DRAM發(fā)展快到盡頭，磁性記憶體(MRAM)和相變記憶體(PRAM)是最有潛力的接班人？IBM和三星電子最近宣稱，“自旋傳輸磁性記憶體(STT-MRAM)”的研究出現(xiàn)突破，有望加速走上商用之途。

　　韓媒BusinessKorea 11日報道，IBM和三星在電機電子工程師學會(IEEE) 發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM的生產技術，成功實現(xiàn)10奈秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構，理論上表現(xiàn)超越DRAM。

　　STT-MRAM借著改變薄膜內的電子旋轉方向、控制電流，表現(xiàn)效能和價格競爭力都優(yōu)于DRAM。最重要的是，DRAM很難微縮至10納米以下，STT-MRAM則沒有此一困擾。業(yè)界人士表示，STT-MRAM是次世代記憶體中最實際的替代方案，95%的現(xiàn)行DRAM生產設備皆可用于制造STT-MRAM。IBM和三星之外，SK海力士(SK Hynix)和東芝(Toshiba)也協(xié)力研發(fā)此一技術。

　　除了STT-MRAM，近來相變記憶體(PRAM)也備受矚目，英特爾的3D Xpoint就包含PRAM技術。PRMA結合DRAM和NAND Flash優(yōu)點，速度和耐用性提高1千倍，不過目前仍在理論階段。

　　去年7月29日英特爾、美光宣布開發(fā)出新世代記憶體技術“3D Xpoint”，儲存的資料比DRAM高出十倍，讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃記憶體的1千倍之多，如此革新的技術讓三星電子、SK Hynix大為緊張。3D XPoint類似次世代ReRAM或PRAM科技，能完全改變資料儲存的方式，半導體專家相信，自從東芝在1987年首次展示NAND型快閃記憶體之后，3D XPoint會是這30年間一個相當重要的變革。

　　韓媒BusinessKorea去年6月報道，韓國半導體業(yè)者指出，16納米將是DRAM微縮制程的最后極限，10 納米以下制程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合采用高介電常數(shù)（High-K）材料和電極。MRAM和ReRAM因此備受期待，認為可以取代DRAM和NAND Flash，業(yè)者正全力研發(fā)。