《電子技術(shù)應用》
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雙模式控制防失真K類音頻功率放大器設計
2016年電子技術(shù)應用第4期
王宇星
無錫科技職業(yè)學院,江蘇 無錫214028
摘要: 提出了一種具有雙模式控制、防失真、超低EMI、內(nèi)部集成升壓電路的高效率音頻功率放大器。系統(tǒng)可通過一線脈沖方式控制放大器工作在防失真模式或普通模式,其中防失真功能通過輸出信號的大小自動調(diào)整增益實現(xiàn)。電路采用CSMC 0.5 μm CMOS工藝實現(xiàn),測試結(jié)果表明:在電源電壓5 V、輸出端接感性負載RL=8 Ω+33 μH的條件下,該功放能夠在0~3 V的信號輸入范圍內(nèi)保持總諧波失真加噪聲(THD+N)僅為0.2%,最大輸出功率2 W。該功率放大器在鋰電池電壓下降時也能持續(xù)提供2 W的輸出功率,適合便攜式產(chǎn)品的應用。
中圖分類號: TN722
文獻標識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.2016.04.009
中文引用格式: 王宇星. 雙模式控制防失真K類音頻功率放大器設計[J].電子技術(shù)應用,2016,42(4):31-34.
英文引用格式: Wang Yuxing. Design of class K audio power amplifier with dual mode control anti distortion[J].Application of Electronic Technique,2016,42(4):31-34.
Design of class K audio power amplifier with dual mode control anti distortion
Wang Yuxing
Wuxi College of Science and Technology,Wuxi 214028,China
Abstract: A dual mode control, anti distortion, ultra low EMI, internal integrated boost circuit is designed to realize the high volume output high efficiency audio power amplifier. The system can be used to control the amplifier’s work in the distortion mode or normal mode according to the size of the output signal, adjust the gain to achieve anti distortion function automatically. The circuit is realized by 0.5 μm CMOS CSMC process. The test results show that: under the condition of 5 V power supply voltage, load RL=8 ?贅+33 μH, the power amplifier can maintain the Total Harmonic Distortion+Noise(THD+N) in 0.2% with the input signal range from 0 V to 3.3 V, the largest output power is 2 W. The power amplifier can also provide 2 W output power when the lithium battery voltage drops which is suitable for the application of portable products.
Key words : audio power amplifier;anti distortion;pulse width modulation(PWM);THD

0 引言

    隨著便攜式電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展,功率放大器的性能對產(chǎn)品質(zhì)量有著重要的影響。傳統(tǒng)的線性功放(A、B、AB類)雖然有良好的線性度和THD等性能,但都有共同的缺陷,如效率都低于50%、功耗大,制約其在便攜式產(chǎn)品上的應用[1],而高效率、節(jié)能、低失真、體積小的D類功放應用日益廣泛[2-3]。 

    本文采用CSMC 0.5 μm CMOS工藝,設計了一款雙模式控制,防失真的K類音頻功率放大器。相比于傳統(tǒng)D類功率放大器大幅提高了總諧波失真+噪聲和效率。芯片通過一線脈沖控制來選擇系統(tǒng)處于普通工作模式或防失真工作模式。當處于防失真工作模式下,輸入信號幅度過大時,系統(tǒng)會自動調(diào)整放大器的增益,自動限幅,從而避免了輸出信號出現(xiàn)失真。

1 電路原理與實現(xiàn)

    本文提出的雙模式控制、防失真K類音頻功率放大器的電路原理如圖1所示。電路中包含基準電路,延時啟動電路,防失真控制電路,wdz3-t1-s1.gif控制模塊,電荷泵升壓電路,PWM調(diào)制級,輸出級和保護電路等。電路上電后,wdz3-t1-s1.gif置高電平,基準電路產(chǎn)生VCC/2的共模電平,用于系統(tǒng)中的啟動延時電路、輸入放大器和作為積分器共模反饋的比較電平。

