《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 模擬設(shè)計(jì) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器
基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器
摘要: 而通過選擇合適的功率放大器晶體管并設(shè)計(jì)合適放大器的偏置電路和開關(guān)控制信號(hào),完全可以滿足國(guó)家提出的標(biāo)準(zhǔn),甚 ...
Abstract:
Key words :

  TD-SCDMA(時(shí)分同步碼分多址接入)是第三代移動(dòng)通信三大主流標(biāo)準(zhǔn)之一,是我國(guó)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的通信標(biāo)準(zhǔn),它標(biāo)志著中國(guó)在移動(dòng)通信領(lǐng)域已經(jīng)進(jìn)入世界先進(jìn)行列,目前,TD-SCDMA的商用化進(jìn)程正在順利地進(jìn)行之中[1]。TD-SCDMA系統(tǒng)采用的是QPSK/8PSK調(diào)制,在高速的數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用中,更是采用了如16QAM這樣的調(diào)制方式。這些調(diào)制方式都屬于非恒包絡(luò)調(diào)制。由于調(diào)制信號(hào)在幅度和相位上都存在誤差,用單純的相位誤差和頻率誤差已不足以反映信號(hào)的調(diào)制精度,于是引入了誤差矢量幅度(EVM)指標(biāo)來衡量傳輸信號(hào)的質(zhì)量。在現(xiàn)代移動(dòng)通信系統(tǒng)中,EVM是衡量射頻功率放大器性能的重要指標(biāo)之一[2-3]。在頻分雙工模式的移動(dòng)通信系統(tǒng)中,由于收發(fā)信的頻率是不同的,因此射頻功率放大器與接收機(jī)同時(shí)處于工作狀態(tài),影響射頻功率放大器EVM性能的主要因素是功率放大器的非線性特性以及傳輸信號(hào)的峰均比等。而在TD-SCDMA移動(dòng)通信系統(tǒng)中,由于采用時(shí)分雙工模式,收發(fā)信機(jī)不能同時(shí)工作,即用于發(fā)射信號(hào)的射頻功率放大器根據(jù)系統(tǒng)要求分時(shí)工作[4]。除上述因素會(huì)影響射頻功率放大器的EVM指標(biāo),本文通過對(duì)基于 Freescale 生產(chǎn)的LDMOS 晶體管MW6IC2240構(gòu)成的射頻功率放大器研究,以及建立相應(yīng)的電路模型,主要研究了射頻功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)上升時(shí)間對(duì)其EVM性能的影響,根據(jù)仿真和測(cè)試結(jié)果,得到在TDD模式下影響射頻功率放大器EVM性能的電路參數(shù),提出了改進(jìn)的TD-SCDMA射頻功率放大器電路系統(tǒng)設(shè)計(jì),其EVM性能接近頻分雙工模式下的性能。

  TD-SCDMA射頻功率放大器

  TD-SCDMA不同于WCDMA、CDMA2000等第三代移動(dòng)通信體制,它采用了TDD模式,它的接收和發(fā)射是在同一個(gè)頻率下分時(shí)進(jìn)行的,這就需要用開關(guān)來保證通信系統(tǒng)收發(fā)信號(hào)的正常切換。因此,時(shí)分雙工模式下的TD-SCDMA射頻功率放大器也不同于WCDMA和CDMA2000系統(tǒng)中的射頻功率放大器的工作狀態(tài),而是工作在時(shí)分雙工模式下,即只在系統(tǒng)發(fā)射信號(hào)的時(shí)隙內(nèi)工作,在其他時(shí)隙內(nèi)必須關(guān)閉,以避免系統(tǒng)自激。這不僅保證了系統(tǒng)的有序運(yùn)行,也提高了系統(tǒng)效率和頻譜利用率。

  射頻功率放大器的工作狀態(tài)是由其偏置來決定的。如果給功率放大器加一個(gè)固定的偏置電壓,則其一直處于導(dǎo)通狀態(tài),這里定義為常開模式;而要使功率放大器工作在時(shí)分雙工模式下,可以通過控制功率放大器柵極偏置電壓來實(shí)現(xiàn),該控制信號(hào)根據(jù)TD-SCDMA的物理信道信號(hào)特點(diǎn)來產(chǎn)生。

