中國，2015年7月23日——意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC）電機驅動、不間斷電源、太陽能轉換器以及所有的硬開關（hard-switching）電路拓撲20kHz功率轉換應用。

       采用意法半導體的第三代溝柵式場截止型（trench-gate field-stop）低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個全新溝柵（trench gate）和特殊設計的P-N-P垂直結構，可以在導通損耗和開關損耗之間找到了最佳平衡點，從而能夠大幅提升晶體管的整體性能。在150°C初始高結溫時，最小短路耐受時間為6μs，175°C最大工作結溫及寬安全工作范圍有助于延長元器件的使用壽命，同時提高對功率耗散有極高要求的應用可靠性。

       此外，新產(chǎn)品的封裝還集成了新一代續(xù)流二極管（Free-wheeling Diode）。新二極管提供快速恢復功能，并同時保持低正向壓降和高恢復軟度。這項設計不僅可實現(xiàn)優(yōu)異的EMI保護功能，同時可以有效降低開關損耗。正VCE(sat)溫度系數(shù)，結合緊密的參數(shù)分布，使新產(chǎn)品能夠安全并聯(lián)，并滿足更大功率的要求。

M系列產(chǎn)品的主要特性：

· 650V IGBT，大部分競爭產(chǎn)品為600V；

· 低VCE(sat) (1.55V @25°C) 電壓，能夠最大限度降低導通損耗；

· 出色的穩(wěn)健性，擁有廣泛的安全工作范圍以及無閂鎖現(xiàn)象（latch-free operation）；

· 業(yè)內(nèi)最佳的Etot - Vce(sat) 平衡比；

· 175°C最大工作結溫；

· 高溫短路耐受時間最短6μs；

· 電壓過沖有限，確保關斷期間無振蕩；

       最新發(fā)布的M系列擁有10A及30A兩種可選額定電流，提供各種功率封裝選擇，包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL長腳封裝，與意法半導體針對高頻工業(yè)應用研發(fā)的HB系列650V IGBT（高達60 kHz）相互補充。新產(chǎn)品已開始量產(chǎn)。

關于意法半導體

       意法半導體（STMicroelectronics; ST）是全球領先的半導體解決方案供應商，為客戶提供傳感器、功率器件、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術，到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全，從醫(yī)療健身設備，到智能消費電子，從家電、汽車，到辦公設備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子器件無所不在，在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極、創(chuàng)新的作用。意法半導體代表著科技引領智能生活（life.augmented）的理念