摘 要: 基于上華0.5 μm工藝設(shè)計(jì)了用于DC/DC的CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器,其輸入電壓為3.3 V,輸出電壓為1.2 V,最大輸出電流為100 mA; 提出了一種補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),保證負(fù)載電流發(fā)生變化時(shí),LDO具有高穩(wěn)定性。此外,還設(shè)計(jì)了一種瞬態(tài)響應(yīng)改善電路來提高負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。仿真結(jié)果表明,該 LDO在不同負(fù)載情況下的相位裕度均為80°,流片測(cè)試結(jié)果顯示瞬態(tài)響應(yīng)良好。
關(guān)鍵詞: 補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò); 低壓差; 瞬態(tài)響應(yīng)
眾所周知,穩(wěn)定性是低壓差線性穩(wěn)壓器的一個(gè)重要指標(biāo),傳統(tǒng)LDO通常采用ESR電阻與輸出電容串聯(lián)產(chǎn)生的零點(diǎn)來抵消次極點(diǎn)以保證穩(wěn)定性[1-4],但當(dāng)負(fù)載電流變化很大時(shí),次極點(diǎn)位置會(huì)發(fā)生顯著變化,導(dǎo)致ESR零點(diǎn)不能跟蹤極點(diǎn)的變化,從而影響LDO的穩(wěn)定性。而且如果在負(fù)載電流跳變瞬間,輸出電壓欠沖或過沖則會(huì)直接影響后續(xù)電路模塊的正常工作[5]。本文設(shè)計(jì)的LDO主要用于DC/DC中帶隙基準(zhǔn)參考源的輸出端,既可以達(dá)到濾波的目的,又可以提高輸出電壓的穩(wěn)壓精度。該LDO線性穩(wěn)壓器能夠在輸出端負(fù)載電流發(fā)生跳變時(shí),一方面保證其輸出具有良好的瞬態(tài)響應(yīng)能力,另一方面其環(huán)路增益和相位裕度不會(huì)發(fā)生太大變化。
1 補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)分析
圖1所示為本文提出的帶補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的LDO結(jié)構(gòu),其中VIN為DC/DC輸入端電壓(為3.3 V),VREF為帶隙基準(zhǔn)源提供的參考電壓(為1.2 V)。MP為P型調(diào)整管, M2~M5組成的負(fù)反饋可以將M1的漏極電壓箝位到與MP漏極電壓相同,從而使M1能夠準(zhǔn)確地感應(yīng)調(diào)整管MP的電流。當(dāng)負(fù)載電流增大時(shí),M1采樣到MP電流的變化,從而M2、M4電流增大,使得M4的Vgs增大, M6、M7電流增大,使得M8輸出電阻減少,從而M8與CC組成的零極點(diǎn)向高頻移動(dòng)。同理,當(dāng)輸出電流減少時(shí),M8電阻增大,與CC組成的零極點(diǎn)向低頻移動(dòng)。因此,M8相當(dāng)于一個(gè)可調(diào)電阻,其阻值根據(jù)負(fù)載電流變化而變化,只要合理選擇電容CC和M8的尺寸就可以很好地跟蹤輸出端極點(diǎn),能夠起到補(bǔ)償穩(wěn)定性的作用。
2 LDO結(jié)構(gòu)分析
圖3所示為LDO的整體結(jié)構(gòu)圖。為了保證環(huán)路增益,誤差放大器的增益應(yīng)該設(shè)計(jì)得足夠大。該LDO誤差放大器采用對(duì)稱式共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu),能夠在很大程度上提高LDO的環(huán)路增益。由于LDO第二級(jí)采用的是PMOS形式的Buffer結(jié)構(gòu),對(duì)輸出電壓有一定的下拉作用,從而對(duì)負(fù)載電流增大導(dǎo)致的輸出電壓下跳具有改善作用,所以該瞬態(tài)響應(yīng)改善電路主要是解決負(fù)載電流下降導(dǎo)致輸出電壓上跳的情況。圖中虛線框?yàn)楸疚奶岢龅乃矐B(tài)響應(yīng)改善電路,由于M28與M29之間存在固有的失調(diào),當(dāng)負(fù)載電流保持不變或減少時(shí),Q點(diǎn)為高電平,M30導(dǎo)通,通過M10向VG點(diǎn)注入電流,MP的柵極電壓增大,使得輸出電壓VOUT減小,從而減少了由于負(fù)載電流跳變而導(dǎo)致的上沖電壓;當(dāng)負(fù)載電流增大時(shí),輸出電壓下降,此時(shí)Q點(diǎn)為低電平,M30關(guān)閉,對(duì)電路沒有影響。
