文獻標(biāo)識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.2016.07.035
中文引用格式: 朱修敏,魏金成,魏力,等. 一種新型PWM逆變器吸收電路[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2016,42(7):138-141,145.
英文引用格式: Zhu Xiumin,Wei Jincheng,Wei Li,et al. A new snubber circuit based on PWM inverter[J].Application of Electronic Technique,2016,42(7):138-141,145.
0 引言
為了確保功率開關(guān)管安全可靠的工作,功率開關(guān)管必須工作在安全工作區(qū)。但在硬開關(guān)條件下,功率開關(guān)管在開通和關(guān)斷過程中可能承受過壓、過流。過大的di/dt和dv/dt的沖擊,使開關(guān)管發(fā)熱,如不采取保護措施,可能使功率開關(guān)管超出安全工作區(qū)而損壞。為此,在功率開關(guān)管電路中,通常設(shè)置吸收電路或采用軟開關(guān)技術(shù),防止瞬時過壓、過流,減小開關(guān)損耗,確保開關(guān)管工作在安全工作區(qū)。
逆變器常用的吸收電路有無源并聯(lián)RC電路、并聯(lián)RCD吸收電路和有源吸收電路。有源吸收電路在電路結(jié)構(gòu)、控制方法上都比較復(fù)雜,成本也比較高,因此,無源吸收電路比有源吸收電路在工程上有著更為廣泛的應(yīng)用。逆變器常用的無源吸收電路有A型、B型、C型三種[1]。這三種電路均能夠抑制開關(guān)在關(guān)斷時產(chǎn)生的過電壓,其共同特點是吸收電容Cs上的電壓等于電源電壓,電容電壓過沖部分的能量一部分回饋電源,另一部分消耗在電阻Rs上。其中B型和C型吸收電路又稱為RCD吸收電路[2],這兩種吸收電路原理相似,拓撲結(jié)構(gòu)簡單,已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用。雖然RCD吸收電路可以改善開關(guān)器件的關(guān)斷特性,但降低了電路的變換效率,并且在大功率場合,需要大功率的電阻,而消耗掉大量能量,甚至改變了設(shè)備的工作環(huán)境。為了克服這些缺陷,近年來提出了無源無損軟開關(guān)吸收電路(LPSSS)。
LPSSS電路是軟開關(guān)技術(shù)的一種,它通過在主電路中附加電容、電感及二極管等無源器件,在主開關(guān)換流時建立零電壓、零電流開關(guān)條件。由于吸收電路上的儲能可全部傳遞給負載,因此從理論上講,吸收電路是近似無損的,這有利于提高變換器的效率。無源無損吸收電路的另一個突出優(yōu)點是無需額外的控制,因此不會增加控制電路的復(fù)雜度,不影響變流器控制電路的設(shè)計。因此,為了簡化電路,提高變換效率,有必要研究LPSSS電路,已有文獻[3-9]對LPSSS電路作了大量的研究,但是這些LPSSS電路仍然具有一定的缺陷。文獻[7]提出的LPSSS電路結(jié)構(gòu)簡單,能有效降低損耗,但是僅適用于開關(guān)頻率較低的電路。文獻[3-7]提出的LPSSS電路,通過變壓器或耦合電感將吸收電容中的能量反饋到電源端或負載,既降低了開關(guān)開通關(guān)斷過程中的損耗,也提高了能量的利用率,但是電路結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,成本較高,并且變壓器和耦合電感的漏感問題還有待于研究。
為此,筆者在Boost和半橋逆變器的LPSSS電路[9-10]的基礎(chǔ)上,提出了一種新型PWM逆變器LPSSS電路,電路的拓撲結(jié)構(gòu)簡單,適用于單相和三相全橋電路,最終通過仿真驗證了該吸收電路可靠性和適用性。
1 逆變器損耗分析
