高通官方宣布將使用三星的10nm FinFET打造自家的新一代旗艦處理器驍龍835。作為驍龍820/821的繼任者，它讓我們對(duì)明年旗艦機(jī)的性能有了新的期待，除了新的10nm制程，以及繼續(xù)跑個(gè)高分，還有什么更讓人興奮的新殺手锏嗎？

　　先進(jìn)的制程比核心數(shù)更重要

　　去年驍龍820的發(fā)布時(shí)間也是在11月，跟驍龍835相隔剛好差不多一年，不過驍龍835的處境可比去年的820好多了，后者肩負(fù)著為高通“退燒”的重任。因此，高通在公布驍龍820時(shí)就將其架構(gòu)、主頻、GPU等各項(xiàng)詳細(xì)參數(shù)都一股腦地倒了出來，而此次對(duì)于驍龍835其并沒有透露過多的信息。主要就告訴我們一件事——它將使用三星10nm制程工藝制造。

　　有意思的是，剛好就在高通公布該消息的一個(gè)月前，三星宣布其10nm制程芯片工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，前后腳的發(fā)布消息，這兩家公司就像商量好似的。受此打擊最大的大概就是另一家芯片代工廠臺(tái)積電了，不僅再次把“首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)10nm制程工藝芯片廠家”的頭銜拱手讓給三星，更失掉了傳聞中高通驍龍835的大單子。

　　臺(tái)積電在半導(dǎo)體制造工藝方面與三星一直都相互競爭，在14/16nm FinFET工藝量產(chǎn)進(jìn)度被三星擊敗后，臺(tái)積電卯足勁希望在10nm甚至7nm工藝上要領(lǐng)先三星。可惜正如此前的16nm FinFET工藝一樣，在正式量產(chǎn)前不斷放消息，結(jié)果實(shí)際時(shí)間卻延遲了近半年。如今曾信心滿滿要趕在三星前面的臺(tái)積電不僅又落后了，更未確定年底能否量產(chǎn)10nm，但愿不要太遲才好。

　　因?yàn)檫@不僅關(guān)系到臺(tái)積電自己，其他廠商也因此受到影響。華為海思規(guī)劃了兩款高端芯片麒麟960、麒麟970，前者采用臺(tái)積電成熟的16nm FinFET工藝，而后者則計(jì)劃采用臺(tái)積電的10nm工藝，如果無法如期量產(chǎn)，恐怕華為明年的旗艦新機(jī)也會(huì)有變數(shù)。

　　一直希望通過采用領(lǐng)先的工藝而在高端芯片市場有所作為的聯(lián)發(fā)科，如今大概也正在為臺(tái)積電的10nm工藝量產(chǎn)時(shí)間頭疼。由于聯(lián)發(fā)科所有芯片都不支持中國移動(dòng)要求的LTE Cat7而開始被國產(chǎn)手機(jī)廠商棄用，它急需推出采用10nm工藝的Helio X30，該芯片支持LTE Cat10技術(shù)，這也造成了聯(lián)發(fā)科如今青黃不接的囧況。

　　不難看出，高通和三星共同宣布采用10nm工藝制造驍龍835這一消息，無異于聯(lián)手告訴各自的競爭對(duì)手：“來追我呀”，宣示領(lǐng)先地位?；蛟S正因如此，這次驍龍835也有了跳數(shù)字的命名方式（此前傳聞型號(hào)應(yīng)為驍龍830）。

　　搭載千兆級(jí)LTE芯片驍龍X16

　　今年2月份的時(shí)候，高通就正式公布了其最新一代的LTE基帶芯片驍龍X16 ，這是全球首款移動(dòng)平臺(tái)商用千兆級(jí)LTE基帶芯片。而在日前的媒體會(huì)上，高通也宣布即將推出的下一代驍龍800系列處理器就將會(huì)集成驍龍X16 LTE基帶芯片。