  這里用Freescale的LDMOS功率放大晶體管MW6IC2240設(shè)計(jì)了一個(gè)輸出功率為2W的三載波TD-SCDMA功率放大器。MW6IC2240的功能框圖如圖1所示,它包含了兩級(jí)放大,其飽和輸出功率大于40W。

  

  

  圖1中的VDS1和VDS2是功率放大器的漏極供電,這里加28V的固定電壓;VGS1和VGS2則是功率放大器柵極供電端,分別給其加上固定電壓和受系統(tǒng)控制的偏置電壓就能使其分別工作于常開模式和時(shí)分雙工模式。通過實(shí)際測(cè)試,其常開模式和時(shí)分雙工模式下的EVM指標(biāo)如圖2所示。

  

  

  從圖2中可以看出,隨著輸出功率的增大,EVM指標(biāo)不斷惡化,這是由于隨著輸出功率接近功率放大器的1dB壓縮點(diǎn),非線性失真開始明顯增大,非線性失真則會(huì)嚴(yán)重地影響EVM指標(biāo),這在其他許多文章中都有報(bào)道;這里主要研究功率放大器在時(shí)分雙工模式下(即正常工作模式)的EVM值總是比常開狀態(tài)下的EVM值大,即功率放大器在時(shí)分雙工模式下工作對(duì)信號(hào)有所惡化,由圖2可以看出,功率放大器處于時(shí)分雙工模式下的EVM值比常開模式時(shí)高大約0.5%(此時(shí)時(shí)分雙工方式下功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)上升時(shí)間為1.5us)。下面主要分析產(chǎn)生這種差異的原因。

  功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)對(duì)EVM影響分析

  功率放大器在時(shí)分雙工模式下與TD-SCDMA信號(hào)幀特點(diǎn)密切相關(guān)。TD-SCDMA的一個(gè)子幀的長(zhǎng)度為5ms,由7個(gè)常規(guī)時(shí)隙和3個(gè)特殊時(shí)隙組成,如圖3所示。這里主要考慮常規(guī)時(shí)隙:在TDMA信道上一個(gè)時(shí)隙中的信息格式稱為突發(fā),TD- SCDMA系統(tǒng)采用的突發(fā)結(jié)構(gòu)如圖3所示,突發(fā)由兩個(gè)長(zhǎng)度分別為352chip的數(shù)據(jù)塊、一個(gè)長(zhǎng)度為144chip的中間碼和一個(gè)長(zhǎng)度為16chip的保護(hù)時(shí)隙(GP)組成[5]。

  

  

  由圖3可知,TD-SCDMA的常規(guī)時(shí)隙的最前面就是一個(gè)352chip的數(shù)據(jù)塊,其中包括了許多TD-SCDMA信號(hào)的系統(tǒng)信息。而射頻功率放大器對(duì)柵極輸入的脈沖偏置方波電壓總有一個(gè)瞬態(tài)響應(yīng),特別是上升時(shí)間的影響。于是產(chǎn)生了對(duì)TD-SCDMA信號(hào)削波的現(xiàn)象,會(huì)造成部分?jǐn)?shù)據(jù)符號(hào)丟失,因此造成對(duì) TD-SCDMA傳輸信號(hào)EVM指標(biāo)的惡化。如圖2中的時(shí)分雙工模式下EVM指標(biāo)就是在偏置電壓上升時(shí)間為1.5us情況下的測(cè)試數(shù)據(jù)。

  功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)不僅與器件本身有關(guān),還與偏置電路的設(shè)計(jì)密切相關(guān)。為了更好地分析功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng),這里根據(jù)晶體管的模型用二階R-C網(wǎng)絡(luò)來等效分析功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng),如圖4所示。其中,C1、R1、R2代表功率晶體管的等效參數(shù);而C2、R3、R4則是功率放大器的供電電路參數(shù)。當(dāng)功率放大器打開時(shí),控制開關(guān)J1的3腳與1腳相連,電源V1對(duì)電容進(jìn)行充電,可見電路的上升時(shí)間不僅與功率晶體管的電容C1有關(guān),還與供電電路的濾波電容C2和電阻R4有關(guān)。在實(shí)際的應(yīng)用中,R4一般選取10?贅,而由于上升時(shí)間不能太大,濾波電容只能選擇pF量級(jí)的。但功率放大器關(guān)斷時(shí),開關(guān)J1的3腳與2腳相連,此時(shí)電路通過阻值很小的電阻R3來放電,從而保證功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)下降時(shí)間足夠短。

