飛兆半導(dǎo)體150V低RDS(ON) MOSFET在隔離DC-DC應(yīng)用中實現(xiàn)更高性能
2010-07-22
作者:飛兆半導(dǎo)體
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200,以滿足DC-DC設(shè)計人員對具有較低開關(guān)損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產(chǎn)品的需求。該器件利用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的工藝技術(shù)和封裝技術(shù),以及系統(tǒng)專有技術(shù),并采用5mm x 6mm MLP封裝,具有效率高、功耗較低和散熱較少的特性。
FDMS86200使用屏蔽柵極MOSFET技術(shù)來設(shè)計,具有較低的開關(guān)噪聲和振鈴噪聲,有助于降低EMI。如果沒有這項專有技術(shù)功能,設(shè)計人員則需被迫選擇一個200V MOSFET器件,從而令到RDS(ON)增加一倍,導(dǎo)致總體效率降低。飛兆半導(dǎo)體的FDMS86200 還帶有經(jīng)改進(jìn)的體二極管,能夠通過減少損耗來提升開關(guān)性能。
飛兆半導(dǎo)體公司提供最廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列,讓設(shè)計人員能夠選擇多種技術(shù),找到滿足應(yīng)用需求的合適MOSFET。飛兆半導(dǎo)體擁有獨特的功能、工藝和封裝創(chuàng)新及總體系統(tǒng)專有技術(shù)之組合,而其MOSFET產(chǎn)品系列具有廣泛的擊穿電壓范圍(20V-1000V),以及從1mm x 1.5mm WL-CSP到20mm x 26mm TO264封裝的先進(jìn)封裝技術(shù),能夠推動電子制造商實現(xiàn)更出色的創(chuàng)新。
價格: 訂購1,000個,單價為1.92美元
供貨: 現(xiàn)提供樣品
交貨期 :收到訂單后12至15周
編輯注:
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飛兆半導(dǎo)體公司簡介
美國飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor;紐約證券交易所代號:FCS) - 全球營運、本地支持、創(chuàng)新觀念。飛兆半導(dǎo)體專為功率及便攜設(shè)計提供高能效、易于應(yīng)用及高增值的半導(dǎo)體解決方案。我們幫助客戶開發(fā)差異化的產(chǎn)品,并以我們在功率和信號路徑產(chǎn)品上的專業(yè)知識解決他們遇到的困難技術(shù)挑戰(zhàn)。查詢更多信息,請訪問網(wǎng)站:www.fairchildsemi.com。