逆變器是否能正常工作,應(yīng)當(dāng)滿足下述條件:正常情況工作時,器件的開關(guān)軌跡應(yīng)在器件的安全工作區(qū)以內(nèi),并應(yīng)有足夠的裕量;在PWM方式下工作時,器件的總損耗應(yīng)小于其允許的耗散功率,并應(yīng)有足夠的裕量。
在IGBT關(guān)斷過程中,因為主回路雜散電感Lp的存在,會使IGBT的集電極出現(xiàn)電壓峰值Ucep。這一情況在短路關(guān)斷時表現(xiàn)得最為嚴重,必須將Ucep限制在安全工作區(qū)之內(nèi)。
圖1[10]所示為IGBT關(guān)斷時的電壓電流波形,以及功率開關(guān)的功率損耗。其中,ttail為尾部電流,itail為下降時間,tf和tdoff分別為關(guān)斷下降時間和關(guān)斷延遲時間。每個脈沖IGBT的關(guān)斷損耗可近似為:
若減小關(guān)斷時的Uc上升速度,可減小EI(soff)。關(guān)斷過程中Ic的下降速度主要取決于器件的總充電荷和少子壽命[11]。
2 逆變器RCD吸收電路原理分析
以圖2(a)為例,可將RCD吸收電路的工作過程劃分為3個階段:(1)換流階段。從開關(guān)接受關(guān)斷信號到完全截止。此階段,流過主回路的寄生電感Lp的母線電流經(jīng)過開關(guān)管VT和吸收電路兩條支路分流。在此過程中出現(xiàn)第一個尖峰電壓ΔV1。ΔV1與母線電流IL、吸收電路寄生電感Ls、關(guān)斷電流的di/dt有關(guān)。(2)諧振放能階段。換流階段結(jié)束后,開關(guān)完全截止。主回路寄生電感Lp與吸收電容Cs諧振,Lp中的能量通過Cs諧振,Lp中的能量通過Cs釋放。在此過程中出現(xiàn)第二個ΔV2,此尖峰與母線電流IL,主回路寄生電感Lp、吸收電容Cs、吸收電路寄生電感Ls有關(guān)。(3)吸收電容Cs放電階段。諧振放能階段結(jié)束后,電容Cs通過電阻Rs、電源和負載放電。
RCD吸收電路的特點是每次關(guān)斷之前把C1中儲存的能量通過電阻R2回饋到主回路中去,使C1的電壓保持在電源電壓上。同時,吸收電阻R2能消除C1放電造成的電流振蕩,使IGBT開關(guān)時處于比較平穩(wěn)的狀態(tài)。這種電路的缺點在于當(dāng)功率進一步增大時,回路寄生電感會變得很大,導(dǎo)致不能有效地抑制瞬變電壓。同時吸收電阻Rs的存在會影響吸收電容Cs的放電時間,隨著開關(guān)頻率的增加,電阻Rs的溫度升高會改變設(shè)備的工作環(huán)境。
吸收電路參數(shù)計算[12]:
式中,IL為母線電流,L=Lp+Ls,fs和tr分別為開關(guān)頻率和開通電流上升時間。過電壓保護度Δu%一般設(shè)定為15%。
3 新型逆變器LPSSS電路的原理分析和仿真
圖3(a)所示為PWM逆變器LPSSS電路。該拓撲電路圖中每一組橋臂有兩個IGBT開關(guān)VT1和VT2組成和與開關(guān)反并聯(lián)的二極管D1、D2。吸收電容Cs1和Cs2分別并聯(lián)在VT1和VT2上,減小了dv/dt,實現(xiàn)了開關(guān)ZVS關(guān)斷。
圖3(b)所示為VT1開通或VT2關(guān)斷時的電壓波形。假設(shè)t0時刻VT1開通,吸收電容CS1通過二極管DS1充電,CS2通過Cb1和DS2放電。因此,在此過程中吸收電容CS1的電壓VCS1上升,CS2的電壓VCs2下降,VCb在CS2放電結(jié)束時,電壓達到最大值,隨后放電至Vdc,并最終保持恒定。
3.1 LPSSS電路的工作原理
為了簡化分析,以一組橋臂為例。該吸收電路每一個開關(guān)VT1和VT2都分別并聯(lián)吸收電容Cs1、Ds1和Cs2、Ds2,能夠有效減小dv/dt,實現(xiàn)了開關(guān)ZVS關(guān)斷。吸收電容中的能量儲存在電容Cb中,最終通過Cb和電感Lr1諧振將能量回饋到電源端。在一個開關(guān)周期內(nèi),A相負荷電流假設(shè)恒定不變。如圖4所示,吸收電路的工作模態(tài)如下:
模態(tài)1,t<t0:VT1處于導(dǎo)通狀態(tài),負荷電流iload保持恒定且iVT1=iload,吸收電容Cs1上的電壓為零。
模態(tài)2,t0<t<t1:t0時刻,VT1關(guān)斷而VT2導(dǎo)通,iVT1迅速下降至零。由于負荷電流不能突變,此時二極管Ds1導(dǎo)通,電容Cs1和Cb通過Ds1充電,Cs2進行放電。
模態(tài)3,t1<t<t2:t1時刻,電容Cs1充電至VCs1=Vdc,電容Cs2放電至0。
模態(tài)4,t2<t<t3:寄生電感Lp(Lp1=Lp2)上的能量轉(zhuǎn)移到電容Cb1上。在此模態(tài)中,VCb>Ud,能量回饋電路開始工作,將吸收的能量回饋到電源側(cè)。二極管D2處于導(dǎo)通狀態(tài),提供負荷電流iload。
模態(tài)5,t3<t<t4:t3時刻,VT2關(guān)斷而VT1導(dǎo)通,iLp開始增加,由于負荷電流保持恒定,所以D2仍然處于導(dǎo)通狀態(tài),且提供一部分負荷電流。
模態(tài)6,t4<t<t5:iLp繼續(xù)增加,吸收電容Cs2通過Lp-Cs2-Ds2路徑充電。Cs1開始把儲存的能量轉(zhuǎn)移到Cb1上。能量最終通過諧振電感Lr1和二極管Dr1和Dr2反饋到直流電源Vdc。在此模態(tài)的末端,Cs1放電至零,Cs2充電至Vdc。
3.2 仿真分析
合理的設(shè)計和選擇吸收電路的元件參數(shù)對于LPSSS電路的吸收效果是至關(guān)重要的。dv/dt和di/dt取決于吸收電容Cs,寄生電感Lp和負荷電流Iload的大小。當(dāng)寄生電感Lp和吸收電容Cs發(fā)生諧振時,如模態(tài)2所示,dv/dt達到最大值,VCs1可表示為:
Iload為A相負荷電流,fsw為開關(guān)頻率。
在實際工程應(yīng)用中,由于寄生電感難以準(zhǔn)確地估算,所以需要經(jīng)過多次測試來確定。Saber仿真時,直流側(cè)輸入電壓Ud=330 V,開關(guān)頻率為fsw=10 kHz。Lr=1 μF,寄生電感Lp1=Lp2=200 nF,CS1=CS2=0.1 μH,Cb=1 μH。
圖5所示為硬開關(guān)電路時VT1關(guān)斷時的電壓波形(b)和負荷電流波形(a)。開關(guān)關(guān)斷時,由于線路寄生電感Lp的存在,使得開關(guān)在關(guān)斷時會產(chǎn)生一個很高的尖峰電壓,并且隨著負荷電流的增加,尖峰電壓會增大,最大尖峰電壓Ucep能夠達到522 V,Δu=58.2%,超過了限定值15%。此外,在吸收電容放電時會產(chǎn)生一個由二極管的反向恢復(fù)特性引起的電壓振蕩。同時,關(guān)斷電壓上升速度過快,也會產(chǎn)生極大的關(guān)斷損耗。
圖6所示為PWM全橋逆變器加入無損吸收電路后VT1關(guān)斷時的電壓波形。關(guān)斷電壓的峰值Ucep=349 V,Δu=5.8%,有效地限制在了15%以內(nèi)。并且,吸收電路有效抑制了dv/dt,減小了開關(guān)關(guān)斷時的電壓振蕩實,現(xiàn)了零電壓關(guān)斷,同時也有效地降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗。
圖7所示為電容Cb的電壓和二極管Ds1電流波形。電容Cb的電壓uCb維持在330 V左右,且圖中A部分說明了電容電壓uCb和二極管電流iDr1在開關(guān)VT1關(guān)斷時過電壓產(chǎn)生的波動,B部分說明了開關(guān)VT1導(dǎo)通時吸收電容CS1放電引起的波動。
5 總結(jié)
本文在傳統(tǒng)的RCD吸收電路的基礎(chǔ)上,提出一種新型PWM逆變器LPSSS電路,并通過仿真驗證了該電路的可行性。該吸收電路設(shè)計簡單,既能降低開關(guān)關(guān)斷時產(chǎn)生的尖峰電壓,同時也能將吸收電容的能量轉(zhuǎn)移到電源,提高了能量的轉(zhuǎn)移效率,降低了電路對環(huán)境的要求。該LPSSS吸收電路適用于所有開關(guān)電源的上下橋臂開關(guān)管中,同時還能應(yīng)用于單相或三相全橋電路,且不會增加輸出電壓電流的諧波含量,具有良好的工程實用性。