由第1節(jié)的分析可知,當(dāng)負(fù)載電流增大時(shí),次極點(diǎn)p2向高頻移動(dòng),通過反饋使得A點(diǎn)電壓下降,由于感應(yīng)電容CF的存在,C點(diǎn)能快速跟隨A點(diǎn)變化,從而C點(diǎn)電壓以及M8的柵極電壓下降,導(dǎo)致M8的輸出電阻下降,從而z1瞬間向高頻移動(dòng),同理,當(dāng)負(fù)載電流減少時(shí),次極點(diǎn)p2向低頻移動(dòng),通過反饋使得A點(diǎn)電壓上升,通過CF,C點(diǎn)能快速跟隨A點(diǎn)變化,從而M8的柵極電壓升高,導(dǎo)致M8的輸出電阻增大,從而z1瞬間向低頻移動(dòng)。所以,通過感應(yīng)電容CF,補(bǔ)償零點(diǎn)z1能夠快速地跟隨p2,而不是經(jīng)過M1~M7組成的負(fù)反饋,就能夠快速地補(bǔ)償負(fù)載電流跳變而帶來的穩(wěn)定性問題。由于CF只有300 fF,所以對(duì)系統(tǒng)穩(wěn)定性的影響可以忽略不計(jì)。
3 仿真和測(cè)試結(jié)果
圖4為負(fù)載電流分別為1 mA和100 mA時(shí)的LDO穩(wěn)定性仿真圖。當(dāng)負(fù)載電流為1 mA時(shí),輸出極點(diǎn)和補(bǔ)償零點(diǎn)處在低頻處;當(dāng)負(fù)載電流為100 mA時(shí),補(bǔ)償零點(diǎn)跟隨輸出極點(diǎn)移到高頻處,環(huán)路增益和相位裕度分別為82 dB和80°。
圖5為LDO改進(jìn)前后負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)仿真結(jié)果對(duì)比,圖中上面波形為改進(jìn)前(即未加瞬態(tài)響應(yīng)提高電路)的LDO輸出電壓,中間波形為改進(jìn)后(即加了瞬態(tài)響應(yīng)提高電路)的LDO輸出電壓,下面波形為負(fù)載電流。由圖5可知,改進(jìn)前的欠沖電壓(undershoot)和過沖電壓(overshoot)分別為199 mV和154 mV左右,改進(jìn)后分別為81 mV和80 mV。
圖6為LDO負(fù)載電流在變化范圍50 mA~100 mA時(shí)瞬態(tài)響應(yīng)測(cè)試結(jié)果,圖中上面波形為LDO的輸出電壓,下面波形為負(fù)載電流。由圖6可知,負(fù)載電流從100 mA跳變到50 mA時(shí),輸出電壓過沖電壓為50 mV左右;負(fù)載電流從50 mA跳變到100 mA時(shí),輸出電壓欠沖61 mV。
圖7為LDO負(fù)載電流在變化范圍1 mA~100 mA時(shí)的瞬態(tài)響應(yīng)測(cè)試結(jié)果,圖中上面波形為LDO的輸出電壓,下面波形為負(fù)載電流。由圖7可知,負(fù)載電流從1 mA跳變到100 mA時(shí),輸出電壓欠沖電壓為88 mV左右;負(fù)載電流從100 mA跳變到1 mA時(shí),輸出電壓過沖97 mV。
在tt corner下,LDO參數(shù)仿真和測(cè)試的結(jié)果統(tǒng)計(jì)如表1所示。
通過以上分析和仿真結(jié)果可知,采用本文設(shè)計(jì)的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)和瞬態(tài)響應(yīng)改善電路獲得了高穩(wěn)定性和快速瞬態(tài)響應(yīng)的低壓差線性穩(wěn)壓器,當(dāng)負(fù)載電流在1 mA~100 mA變化時(shí),LDO的相位裕度始終保持在80°左右,而且電源抑制比(PSRR)良好。通過樣片測(cè)試可知,undershoot和overshoot電壓都小于100 mV。因此,本文提出的瞬態(tài)響應(yīng)改善電路和補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)對(duì)LDO的性能有很大程度的提高。
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