú)鹵素器件，且符合RoHS指令。 

 器件及封裝 

NTD49x系列32至79安培(A)器件包括NTD4904N、NTD4905N、NTD4906N、NTD4909N、NTD4910N及NTD4913N。這些器件采用6.7 mm x 10.4 mm DPAK封裝，每10,000片批量的預(yù)算單價(jià)為0.28至0.50美元。 

 NTMFS49x系列35至166 A器件包括NTMFS4935N、NTMFS4936N、NTMFS4937N、NTMFS4939N、NTMFS4941N、NTMFS4943N及NTMFS4945N。 NTMFS4933N將于2010年初之前推出。這些器件采用5 mm x 6 mm SO8FL封裝，每10,000片批量的預(yù)算單價(jià)為0.26至0.50美元。 

NTTFS49x系列34至79 A器件包括NTTFS4932N、NTTFS4937N、NTTFS4939N、NTTFS4941N、NTTFS4943N及NTTFS4945N。這些器件采用3.3 mm x 3.3 mm μ8FL封裝，每10,000片批量的預(yù)算單價(jià)為0.30至0.60美元。 

NTMS49x系列12.5至17 A器件包括NTMS4920N、NTMS4935N、NTMS4937N及NTMS4939N。這些器件采用5 mm x 6 mm SOIC-8封裝，每10,000片批量的預(yù)算單價(jià)為0.30至0.80美元。