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    在傳統(tǒng)D類功放基礎上,系統(tǒng)中加入升壓模塊電路和增益控制電路,升壓模塊電路提供內(nèi)部PVDD保證系統(tǒng)恒定的輸出功率。當出現(xiàn)失真時,信號會出現(xiàn)較長時間的高電平或者低電平,此時增益控制電路給開關(guān)電容充電產(chǎn)生控制電壓。開關(guān)控制電路根據(jù)控制電壓輸出一定占空比的矩形波,以此來控制增益控制電路的控制開關(guān),自動調(diào)整系統(tǒng)增益的變化。

1.1 雙模式控制系統(tǒng)

    本系統(tǒng)針對不同用途設計了雙模式控制的電路,雙模式控制電路通過一線脈沖選擇工作模式,提高了芯片應用范圍。控制原理如圖2所示,通過一線脈沖信號的上升沿個數(shù)決定芯片的工作模式。當信號拉高時,即一個上升沿,芯片啟動開始工作,工作在普通模式;而高→低→高的脈沖信號時,即兩個上升沿,芯片進入防失真工作模式。

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    其中THI指脈沖的高電平寬度,TLO指脈沖的低電平寬度,TOFF 指芯片進入關(guān)斷模式所需的低電平時間,至少持續(xù)300 μs,芯片進入關(guān)斷模式,關(guān)斷模式下的功耗低至0.1 μA以下。

    具體電路如圖3所示,芯片SHDN腳輸入“一線脈沖”信號,內(nèi)部兩個wdz3-t1-s1.gif端,兩個PIN腳通過外部封裝把線連在一起,統(tǒng)一用SHDN表示。SHDN為低電平或懸空時把整個芯片關(guān)斷,為高電平時電路開始工作。圖中倒筆管類型的反相器具有延時功能,控制D觸發(fā)器的CP脈沖信號。每一CP上升沿到來時其Q和QN都要翻轉(zhuǎn)一次,具有二分頻功能。 

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    D觸發(fā)器在VCC上電但SHDN懸空的時間里,使N1信號拉低復位,兩個D觸發(fā)器輸出低電平(Q=0,QN=1),工作在普通模式。電路在芯片正常工作以后,SHDN的第一個高脈沖到來時觸發(fā)器開始工作,Q端輸出高電平,即X1翻轉(zhuǎn)一次并輸入到后級控制增益,電路工作在防失真模式。第二個高脈沖到來時,X2才翻轉(zhuǎn)。SHDN端采用一線脈沖控制方式,該脈沖頻率至少要大于5 KHz,否則芯片將隨這個一線脈沖頻率不斷地開啟與關(guān)斷。

1.2 防失真控制系統(tǒng)

    輸入信號過大或電池電壓下降等情況會造成輸出信號失真,過載的信號會對揚聲器造成永久性損傷。通過檢測放大器輸出的失真,自動調(diào)整系統(tǒng)增益可實現(xiàn)芯片的防失真功能。

    增益調(diào)整原理如圖4所示,積分器用RC實現(xiàn),具有低通濾波器的特性[4]。傳輸函數(shù)為:

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    根據(jù)上述積分器基本原理,增益改變原理如圖5所示。Vin為輸入信號,前置放大器的輸出信號V1和開關(guān)函數(shù)U(t)相乘,得到抽樣信號V2,V2再通過低通濾波器得到輸出信號Vo。

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    前置放大器增益為A1,開關(guān)函數(shù)U(t)占空比為r,角頻率為ωc,則U(t)的傅里葉展開式:

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根據(jù)式(7),只要改變U(t)的占空比,就可以改變系統(tǒng)的增益。

    調(diào)制電路結(jié)構(gòu)如圖6所示,信號經(jīng)前置放大器放大后送入積分放大器濾波放大,音頻信號進入PWM調(diào)制模塊,產(chǎn)生脈沖寬度隨信號幅度變化的PWM波(P1和P2)。積分器1運放增益開關(guān)S1和S2剛好反相,S1始終斷開,S2始終閉合,開關(guān)S3由一線脈沖控制,即前級的信號X1=0,S3斷開;X1=1,S3閉合。

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    中間虛線框為增益控制電路:第一級運放輸出信號受一對傳輸門控制,當檢測到運放輸出幅度C1_PLUS或者C2_PLUS大于某一值時,M1和M2打開,使第二級運放輸入被屏蔽,輸出幅度減小。具體增益控制信號產(chǎn)生電路如圖7所示。

