臺媒眼下又開始大事宣傳臺積電的5nm了，然而事實是它的10nm工藝至今陷在良率提升上，7nm工藝也在緊鑼密鼓的進(jìn)行中希望在今年底投產(chǎn)，回顧中國臺灣的這些高科技企業(yè)以往的宣傳可見多次出現(xiàn)超出它們實際的宣傳。

臺積電廣受人知的是它的16nmFinFET工藝量產(chǎn)時間延遲。2014年在華為海思的幫助下終于成功量產(chǎn)16nm工藝，不過實際能效卻不如20nm，于是引入FinFET工藝本來的說法是2015年初量產(chǎn)，然而事實卻是該工藝最終延遲到2015年三季度。

由于主要競爭對手三星成功將14nmFinFET工藝在2015年初量產(chǎn)，這是它首次在先進(jìn)工藝方面領(lǐng)先臺積電，讓后者十分緊張，于是期望在10nm工藝量產(chǎn)時間上領(lǐng)先。臺媒對臺積電的10nm工藝大事宣傳，一度傳出要在去年三季度量產(chǎn)，甚至說由于三星的10nm研發(fā)進(jìn)展不利吸引高通回轉(zhuǎn)臺積電，結(jié)果是10nm工藝直到去年底才量產(chǎn)，但是至今良率都較低，而三星的10nm工藝已開始規(guī)模生產(chǎn)高通的驍龍835芯片。

目前臺積電除了要花費大量資源提升10nm工藝的良率外，還要分出資源推動7nm工藝的研發(fā)，希望在今年底能實現(xiàn)量產(chǎn)，從而實現(xiàn)趕超三星和Intel。三星的7nm工藝在加緊研發(fā)，外界認(rèn)為能在今年底量產(chǎn)，以用于生產(chǎn)高通的新一代高端芯片；Intel眼下正努力推動10nm工藝在今年量產(chǎn)，普遍認(rèn)為它的10nm工藝要遠(yuǎn)領(lǐng)先于臺積電和三星的10nm，后兩者的7nm工藝在技術(shù)水平上才能稍微超過Intel的10nm。

這樣的情況下，臺積電能為5nm工藝研發(fā)分出的資源將相當(dāng)有限，其實從臺媒的說法指該工藝會在2020年量產(chǎn)，也可以證明當(dāng)下臺積電并不會將太多資源用于該工藝的研發(fā)，只有在明年初7nm工藝正式投產(chǎn)后才能全力研發(fā)5nm工藝。

中國臺灣的另一家高科技企業(yè)聯(lián)發(fā)科在多核處理器研發(fā)方面要領(lǐng)先高通不少，但是它的自主架構(gòu)研發(fā)卻跟不上ARM和聯(lián)發(fā)科的研發(fā)進(jìn)程，無奈之下于2015年跟進(jìn)采用ARM的公版核心，就此高通遭遇了重大挫折。

當(dāng)時高通采用了ARM的公版核心A57和A53推出驍龍810，但是由于臺積電的20nm工藝能效不佳以及優(yōu)先照顧蘋果將該工藝產(chǎn)能提供給它用于生產(chǎn)A8處理器，導(dǎo)致高通沒有足夠的時間進(jìn)行優(yōu)化最終導(dǎo)致發(fā)熱問題，2015年高通的高端芯片驍龍8XX系列出貨量大跌六成。

聯(lián)發(fā)科在2015年推出的MT6795在正式上市前約半年就開始傳出消息，指是四核A57+四核A53架構(gòu)，性能會十分驚人，曾讓各界相當(dāng)期待，認(rèn)為它終于有一款芯片可以趕上高通了，甚至在高通當(dāng)時驍龍810陷入發(fā)熱困境的時候而逆襲，不過最終該款芯片上市后只不過是一款采用八核A53架構(gòu)的芯片。

2015年底華為海思搶先推出采用ARM公版高性能核心A72的芯片麒麟950，其是四核A72+四核A53架構(gòu)，geekbench3的數(shù)據(jù)顯示其單核性能為1712分。臺媒則傳出消息指聯(lián)發(fā)科采用雙核A72+四核高頻A53+四核低頻A53架構(gòu)的helio X20由于主頻更高，因此單核性能接近2000分，結(jié)果正式上市后卻被發(fā)現(xiàn)單核性能甚至低于麒麟950。

回顧臺媒的這些宣傳，只是讓大家對臺媒在宣傳中國臺灣的高科技企業(yè)的先進(jìn)技術(shù)研發(fā)進(jìn)展時，要進(jìn)行思考，而不是完全相信，先進(jìn)技術(shù)研發(fā)需要大量人力物力，并非一朝一夕可以取得領(lǐng)先優(yōu)勢。