恩智浦半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NXPI）今日推出業(yè)內(nèi)首款2 mmx 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤(pán)的超薄DFN （分立式扁平無(wú)引腳）封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤(pán)提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無(wú)引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。

    即將面世的新型PMPB11EN和PMPB20EN30V N溝道MOSFET是采用恩智浦DFN2020MD-6 (SOT1220) 封裝的20多類(lèi)器件中率先推出的兩款產(chǎn)品。這兩款MOSFET的最大漏極電流(ID)大于10A，10V時(shí)的超低導(dǎo)通電阻Rds(on)分別為12 mOhm（典型值）和16.5 mOhm（典型值），因此導(dǎo)通損失小，功耗更低，電池使用壽命更長(zhǎng)。

     新型DFN2020 MOSFET高度僅為0.6毫米，比當(dāng)今市場(chǎng)上大多數(shù)2 mmx 2 mm的產(chǎn)品更加輕薄，是智能手機(jī)和平板電腦等便攜應(yīng)用設(shè)備中超小型負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源轉(zhuǎn)換器和充電開(kāi)關(guān)的理想之選。該款MOSFET還適用于其他空間受限應(yīng)用，其中包括直流電機(jī)、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通信以及LED照明，在這類(lèi)應(yīng)用中功率密度和效率尤為關(guān)鍵。DFN2020的封裝尺寸僅為標(biāo)準(zhǔn)SO8封裝的八分之一，提供與其相當(dāng)?shù)臒嶙?，能夠代替具有相同?dǎo)通電阻Rds(on)值范圍的許多大型MOSFET封裝，如SO8封裝、3 mmx 3 mm封裝或TSSOP8封裝。

    新型MOSFET提升了恩智浦超小型無(wú)引腳MOSFET產(chǎn)品線，截止到今年年末將有超過(guò)60種封裝，封裝尺寸為2 mmx 2 mm或1 mmx 0.6 mm。如今，恩智浦是超小型低導(dǎo)通電阻Rds(on) MOSFET的主要生產(chǎn)商，提供電平場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)和雙極晶體管技術(shù)。

    有關(guān)恩智浦新型DFN2020 MOSFET的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.nxp.com/ultra-small-mosfets

鏈接

·          PMPB11EN - Nch 30 V VDS、20 V VGS、12 mOhm典型RDSon（10 V時(shí)）：http://www.nxp.com/pip/PMPB11EN

·         PMPB20EN - Nch 30 V VDS、20 V VGS、16.5 mOhm典型RDSon（10 V時(shí)）：http://www.nxp.com/pip/PMPB20EN

·          DFN2020MD-6封裝：http://www.nxp.com/packages/SOT1220.html

·          視頻：首款2x2mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤(pán)的MOSFET：http://www.youtube.com/watch?v=QnEWyTKjqZk

關(guān)于恩智浦半導(dǎo)體

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其領(lǐng)先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數(shù)字處理方面的專長(zhǎng)，提供高性能混合信號(hào)（High Performance Mixed Signal）和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品解決方案。這些創(chuàng)新的產(chǎn)品和解決方案可廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、智能識(shí)別、無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、照明、工業(yè)、移動(dòng)、消費(fèi)和計(jì)算等領(lǐng)域。公司在全球逾25個(gè)國(guó)家都設(shè)有業(yè)務(wù)執(zhí)行機(jī)構(gòu)，2011年公司營(yíng)業(yè)額達(dá)到42億美元。更多恩智浦相關(guān)信息，請(qǐng)登錄公司官方網(wǎng)站http://cn.nxp.com/查詢。