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    比較器同相端V1為固定電位,反相端V2取兩級運放輸出的共模電平1/2VCC,兩者通過比較檢測出最大信號輸出幅度。比較器輸出端控制數(shù)字模塊,數(shù)字模塊產(chǎn)生4路的開關(guān)信號控制開關(guān)電容網(wǎng)絡,進而產(chǎn)生開關(guān)函數(shù)信號U(t)。

    V4和V5為相位相反、頻率相同的三角波,V6為固定電平1/2VCC。電路存在兩種極限情況:(1)當信號幅度始終小于最大信號輸出幅度,即同相端永遠小于反相端時,輸出Y始終為“0”;(2)當信號幅度為1/2VCC很小,即同相端永遠大于反相端時,輸出Y始終為“1”。

    Y分別等于0和1時,數(shù)字模塊產(chǎn)生4路開關(guān)信號[5]:S1、S2、S3、S4,推斷出1/2VCC經(jīng)過開關(guān)電容網(wǎng)絡后的輸出電平VC,進而推導出傳輸門開關(guān)信號OUT1和OUT2,以此決定M1和M2是否打開。

    信號Y是隨著頻率變化的方波信號,當信號幅度超過最大信號輸出幅度時,Y=1,否則Y=0。產(chǎn)生的VC是一個介于0~1/2VCC的某電位,傳輸門控制信號OUT1和OUT2也是一個方波頻率信號,其占空比與VC電位有關(guān),信號幅度越大,被檢測的Y高電平的時間也越長,VC這個電位也越高,傳輸門導通的時間越長,運放被關(guān)斷時間越多,直至這個電位升至1/2VCC,運放輸出全部被屏蔽,這樣就起到了自動增益控制功能,有利于防止信號幅度過大時輸出產(chǎn)生失真。

2 實驗結(jié)果與分析

    基于CSMC 0.5 μm CMOS工藝模型,采用Cadence的spectre對整個電路進行了仿真。圖8是當輸入信號在0~5 V范圍內(nèi),輸入1 kHz正弦信號芯片的輸出波形,圖8(a)是正、負輸出端信號波形,圖8(b)是輸出之差濾波后的波形,wdz3-2-x1.gifwdz3-2-x2.gif分別為負載兩端的信號;信號wdz3-2-x1.gifwdz3-2-x2.gif之差即體現(xiàn)為負載上的信號,幅度約為1.5 V;可見通過增益控制調(diào)節(jié)電路自動限幅,輸出削波基本消失。圖9是芯片照片,尺寸約為 1.4 mm×1.8 mm。

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    從圖10測試結(jié)果可見,在電源電壓VDD=3.6 V,輸出端分別接一個33 μH的電感,再接一個8 Ω的電阻到地(即RL=8 Ω+33 μH),輸入1 kHz正弦波信號時,該功放的總諧波失真與噪聲之和隨輸出功率變化的關(guān)系。當輸出功率接近功放的最大額定輸出功率時,THD+N的值急劇上升。在負載為8 Ω,輸出功率1 W條件下,THD+N的值僅0.2%。

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    圖11給出了當VDD=4 V,輸入信號f=1 kHz,Vin在0~3 V范圍內(nèi),輸出端負載RL=8 Ω+33 μH時,普通模式下的輸出功率2 W;防失真模式(NCN)下輸出功率僅為1.6 W。因此本文提出的防失真控制系統(tǒng)能保證功放在良好的THD+N和輸出功率的情況下,增大其信號輸入范圍。

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3 總結(jié)

    本文基于CSMC 0.5 μm CMOS工藝設計了具有雙模式控制、防失真的內(nèi)部集成升壓電路的超大音量輸出高效率音頻功率放大器。實測結(jié)果表明:相比于文獻[6]所提出的結(jié)構(gòu),本文提出的雙模式控制系統(tǒng)和防失真控制系統(tǒng)的設計有著更好的性能??梢员WC功放在5 V電源電壓下,輸出端接感性負載RL=8 Ω+33 μH時,在具有良好的THD+N和輸出功率的情況下,大幅度增加信號輸入范圍,即在0~3 V信號范圍內(nèi)保持THD+N為0.2%,最大功率輸出2 W,有效避免失真帶來的影響。

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參考文獻

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