參考文獻
[1] 馮勇,葉斌.IGBT逆變器吸收電路的仿真分析與參數(shù)選擇[J].電力機車技術(shù),1999(2):12-14.
[2] 劉佩琪,韋忠朝,高信邁.IGBT逆變器吸收電路的研究與仿真分析[C].2013.
[3] PENG F Z,Su Guijia,TOLBERT L M.A passive softswitching snubber for PWM inverters.Power Electron.IEEE Trans,2004,19(2):363-370.
[4] 伍健,何禮高,何偉軍.耦合電感式無源無損緩沖電路的優(yōu)化設(shè)計[J].中國電機工程學(xué)報,2010,30(24):61-68.
[5] Zhang Huaguang,Wang Qiang,Chu Enhui,et al.Analysis and implementation of a passive lossless soft-switching snubber for PWM Inverters,IEEE.2012.
[6] SPERB J D,ZANATTA I X,MICHELS L,et al.Re-gener-ative Undeland snubber using a ZVS PWM dc-dc auxiliary converterapplied to three-phase voltage-fed inverters[J].IEEE Trans.Ind.Electron.,2011,58(8):3298-3307.
[7] Chen Lihua,JOSEPH A,Tang Qingsong,et al.Development and test of a 260 kVA Inverter with a Passive Soft-Switching Snubber[J].Applied Power Electronics Conference,APEC 2007-Twenty Second Annual IEEE,2007:1721-1726.
[8] Zhang Qian,Hu Haibing,Zhang Dehua,et al.A controlled-type ZVS technique without auxiliary components for the Low Power DC/AC Inverter[J].Power Electronics,IEEE Transactions on,2013,28(7):3287-3296.
[9] YUN J J,CHOE H J,HWANG Y H,et al.Improvement of power-conversion efficiencyof a DC-DC boost converter usinga passive snubber circuit[J].IEEE Journals & Magazines,2012,59(4):1808-1814.
[10] Yang Yuanyuan,Xu Weisheng.A simplified lossless passive soft-switching snubber for PWM half-bridge Inverters.IEEE.2009,3:3-6.
[11] 徐曉峰,連級三,李風(fēng)秀.IGBT逆變器吸收電路的研究[J].電力電子技術(shù),1998(3):43-47.
[12] Chokhawala Rahul S.Gate drive consideration for IGBT module.IEEE Trans.on Ind.Appl.,1996,31(3):603-611.
[13] 孫強,余娟,鄭湘渝.MOSFET逆變器緩沖電路仿真分[J].電氣應(yīng)用,2005,24(5).