《電子技術(shù)應(yīng)用》
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三星出招太狠毒 DRAM恐剩一家獨活

2016-04-13

       記憶體產(chǎn)業(yè)整合,外界本以為三大廠能和平共存,坐享更高獲利,沒想到三星電子趁著對手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)轉(zhuǎn)進20奈米不順之際,增產(chǎn)搶市占,意圖趕盡殺絕。Bernstein Research悲觀預(yù)測,三星下手太狠,DRAM恐怕只剩三星一家獨活。

  巴倫(Barronˋs)網(wǎng)站兩篇報導(dǎo)指 出,Bernstein分析師Mark Newman表示,制程微縮難度高,美光和SK海力士都在20奈米遇到瓶頸,原先預(yù)期記憶體產(chǎn)出將因此大減,沒想到三星在一旁虎視眈眈,趁著對手碰壁時, 奪取市占。DRAM僅剩三大廠,通常產(chǎn)業(yè)整合后,大家會較為節(jié)制,結(jié)果三星非但沒松手,還想把DRAM市占從當(dāng)前的40%、提高至近50%。

   三 星透過拉大技術(shù)差距,搶下市占,DRAM方面,三星增加20奈米產(chǎn)出、并將擴大量產(chǎn)18奈米。在NAND領(lǐng)域也強化了3D NAND的領(lǐng)先地位。Newman痛批,三星行為投機、比預(yù)想更為激烈,完全不顧對手,或許會永久摧毀同業(yè)間的信任感。他估計,三星可能是DRAM業(yè)的唯 一幸存者。

  記憶體業(yè)者自相殘殺,等到中國廠商進入市場,情況將急轉(zhuǎn)直下。報告稱,中國可能是足以顛覆市場的競爭者,他們財力雄厚,等 到供 給上線后,市況將慘不忍睹。武漢新芯(XMC)的3D NAND技術(shù)大約落后領(lǐng)先廠商4~5年,他們打算狂燒資本加緊追趕,等到量產(chǎn)之后,市場供給過剩將更加惡化。

  韓媒etnews、韓國時 報 3月底報導(dǎo),業(yè)界人士透露,三星韓國華城工廠生產(chǎn)的18奈米DRAM,已經(jīng)開始出貨,將供貨給蘋果。消息人士說,兩年前三星率先量產(chǎn)20奈米DRAM,如 今三星再次領(lǐng)先業(yè)界,第一個商用化18奈米DRAM。據(jù)了解,18奈米DRAM初期產(chǎn)量不大,三星已經(jīng)增訂設(shè)備,預(yù)計夏天過后產(chǎn)量將會增加。早期供貨主要 用于PC,之后將生產(chǎn)伺服器和行動裝置用的DRAM。

  Daishin Securities研究員Kim Kyung-min說,由結(jié)果看來,韓廠和美光科技落差極大。美光DRAM技術(shù)落后三星兩年以上,恐需憂慮是否會立刻出現(xiàn)虧損。

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