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Vishay Siliconix推出業(yè)界面積最小、厚度最薄的N溝道芯片級功率MOSFET

Si8800EDB具有0.64mm2的超小外形和0.357mm的厚度
2010-07-29
作者:Vishay公司
關(guān)鍵詞: Si8800EDB Vishay公司

    賓夕法尼亞、MALVERN— 2010 年7 月29 日— 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET --- Si8800EDB,該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT®Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度,可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。

    隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧,器件的尺寸成為選擇器件的重要因素,因?yàn)榘存I和電池占用了大部分空間,使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和厚度,比同樣采用芯片級封裝的尺寸第二小的N溝道器件小36%,薄11%,能夠?qū)崿F(xiàn)更加小巧且功能更多的終端產(chǎn)品。

    由于采用無封裝技術(shù)且增大了管芯面積,Si8800EDB的芯片級封裝提供了單位面積上極低的導(dǎo)通電阻。MOSFET在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的最大導(dǎo)通電阻分別為80mΩ、90mΩ、105mΩ和150mΩ。

    新器件的典型應(yīng)用包括負(fù)載開關(guān)和手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器和智能手機(jī)等便攜式設(shè)備中的小信號(hào)切換。Si8800EDB的低導(dǎo)通電阻可延長這些產(chǎn)品中兩次充電之間的電池壽命。

    Si8800EDB的典型ESD保護(hù)為1500V,符合RoHS指令2002/95/EC,符合IEC 61249-2-21定義的無鹵素規(guī)范。

    新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,將在2010年第二季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十六周。

VISHAY簡介

    Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)(二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選IC)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。(這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備)。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。

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