CSP封裝芯片的量產(chǎn)測(cè)試采用類(lèi)似晶圓測(cè)試的方法進(jìn)行，但是兩者的區(qū)別在于：晶圓的測(cè)試，探針是扎在管芯的PAD（通常情況下為鋁金屬）上，而CSP封裝的測(cè)試座，探針是扎到CSP封裝的錫球上。問(wèn)題由此產(chǎn)生，在晶圓測(cè)試中鋁質(zhì)的PAD對(duì)探針污染很小，測(cè)試過(guò)程中不需要經(jīng)常對(duì)探針進(jìn)行清潔（一般測(cè)試幾百上千顆進(jìn)行在線清針一次即可），而CSP封裝的錫球?qū)μ结樜廴痉浅?yán)重，特別是在空氣中放置一段時(shí)間后，加重了錫球的氧化，對(duì)探針的污染就更為嚴(yán)重，另外流過(guò)探針的電流大小也會(huì)直接影響探針和錫球之間的電氣接觸。

　　這樣對(duì)探針的抗粘粘度及抗氧化能力要求很高，對(duì)于一般的探針，測(cè)試幾十顆就需要對(duì)其進(jìn)行清潔，否則隨著沾污越來(lái)越嚴(yán)重，會(huì)造成探針與錫球之間的接觸電阻大到2歐姆以上（一般情況下在0.5歐姆以下），從而嚴(yán)重影響測(cè)試結(jié)果。對(duì)于本文所舉實(shí)例而言，在負(fù)載電阻僅為8.2歐姆的情況下，這樣測(cè)試得到的VOP-P及PO值僅為真實(shí)值的8.2/（8.2+2+2），既0.672倍左右，從而導(dǎo)致測(cè)試的嚴(yán)重失效，同時(shí)也會(huì)影響到THD測(cè)試值。所以在測(cè)試過(guò)程中需要對(duì)探針進(jìn)行不斷的清潔動(dòng)作，這樣在不斷的清針過(guò)程中，既浪費(fèi)了測(cè)試的時(shí)間又加速了探針的老化，導(dǎo)致針卡壽命急劇縮短，同樣也會(huì)造成測(cè)試的誤判，需要通過(guò)多次的復(fù)測(cè)才能達(dá)到比較可信的測(cè)試良率。