存儲(chǔ)是電子產(chǎn)品中最重要的部分之一，它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。近年來(lái)，存儲(chǔ)芯片行業(yè)熱點(diǎn)話題不斷：三星在量產(chǎn)20nm DRAM之后DRAM還會(huì)繼續(xù)向下一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)嗎？LPDDR4在市場(chǎng)上的應(yīng)用進(jìn)程是什么樣的？移動(dòng)產(chǎn)品中eMCP將成為主流封裝形式嗎？汽車(chē)儲(chǔ)存器的演進(jìn)路線圖是什么？近日，全球主要存儲(chǔ)巨頭之一，美光分司舉辦“美光開(kāi)放日”活動(dòng)。美光高管分享對(duì)上述熱點(diǎn)問(wèn)題的看法。

20納米之后DRAM制程還做下去嗎？

隨著三星宣布正式產(chǎn)出20納米制程的LPDDR 4 DRAM，SK海力士也預(yù)定于今年第二季芳導(dǎo)入20納米量產(chǎn)，使DRAM的先進(jìn)制程技術(shù)，推進(jìn)至20納米世代。DRAM在制造技術(shù)上相比NAND閃存更加復(fù)雜，在業(yè)界早早開(kāi)始討論10nm層級(jí)NAND閃存技術(shù)之時(shí)，DRAM仍處于20nm時(shí)代。然而存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展無(wú)外乎更高性能、更高密度和更加節(jié)能。這些都有賴于先進(jìn)制程的進(jìn)步。

美光計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品事業(yè)部市場(chǎng)總監(jiān)AndreasSchlapka表示，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展是不斷進(jìn)步的，目前美光仍在研發(fā)20nm以下的DRAM芯片制造技術(shù)。不過(guò)，20納米以下制程是采用EUV還是采用傳統(tǒng)的多次曝光技術(shù)，AndreasSchlapka表示不便透露。

LPDDR4什么時(shí)候會(huì)成為市場(chǎng)主流？

三星日前剛發(fā)表采用20納米制程生產(chǎn)的8GB LPDDR4。與25納米制程的LPDDR3現(xiàn)有產(chǎn)品相比，速度快2倍，最高可節(jié)省40%的耗電量。使得LPDDR4產(chǎn)品的應(yīng)用受到關(guān)注。

美光移動(dòng)解決方案市場(chǎng)副總裁Reynette Au認(rèn)為，數(shù)據(jù)爆炸對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)品具有巨大影響，最初人們對(duì)數(shù)據(jù)的處理與流程方式是集成的，隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，移動(dòng)計(jì)算、大數(shù)據(jù)、云存儲(chǔ)越來(lái)越多地進(jìn)入人們的生活，分布式的存儲(chǔ)方案已經(jīng)成為發(fā)展方向。對(duì)于原有的存儲(chǔ)解決方案有了強(qiáng)烈的改進(jìn)需求。美光推出的LPDDR4，架構(gòu)可滿足全球最先進(jìn)移動(dòng)系統(tǒng)的功耗、帶寬、封裝、成本和兼容性要求。2014年到2017年間將經(jīng)歷一個(gè)LPDDR4從進(jìn)入市場(chǎng)到成為主流的過(guò)程。LPDDR3從2014年到2017年都將是出貨量最大的產(chǎn)品。LPDDR4于2015年進(jìn)入市場(chǎng)，出貨量不斷擴(kuò)大，但是預(yù)計(jì)到2017年之后才會(huì)成為主流。至于LPDDR5預(yù)計(jì)2017年才會(huì)進(jìn)入市場(chǎng)，但量不會(huì)很大。

高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的存儲(chǔ)器趨勢(shì)是什么？

汽車(chē)正在成為新的存儲(chǔ)器市場(chǎng)。隨著汽車(chē)電子的蓬勃發(fā)展，汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）都是業(yè)界最為關(guān)注的市場(chǎng)。它的存儲(chǔ)器需求趨勢(shì)是什么？

美光嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)市場(chǎng)總監(jiān)Amit Gattani在預(yù)測(cè)信息娛樂(lè)系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求趨勢(shì)時(shí)指出，用5年前用于存儲(chǔ)代碼的存儲(chǔ)器為256Mb的pNOR，海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于2Gb SLC或32GB硬盤(pán)中?，F(xiàn)在的大體情況是，代碼存于1Gb的pNOR或在eMMC中，海量數(shù)據(jù)存于4GB至64GB emmc中或采用240GB的硬盤(pán)。未來(lái)，存儲(chǔ)代碼將采用高達(dá)2Gb的NOR或在eMMC中，海量存儲(chǔ)采用4GB至128GB的emmc或高達(dá)480GB的固態(tài)硬盤(pán)。對(duì)于易失性存儲(chǔ)，5年前的方案是1GB的DDR2 DRAM，現(xiàn)在為4GB DDR3，未來(lái)5年后將采用8GB的LPDDR4。

在預(yù)測(cè)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)的存儲(chǔ)方案發(fā)展趨勢(shì)時(shí)，Amit Gattani認(rèn)為，非易失性存儲(chǔ)器5年前的主流方案是32Mb的sNOR，現(xiàn)在是≥128Mb QSPI，未來(lái)將采用高達(dá)512Mb QSPI或Octal存儲(chǔ)代碼，采用8GB至16GB eMMC進(jìn)行海量存儲(chǔ)。在易失性存儲(chǔ)器方面，5年前DRA

TLC會(huì)在高端手機(jī)上應(yīng)用？

TLC閃存在進(jìn)入客戶端市場(chǎng)已逾兩年。目前，TLC主要應(yīng)用于U盤(pán)、低成本智能手機(jī)與客戶端固態(tài)硬盤(pán)(SSD)之中。MLC應(yīng)用在智能手機(jī)、平板和SSD ，以及可能用于一些越來(lái)越普及的Android智能手機(jī)中；而SLC則持續(xù)用于機(jī)頂盒(STB)、數(shù)字相機(jī)、打印機(jī)與移動(dòng)終端等消費(fèi)應(yīng)用中。不過(guò)，市調(diào)公司Forward Insights首席分析師Gregory Wong指出，市場(chǎng)上目前已經(jīng)看到iPhone 6開(kāi)始采用，預(yù)計(jì)它將在2015年至2016年向高端智能手機(jī)與企業(yè)數(shù)據(jù)中心SSD滲透。SLC、MLC與TLC的市場(chǎng)應(yīng)用趨勢(shì)是業(yè)界關(guān)注的熱點(diǎn)。

美光移動(dòng)解決方案市場(chǎng)副總裁Reynette Au認(rèn)為，這三類(lèi)產(chǎn)品的最存在機(jī)會(huì)與應(yīng)用市場(chǎng)，存儲(chǔ)產(chǎn)品總體的方向是追求更低的成本與功耗，但是同時(shí)很多市場(chǎng)也十分關(guān)注可靠性。因此這就需求一個(gè)平衡。采用何種方案將根據(jù)客戶的需求而定。