8月11日消息，據(jù)韓國媒體ZDNet報(bào)道，SK 海力士在 1c DRAM 制造方面取得重大進(jìn)展，首次使用了6層EUV光刻，這將使 DDR5 和 HBM 產(chǎn)品的性能和良率更上一層樓，并使該公司成為該領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。

報(bào)道稱，10nm級(jí)的DRAM已經(jīng)開始引入了EUV光刻技術(shù)，但通常只有很少的關(guān)鍵層數(shù)應(yīng)用，絕大部分依然是DUV光刻。但是，SK海力士在其1c制程DRAM制造上，首次升級(jí)到了6層EUV光刻，這將有助于提升產(chǎn)品的性能和良率，使得SK海力士能夠推出存儲(chǔ)位元更密集、讀寫速度更快、功耗更低的DDR5內(nèi)存以及更高容量的HBM堆棧。此前的傳聞顯示，SK海力士的 1c DRAM 已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了 80%-90% 的良率。

雖然，目前SK海力士的1c DRAM尚未應(yīng)用于任何傳統(tǒng)的消費(fèi)類內(nèi)存解決方案，但 SK 海力士正在探索各種選擇，我們很可能會(huì)看到更大容量的 DDR5和HBM。預(yù)計(jì)SK海力士將會(huì)在 1d 和 0a DRAM 等下一代產(chǎn)品上更多的使用EUV光刻，最終將為使用更先進(jìn)的High NA EUV奠定基礎(chǔ)。