存儲器產(chǎn)業(yè)掀起策略聯(lián)盟風潮，僅有NAND Flash產(chǎn)品線的東芝(Toshiba)一直尋找DRAM策略聯(lián)盟伙伴，其與臺廠南亞科洽談合作案逾1季，近期傳出破局，南亞科將回頭向母公司臺塑集團尋求財務支援，希望能獲得資金轉進20納米制程技術，臺塑則看好DRAM市場，傳將支援南亞科將部分12吋晶圓廠產(chǎn)能轉進至20納米制程。

　　全球DRAM大廠三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)都手握DRAM和NAND Flash兩大關鍵零組件產(chǎn)品線，全球存儲器大廠只有東芝產(chǎn)品線略顯單薄，僅握有NAND Flash芯片產(chǎn)品線，遂自2014年下半起與南亞科洽談策略聯(lián)盟案，希望能結合南亞科旗下DRAM技術發(fā)展多芯片封裝(MCP)產(chǎn)品。

　　不過，由于南亞科旗下12吋廠6萬片產(chǎn)能若全數(shù)轉進20納米制程技術，至少需投資新臺幣500億~600億元，業(yè)界傳出南亞科向東芝提出10億美元的策略聯(lián)盟入股計劃，但東芝認為投資額太大，加上配套條件談不攏，使得策略聯(lián)盟計劃破局。

　　半導體業(yè)者表示，DRAM和NAND Flash產(chǎn)品應用及景氣循環(huán)步調(diào)不同，擁有雙產(chǎn)品線比較可以避開單一產(chǎn)品景氣波動，并可發(fā)揮相互加乘效應，進軍更大應用市場，目前東芝在NAND Flash市場實力深厚，東芝與南亞科策略聯(lián)盟傳出破局，對于三星陣營而言可說是松了一口氣。

　 　半導體業(yè)者透露，東芝作風一向保守，當初南亞科提出與東芝策略聯(lián)盟計劃時，業(yè)界即保守估計此案成局機率僅5成。不過，南亞科若能與東芝策略聯(lián)盟，不僅可 讓雙方DRAM、NAND Flash及MCP芯片等產(chǎn)品線互補及拉長戰(zhàn)線，未來可能擴大至新世代存儲器MRAM芯片合作。

　　南亞科過去曾與美光合作開發(fā)20納米制程技術，后來南亞科因為營運轉型而放棄研發(fā)，但美光仍讓南亞科保留技術授權機會，然有時間限制，目前南亞科仍希望能轉進20納米制程，可能轉而向臺塑集團尋求資金奧援，或是另尋其他合作伙伴，分散臺塑的投資風險。

　　根據(jù)南亞科規(guī)劃，目前12吋廠礙于資金限制，僅部分產(chǎn)能將轉進到20納米制程，由于其他陣營存儲器大廠包括三星、海力士都已轉進20納米制程，2015年將陸續(xù)量產(chǎn)，恐帶給DRAM市場不小的價格壓力。

　　至于NAND Flash產(chǎn)業(yè)正進入1x納米制程世代，目前TLC型NAND Flash芯片已成為業(yè)界主流，包括三星、東芝等大廠都積極將TLC芯片導入固態(tài)硬碟(SSD)應用，使得SSD及智能型手機躍居NAND Flash芯片最主要應用領域。