8 月 12 日消息，美光首席商務(wù)官 (CBO) Sumit Sadana 在出席美國當(dāng)?shù)貢r間昨日舉行的 2025 年 Keybanc 技術(shù)大會時表示，定制 HBM 內(nèi)存將在 HBM4 后的 HBM4E 時代正式落地。

Sumit Sadana 提到，從 HBM4 開始 HBM4 內(nèi)存基礎(chǔ)芯片 Base Die 采用邏輯 CMOS 制程，現(xiàn)階段該芯片主要包含內(nèi)存接口 IP；而在 HBM4E 世代一些客戶希望將 AI xPU 的特定功能電路卸載到 HBM 的 Base Die 中，提升 xPU 的芯片面積利用率，而這就誕生了所謂的“定制 HBM 內(nèi)存”。

這一轉(zhuǎn)變意味著 HBM 內(nèi)存不再僅是 AI xPU 的片外緩存拓展，亦是 xPU 邏輯功能的組成部分，定制 HBM 內(nèi)存無法與 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) HBM 直接兼容。

另一方面，HBM 基礎(chǔ)芯片的定制過程非常昂貴，因此除了英偉達(dá)這樣的 AI 芯片霸主外大多數(shù) xPU 企業(yè)沒有足夠資源就單個芯片與三大 HBM 內(nèi)存原廠同時建立定制合作，這意味著其定制 HBM 供應(yīng)被迫鎖定在一至二家原廠上。

這一供需結(jié)構(gòu)變化將深刻改變 HBM 內(nèi)存市場，形成大量“特供”定制 HBM 合作。

美光同日宣布將 2025 財年第四財季（注：截至 8 月 28 日）的財務(wù)數(shù)據(jù)指引全面上調(diào)，其中營收從 107±3 億美元增至 112±1 億美元。Sumit Sadana 在解釋數(shù)據(jù)變化時表示，美光并未改變對出貨量的預(yù)期，營收指引提升與平均單價的走高有關(guān)，而這受 AI 與數(shù)據(jù)中心需求強(qiáng)勁、HBM 擠壓非 HBM 的 DRAM 產(chǎn)能影響。