  功率放大器瞬態(tài)響應(yīng)上升時(shí)間與圖4中的C1、R1和R4密切相關(guān),其中C1和R1是管子內(nèi)部的參數(shù),由所使用的功率晶體管型決定;而R4與偏置電路有關(guān),可以通過改變R4的大小來改變整個(gè)功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)。圖5就是在R4的不同阻值下的功率放大器電路的瞬態(tài)響應(yīng)。從圖中可以看出,當(dāng)R4=10Ω時(shí),功放的柵極偏置電壓的上升時(shí)間為0.6us;當(dāng)R4=20Ω時(shí),上升時(shí)間變?yōu)?.1us;當(dāng)R4=30Ω時(shí),上升時(shí)間為1.6us。也就是說,隨著電阻R4 阻值的增大,功率放大器柵極偏置電壓的上升時(shí)間也隨之增大。

  

  

  

  圖6給出了偏置電路中R4不同取值時(shí)功率放大器的EVM測(cè)試值。從圖6可以看出,偏置電壓上升得越快,對(duì)EVM的惡化越小;反之,對(duì)EVM的惡化就越大。測(cè)試中還發(fā)現(xiàn),如果上升時(shí)間過長(zhǎng),甚至可能導(dǎo)致信號(hào)無法解調(diào)。由此可見,功率放大器瞬態(tài)響應(yīng)的上升時(shí)間與EVM確實(shí)有著必然的聯(lián)系。

  根據(jù)TD-SCDMA相關(guān)規(guī)范,要求收、發(fā)切換時(shí)開關(guān)的上升時(shí)間必須小于2?滋s,這正是從保護(hù)信號(hào)完整傳輸和避免EVM指標(biāo)惡化這方面來考慮的。而通過選擇合適的功率放大器晶體管并設(shè)計(jì)合適放大器的偏置電路和開關(guān)控制信號(hào),完全可以滿足國(guó)家提出的標(biāo)準(zhǔn),甚至可以使得開關(guān)的上升時(shí)間小于1us。

  功率放大器偏置電壓控制信號(hào)設(shè)計(jì)

  如圖6所示,即使功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)上升時(shí)間小至1us,放大器工作在時(shí)分雙工模式時(shí)的EVM仍然大于1.2%,仍然大于功率放大器處于常開模式下的 EVM指標(biāo),即功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)仍然對(duì)信號(hào)質(zhì)量造成了惡化。顯然,由于功率放大器本身以及偏置電路的影響,功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)上升時(shí)間不可能為零,因此不可避免地會(huì)產(chǎn)生削波現(xiàn)象,從而惡化EVM指標(biāo)。

  為了避免功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)上升時(shí)間對(duì)EVM的影響,就必須保證在TD-SCDMA信號(hào)到來時(shí),功放的瞬態(tài)響應(yīng)已經(jīng)結(jié)束,即功放開關(guān)已經(jīng)完全打開。因此,必須把功放的打開時(shí)間提前。由于TD-SCDMA系統(tǒng)是一個(gè)同步系統(tǒng),具有統(tǒng)一的時(shí)鐘參考和同步控制,因此實(shí)現(xiàn)開關(guān)的提前打開控制并不困難,本文對(duì)此不作論述。至于開關(guān)打開的提前量設(shè)為多少比較合適,則要根據(jù)具體的功放電路的瞬態(tài)響應(yīng)速度來決定。實(shí)驗(yàn)中,當(dāng)功放開關(guān)的上升時(shí)間為1.5us時(shí),改變開關(guān)打開的提前量,得到相應(yīng)情況下的EVM數(shù)值如圖7所示。

  

  

  由圖7可見,當(dāng)功放開關(guān)不提前打開時(shí),EVM值大于1.5%;而隨著打開提前量的逐漸增加,EVM的值也逐漸減?。划?dāng)開關(guān)打開的提前量增加到與該功放打開的上升時(shí)間相當(dāng)時(shí)(本例中為1.5us),EVM數(shù)值則下降到與常開模式下的EVM數(shù)值完全相同的水平;若繼續(xù)增大開關(guān)打開的提前量,EVM則保持不變。由此可知,當(dāng)功放開關(guān)打開的提前量不小于功放本身的打開上升時(shí)間時(shí),功放在TD-SCDMA信號(hào)到來時(shí)就已經(jīng)處于完全打開的狀態(tài),瞬態(tài)響應(yīng)已經(jīng)結(jié)束,也就不會(huì)產(chǎn)生對(duì)信號(hào)的削波現(xiàn)象,自然也就不會(huì)對(duì)EVM有額外的惡化。

