Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin連接來實(shí)現(xiàn)更好的性能
2015-10-13
賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 10 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用小尺寸PowerPAK? 8x8封裝的600V E系列功率MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E有一個(gè)實(shí)現(xiàn)低熱阻的大尺寸漏極端子和在源極的Kelvin連接。超薄表面貼裝PowerPAK 8x8封裝符合RoHS,無鹵素,完全無鉛,可替換傳統(tǒng)的TO-220和TO-263封裝的產(chǎn)品,達(dá)到節(jié)省空間的效果。
PowerPAK? 8x8的結(jié)構(gòu)定義一個(gè)源極pin腳為專用的Kelvin源極連接腳,把柵極驅(qū)動(dòng)的返回路徑從主要承載電流的源極端子上分開。這樣就能防止在大電流路徑上出現(xiàn)L x di / dt電壓降,避免施加到E系列MOSFET上的柵極驅(qū)動(dòng)電壓出現(xiàn)跌落,從而在通信、服務(wù)器、計(jì)算機(jī)、照明和工業(yè)應(yīng)用的電源實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更好的耐噪聲性能。
SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E采用Vishay最新的高能效E系列超級結(jié)技術(shù)制造,在10V電壓下導(dǎo)通電阻低至0.135Ω,柵極電荷低至31nC。以及較低的柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積,該乘積是功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用里MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。這些數(shù)值意味著極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,在功率因數(shù)校正、反激式轉(zhuǎn)換器,服務(wù)器和通信電源的雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器,HID和熒光鎮(zhèn)流器照明,消費(fèi)和計(jì)算設(shè)備電源適配器,電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽能電池逆變器,以及感應(yīng)加熱和焊接設(shè)備中可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能。
這些MOSFET可承受雪崩和換向模式中的高能脈沖,保證極限值100%通過UIS測試。
SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為十六周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、國防、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。