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日本確立高效生產(chǎn)單晶硅的新方法

2016-08-24
關(guān)鍵詞: 日本 單晶硅 太陽能電池 CZ法

  日本科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)(JST)宣布,開發(fā)出了使用生產(chǎn)效率高的鑄造生長爐來制造單晶硅的新方法,并且,使用基于該方法制造的單晶硅錠的太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率達到了19.14%。通過采用使用鑄造生長爐制造的單晶硅,實現(xiàn)了與利用直拉單晶制造法(CZ法)制造的單晶太陽能電池為同等水平的高效率和高成品率。

  太陽能電池用硅晶圓方面,使用鑄造生長爐制造的多晶硅與使用CZ生長爐制造的單晶硅相比,生產(chǎn)效率高且價格便宜,因此太陽能電池市場有60%被多晶硅占據(jù)。但多晶硅存在兩方面的問題,一是形成優(yōu)良的多晶結(jié)構(gòu)時,結(jié)晶品質(zhì)會變差,因此轉(zhuǎn)換效率比單晶硅低1~1.5%;二是存在殘留變形,因此結(jié)晶品質(zhì)的不均勻性較大,成品率低。

  此次開發(fā)的非接觸坩堝法(NOC法)使用用于制造多晶硅錠的鑄造生長爐,并在熔液內(nèi)獨創(chuàng)性地設(shè)置了低溫區(qū)域,可在不接觸坩堝壁的情況下使單晶生長(用來形成低溫區(qū)域的獨創(chuàng)經(jīng)驗并未公開)。作為生長爐內(nèi)容物的石墨夾具全部在真空中長時間高溫空燒,去除了雜質(zhì)。另外還通過極力減慢單晶在生長中的上升速度和旋轉(zhuǎn)速度,降低了晶體位錯及氧濃度,減少了結(jié)晶缺陷。

  此次利用由上述方法獲得的p型單晶硅錠,從全部區(qū)域均等切割出晶圓,使用該晶圓試制了Al-BSF(鋁背場)構(gòu)造的太陽能電池,結(jié)果以極高的成品率實現(xiàn)了最大轉(zhuǎn)換效率達到19.14%、平均轉(zhuǎn)換效率達到19.0%的高效率太陽能電池。另外還成功試制出了直徑比達到坩堝直徑90%的單晶硅錠。今后,如果能使用更大的坩堝制造大容量單晶硅錠,這項技術(shù)便有望成為太陽能電池市場的主流。


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