  由圖3可以看出,在TD-SCDMA常規(guī)時(shí)隙之間,只有12.5us的保護(hù)間隔(GP),也就是在上、下行切換的可變切換點(diǎn),只有12.5us的上、下行保護(hù)時(shí)間??紤]到必須保證上、下行之間要有很好的隔離效果來保證系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行,國(guó)家規(guī)定上行(或下行)開關(guān)完全關(guān)斷與下行(或上行)開關(guān)開始打開之間必須有大于3us的保護(hù)時(shí)間;而且TD-SCDMA收發(fā)設(shè)備本身還可能有3?滋s~5?滋s的延時(shí)。因此即使可以通過開關(guān)的提前打開來減小EVM的惡化,開關(guān)打開的提前量也是嚴(yán)格受限的。例如:由于下行開關(guān)的打開提前量過大可能造成上行還未完全關(guān)斷時(shí),上行就已經(jīng)打開的情況,此時(shí)上、下行同時(shí)工作,很容易產(chǎn)生自激等不穩(wěn)定的后果,造成系統(tǒng)故障。因此,國(guó)家對(duì)上下行之間的保護(hù)時(shí)間、上下行功率開關(guān)的開關(guān)速度以及上下行功率開關(guān)的打開提前量和關(guān)閉滯后量都有明確而嚴(yán)格的規(guī)定,這里不作具體介紹。從上面的分析可以看出,在開關(guān)的打開速度夠快的前提下(小于2?滋s),通過開關(guān)的提前開啟(開關(guān)的打開提前量不小于開關(guān)打開 的上升時(shí)間)可以使得功放在時(shí)分雙工模式下的EVM指標(biāo)達(dá)到常開模式下的水平,即此時(shí)開關(guān)的瞬態(tài)響應(yīng)并不會(huì)使信號(hào)質(zhì)量惡化,功放能夠良好運(yùn)行。

  本文分析了TD-SCDMA功率放大器的EVM指標(biāo)在時(shí)分雙工模式下和常開模式下的區(qū)別。通過對(duì)功放的瞬態(tài)響應(yīng)解釋了功放在時(shí)分雙工模式下對(duì)EVM的惡化主要來自于功率開關(guān)打開時(shí)間的限制,即開關(guān)打開時(shí)間越長(zhǎng),對(duì)EVM造成的惡化越大。為了深入地分析功放的瞬態(tài)響應(yīng),本文建立了一個(gè)二階R-C模型,介紹了制約功放瞬態(tài)響應(yīng)的相關(guān)因素。最后,提出了改善TD-SCDMA功率放大器時(shí)分雙工模式EVM指標(biāo)的方案:提高功放開關(guān)的打開速度以及實(shí)現(xiàn)功放開關(guān)的提前打開。給出了具體的建議:功放開關(guān)的上升時(shí)間小于2?滋s;功放開關(guān)打開的提前量不小于功放開關(guān)的上升時(shí)間。經(jīng)檢測(cè)表明,基于本文理論實(shí)現(xiàn)的功率放大器在 TD-SCDMA無線設(shè)備中和整個(gè)TD-SCDMA系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)中都能正常工作,并且性能良好。

  參考文獻(xiàn)

  [1] HE Song Bai.Microwave oscillator phase noise requirement for TD-SCDMA wireless communication systems.Journal of Electronic Science and Technology of China,June 2007,5(2):111.

  [2] ROTELLA F M,MA G,YU Z,et al.Modeling,analysis,and design of RF LDMOS devices using harmonic-balance device simulation.Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions,June 2000,48(6):991-999.

  [3] VOELKER K.Apply error vector measurements in communications design.Microwaves RF,1995:143-152.

  [4] YOON S W.Static and dynamic error vector magnitude behavior of 2.4GHz Power amplifier.Microwave Theory and Techniques,IEEE Transactions,April 2007,55(4):643-647.

  [5] 李世鶴.TD-SCDMA第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn).北京:人民郵電出版社,2003:48-58.

此內(nèi)容為AET網(wǎng)站原創(chuàng),未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。