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全球芯片TOP 20最新榜單出爐
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SK海力士將1c DRAM制造引入六層EUV工藝
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SK海力士預言HBM市場未來十年年增30%
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閃迪就HBF高帶寬閃存結盟SK海力士
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SK海力士HBM4定價曝光 較HBM3E溢價最高70%
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三星DDR4停產時間延后至2026年底
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2025年全球十大半導體廠商資本支出將達1350億美元
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DDR4內存價格已反超DDR5一倍
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SK海力士全球最大存儲芯片廠商地位更加穩(wěn)固
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三大巨頭停產引發(fā)搶貨潮 國產存儲緊急重啟DDR4產線
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SK海力士年內供應24Gb GDDR7 專供英偉達RTX 50 SUPER顯卡
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英特爾下代AI芯片將采用SK海力士HBM4
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三星電子加入SOCAMM內存模塊戰(zhàn)場
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三星電子1c nm DRAM內存工藝開發(fā)完成
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英偉達在SK海力士HBM內存銷售額占比降至80%
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美國擬撤銷對三星/SK海力士/臺積電在華晶圓廠“豁免”
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SK海力士已向英偉達小批量供應HBM4
發(fā)表于：6/20/2025 2:59:12 PM
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SK海力士暫緩1c DRAM內存量產設備采購
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美光與SK海力士等美國建廠計劃受阻
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任天堂Switch 2拆解：關鍵芯片供應商曝光
發(fā)表于：6/11/2025 1:52:11 PM
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SK海力士發(fā)布未來30年新DRAM技術路線圖
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2025Q1全球DRAM市場下滑5.5%
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五大NAND閃存廠Q1營收暴跌近1/4
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消息稱SK海力士計劃10月量產12Hi HBM4內存
發(fā)表于：5/28/2025 1:15:01 PM
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HBM4制造難度及成本將更高
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三星押注1c DRAM挑戰(zhàn)SK海力士HBM霸主地位
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SK海力士成功開發(fā)基于321層NAND閃存的UFS 4.1解決方案產品
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消息稱三星等5大原廠集體減產10~15%NAND
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三星電子和SK海力士正在加速將混合鍵合技術引入HBM4
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SK海力士DRAM顆粒大漲12%
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