　　驍龍X16 LTE調(diào)制解調(diào)器基于先進(jìn)的14nm工藝，作為移動(dòng)行業(yè)首款商用千兆級(jí)LTE芯片，驍龍X16通過支持跨FDD和TDD頻譜最高達(dá)4×20 MHz的下行鏈路載波聚合（CA）和256-QAM，可以帶來“像光纖一樣”（fiber-like）的最高達(dá)1Gbps的LTE Category 16下載速度；同時(shí)通過支持最高達(dá)2x20 MHz的上行鏈路載波聚合以及64-QAM，可以帶來高達(dá)150 Mbps的上行速度。驍龍X16 LTE調(diào)制解調(diào)器可利用與Cat.9 LTE終端相同數(shù)量的頻譜實(shí)現(xiàn)千兆級(jí)LTE速率。

　　驍龍X16 LTE調(diào)制解調(diào)器還搭配了全新的WTR5975射頻收發(fā)器，這是全球首個(gè)單芯片射頻集成電路（RF IC），能夠支持千兆級(jí)LTE、LTE-U以及5 GHz非授權(quán)頻段LAA。此外驍龍X16還搭配了高通RF360 QET4100包絡(luò)追蹤器，通過全球首個(gè)發(fā)布的LTE FDD和LTE TDD 40MHz包絡(luò)跟蹤解決方案大幅改善了LTE功耗。

　　全新調(diào)制解調(diào)器和收發(fā)器不僅包含先進(jìn)的連接特性組合，還支持驍龍全網(wǎng)通，包括全部主要蜂窩技術(shù)（LTE FDD、LTE TDD、WCDMA、TD-SCDMA、EV-DO、CDMA 1x和GSM/EDGE）、頻段、載波聚合頻段組合、LTE雙卡、LTE廣播且支持高清和超高清LTE語音（VoLTE）利用SRVCC（單一無線語音呼叫連續(xù)性）到3G和2G語音的切換

　　高通表示，得益于驍龍X16 LTE調(diào)制解調(diào)器千兆級(jí)的LTE速度，用戶將能夠享受到其突破性功能帶來的優(yōu)勢，如360度虛擬現(xiàn)實(shí)內(nèi)容的實(shí)時(shí)傳送、全新的影音娛樂體驗(yàn)（快速緩存超高保真音樂和電影）、即時(shí)APP應(yīng)用（無需下載安裝即可享用）、更快更無縫的云端應(yīng)用與服務(wù)的訪問。同時(shí)也將使得云存儲(chǔ)或?qū)碛墟敲辣镜亻W存的讀取速度。

　這次快充不怕谷歌的白眼了

　　和驍龍835一起到來的還有Quick Chrage 4快速充電技術(shù)，實(shí)際上，就在公布前不久，高通的Quick Chrage快充技術(shù)正經(jīng)受著考驗(yàn)。谷歌在最新的Android兼容性定義文檔中強(qiáng)烈建議OEM廠商不要在Type-C設(shè)備上使用具有收費(fèi)專利的充電技術(shù)，而應(yīng)該使用標(biāo)準(zhǔn)的USB PD供電協(xié)議，將矛頭直指高通Quick Charge為代表的一眾第三方快充技術(shù)。

　　根據(jù)USB Type-C 3.1接口的規(guī)范，充電電壓應(yīng)保持在4.45－5.25伏之間，而高通QC 3.1所需要的電壓便遠(yuǎn)超USB Type-C線的標(biāo)準(zhǔn)，由于這項(xiàng)技術(shù)是基于非標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)及非標(biāo)準(zhǔn)USB連接，的確導(dǎo)致了各種兼容性問題。而且因?yàn)楦魇謾C(jī)內(nèi)部配置不同、充電速率不同，如果用戶混用設(shè)備，可能會(huì)造成安全隱患。USB-PD充電協(xié)議便旨在推廣標(biāo)準(zhǔn)3A Type-C型充電器，實(shí)現(xiàn)兼容又相對(duì)可靠的快充。

　　現(xiàn)在Quick Charge 4的到來顯示高通已經(jīng)做好了接招的準(zhǔn)備：集成對(duì)USB Type-C和USB-PD的支持。這可能意味著，未來搭載Quick Charge 4的不同手機(jī)之間，混用充電器同樣可以實(shí)現(xiàn)快充了。

　　當(dāng)然還有更快的充電速度，高通表示Quick Charge 4充電速度提升高達(dá)20%，僅五分鐘的充電，手機(jī)使用時(shí)間延長五小時(shí)甚至更久。在大約15分鐘或更短時(shí)間內(nèi)，可充入高達(dá) 50%的電池電量。

