2014年是 DRAM 產(chǎn)業(yè)獲利頗為豐收的一年。受惠于全球智慧型手機持續(xù)熱銷，一線DRAM大廠紛紛轉(zhuǎn)進行動式記憶體； TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 預估， 2014年行動式記憶體將占整體DRAM產(chǎn)出的36%，2015年更有機會突破40%大關(guān)。

    DRAMeXchange 研究協(xié)理郭祚榮表示，拜行動式記憶體需求暢旺所賜，標準型記憶體產(chǎn)出相對減少，反倒讓模組價格始終維持在高價水位，2014年4GB模組均價約32美元， 標準型記憶體毛利率平均達40%以上。各DRAM廠朝向全面獲利的狀態(tài)，寡占市場格局與需求端的市場變化都將牽動2015年DRAM產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展。

DRAMeXchange 預測 2015年 DRAM 產(chǎn)業(yè)五大市場趨勢如下：

(1) DRAM成長趨緩但各廠皆以獲利為優(yōu)先

    DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)為寡占市場結(jié)構(gòu)，僅存的三大DRAM廠皆以獲利導向為優(yōu)先，謹慎控制產(chǎn)出與產(chǎn)品類別的調(diào)整，加上全球智慧型手機持續(xù)維持高度成長，亦 讓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向行動式記憶體，擠壓到標準型記憶體的產(chǎn)出，讓標準型記憶體市場價格維持高價水位，儼然成為DRAM廠的金雞母，因此在獲利方面都交出亮眼的成績 單。DRAMeXchange預估 2015年的DRAM產(chǎn)值將達541億美元，年成長為16%，為市場穩(wěn)定成長獲利的一年。

(2) 三星與SK海力士皆有新廠完工，視市場需求動態(tài)調(diào)整產(chǎn)能

    三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)不約而同在2014年宣布擴建新廠的消息，產(chǎn)能競賽再起的傳聞甚囂塵上，但 DRAMeXchange指出，事實上三星在擴建Line17的同時，Line16 DRAM產(chǎn)能已悄悄縮減并歸還給NAND事業(yè)部使用。而SK海力士M14預計在明年第四季才有少量投片，較大規(guī)模的投片將在2016年才會浮現(xiàn)。

    整體而言，DRAMeXchange認為由于市場的需求仍會持續(xù)成長，工廠只是為未來需求而興建，只要投片產(chǎn)出是有計劃性的，后續(xù)價格雖然會逐季下降，但只要制程轉(zhuǎn)進持續(xù)進行，DRAM廠獲利仍能夠保持在現(xiàn)有水位。

(3) 行動式記憶體躍居主流，LPDDR4明年現(xiàn)身

    2014年智慧型手機走入平價化，不少高規(guī)低價機種在全球市場攻城掠地，讓新興市場掀起一股智慧型手機的換機潮。 郭祚榮表示，在智慧型手機市場不停擴大的同時，2015年行動式記憶體市占也逼近全球市場的40%，相較于標準型記憶體27%的占比，行動式記憶體已躍升 全球DRAM市場主流產(chǎn)品。

    另一方面，從行動式記憶體做觀察，2015年主流規(guī)格仍是LPDDR3，產(chǎn)出量達60%以上，而新規(guī)格LPDDR4將在明年首度應用在旗艦智慧型手機機種，無論省電機制與時脈更勝LPDDR3，預計2015年市占率將達到15%。

(4) 20nm成為主戰(zhàn)場，然而資本支出增加將讓制程轉(zhuǎn)進趨緩

    韓系DRAM廠25nm制程在2014年下半年已邁入成熟期，無論良率與投片規(guī)模都成為DRAM主流規(guī)格。至于20nm制程，三星已進入驗證階 段，SK海力士預計在明年第二季初進入市場；相較之下，美光(Micron)目前規(guī)劃只有華亞科才有20nm制程的標準型記憶體，轉(zhuǎn)進進度較兩大韓廠落 后，目標2015年底達到80K投片量。

    DRAMeXchange表示，由于進入20nm制程需要更多的設(shè)備來生產(chǎn)，意味著需要更多的資本支出，然而在獲利導向下，各廠20nm制程的轉(zhuǎn)進比重將會趨緩。

(5) 2015年年底伺服器用DDR4市占有望突破50%大關(guān)

    在英特爾(Intel)強勢主導與DRAM廠的全力配合下，DDR4記憶體將在伺服器領(lǐng)域率先切入。郭祚榮表示，伺服器記憶體除了穩(wěn)定性的要求外， 近期更著墨于低電壓與速度兼顧。根據(jù)JEDEC的規(guī)范，DDR4電壓值僅有1.2V，未來速度更可高達3200Mhz。而價格部分也正與伺服器用DDR3 逐步貼近，DRAMeXchange預計DDR4最快于2015年底取代DDR3，正式成為伺服器市場記憶體主流。