　　△15分鐘充電50%，Quick Charge 4的充電效率提升達(dá)30%

　　Quick Charge 4的升級(jí)也包括對(duì)發(fā)熱的控制，采用高通第三版INOV電源管理算法（最佳電壓智能協(xié)商），據(jù)說加入了行業(yè)首創(chuàng)的實(shí)時(shí)散熱管理技術(shù)，讓你的手機(jī)在充電時(shí)溫度更低，較上一代最多可以降低5攝氏度。畢竟因?yàn)槿荖ote7事件，大家越來越重視充電過熱的問題。

　　這主要是基于配置驍龍835的手機(jī)擁有電流電壓的三重防護(hù)，以及防止過熱的四重防護(hù)，而驍龍835也能管理電池使用壽命，讓用戶使用更長時(shí)間。也就是說，驍龍835將首先搭載Quick Charge 4。

　　滿足你對(duì)手機(jī)性能的期待

　　雖然目前高通還沒有透露關(guān)于驍龍835的具體信息，不過目前曝出的一些信息：升級(jí)版64位自主架構(gòu)Kyro 200，四大、四小的八核設(shè)計(jì)，GPU核心升級(jí)為Adreno 540，LTE X16基帶以及更快的LPDDR4x運(yùn)存等，基本是可靠的。這自然意味著明年我們手上的旗艦機(jī)性能將比現(xiàn)在有新的突破，跑分創(chuàng)新高，不過你也別想得就這么簡單，如今SoC很大程度還影響著手機(jī)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)走向以及用戶體驗(yàn)。

　　按照高通的說法，驍龍835將具有更小的芯片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計(jì)。要知道蘋果iPhone7／7Plus去掉耳機(jī)孔的最大原因就是讓出機(jī)身內(nèi)部空間，以加入相機(jī)模組、Taptic Engine和一部分電池容量。

　　那么我們可以預(yù)見，明年旗艦機(jī)的機(jī)身厚度進(jìn)一步降低的基礎(chǔ)上，不僅有更高性能，還有更大容量的電池以及更長續(xù)航時(shí)間。隨著雙攝手機(jī)的普及，預(yù)計(jì)驍龍835會(huì)對(duì)雙攝有更好的ISP支持方案，新一代的Hexagon DSP也會(huì)帶來更好的待機(jī)表現(xiàn)。

　　伴隨著VR概念的火熱，高通也提出了會(huì)為這些運(yùn)算做出單獨(dú)優(yōu)化，用以達(dá)到更好的效果。VR對(duì)手機(jī)圖形處理能力的要求比以往高得多，驍龍835上的新一代Adreno GPU無疑會(huì)更加強(qiáng)悍。另外，今年的熱點(diǎn)是人工智能，驍龍820就已內(nèi)置Zeroth神經(jīng)處理引擎，能夠自動(dòng)根據(jù)用戶拍攝的照片進(jìn)行分類，相信驍龍835會(huì)更進(jìn)一步，帶來更加實(shí)用的機(jī)器學(xué)習(xí)功能，以后你的手機(jī)大概會(huì)更懂你。

　　△推測將首發(fā)搭載驍龍835的三星S8具有人工智能和深度學(xué)習(xí)能力

　　買不到、不想等怎么辦？

　　能率先使用到一部搭載了最新旗艦芯片的手機(jī)，對(duì)于很多用戶來說的確很有吸引力。不過就跟去年高通發(fā)布驍龍820之后很長一段時(shí)間內(nèi)都供貨緊張一樣，明年初這一問題可能依然會(huì)持續(xù)。

　　至于哪家廠商將拿到驍龍835首發(fā)的懸念并不大，即三星明年上半年發(fā)布的Galaxy S8系列。在驍龍835芯片量產(chǎn)初期也就是明年一季度，除了三星以外的其他廠商未必能拿到很多貨。

　　等到驍龍835在國產(chǎn)手機(jī)中大范圍應(yīng)用時(shí)應(yīng)該是明年年中，因此對(duì)于近期有換機(jī)需求的用戶來說，若實(shí)在沒那個(gè)耐心等個(gè)小半年才換新機(jī)，那么作為Android旗艦新標(biāo)配的驍龍821機(jī)型和近期性價(jià)比步步攀升的驍龍820機(jī)型仍然是不錯(cuò)的選擇。