文獻(xiàn)標(biāo)識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.2017.02.007
中文引用格式: 林斌. 頂加載分形光子晶體太赫茲波段天線設(shè)計[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2017,43(2):36-39.
英文引用格式: Lin Bin. Design of top loading fractal photonic crystal Terahertz waveband antenna[J].Application of Electronic Technique,2017,43(2):36-39.
0 引言
太赫茲(THz)波是一種頻率高于微波而低于紅外光的電磁波,1 THz=1012 Hz。上世紀(jì)八十年代以來,微型半導(dǎo)體技術(shù)、超快光電子技術(shù)發(fā)展迅速,高性能太赫茲波源和檢測設(shè)備研制成功,太赫茲波技術(shù)取得了長足的進(jìn)步。物質(zhì)的太赫茲譜信息豐富且分辨率高[1-3],太赫茲電磁波在環(huán)境保護(hù)監(jiān)控、成像與檢測、疾病診斷、天文研究、高速寬帶移動通信、軍用偵察設(shè)備等領(lǐng)域都具有巨大的應(yīng)用價值[4-7]。
太赫茲波的應(yīng)用離不開太赫茲波發(fā)射和接收裝置,性能優(yōu)異的太赫茲波段天線對于太赫茲波的應(yīng)用具有重要意義。太赫茲波段設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域廣闊,在多種不可預(yù)知的惡劣環(huán)境下工作的幾率較高,要求太赫茲波段天線具有優(yōu)良的物理機(jī)械性能,能夠耐受酸、堿、油和常見溶劑,能夠在高溫和低溫環(huán)境下正常工作;太赫茲波段天線的尺寸應(yīng)較小,保證其能夠放進(jìn)毫米或亞毫米數(shù)量級的太赫茲設(shè)備里;天線的工作中心頻率應(yīng)在1 THz附近,回波損耗最小值應(yīng)小于-20 dB,絕對工作帶寬應(yīng)大于0.1 THz,相對工作帶寬應(yīng)大于10%。
近年來,國內(nèi)外學(xué)者研制成功了一批太赫茲波段天線。西安理工大學(xué)的研究團(tuán)隊通過在天線介質(zhì)襯底中使用光子晶體結(jié)構(gòu),成功設(shè)計了一款回波損耗和方向圖特性都較好的太赫茲天線[8];首都師范大學(xué)的研究團(tuán)隊利用在矩形波導(dǎo)的窄邊開斜縫的方法,設(shè)計了一款可用于掃描成像的太赫茲天線[9];英國謝菲爾德大學(xué)的研究團(tuán)隊研制了一款帶有雙層二維光子帶隙的太赫茲偶極子天線,實現(xiàn)了高輸入電阻的太赫茲天線設(shè)計[10];日本富士通實驗室基于扇出晶圓級封裝技術(shù),設(shè)計了一款太赫茲集成天線,實現(xiàn)了太赫茲天線的小型化[11]。上述太赫茲天線設(shè)計都成功實現(xiàn)了小型化,回波損耗性能也較好,但是天線工作頻率都較低,只有0.1~0.5 THz,還未達(dá)到1 THz;上述太赫茲天線的工作帶寬都較小,屬于窄帶天線,相對工作帶大于10%的寬頻帶工作的太赫茲天線未見報道。同時使用頂加載技術(shù)、分形結(jié)構(gòu)、光子晶體結(jié)構(gòu)的太赫茲天線設(shè)計方案未見報道。
1 頂加載技術(shù)簡介
頂加載技術(shù)是一種常見的提高天線效率、縮減天線體積的有效方法[12]。頂加載是在天線頂部加上具有較大的分布電容的負(fù)載,使用頂加載結(jié)構(gòu)后,天線的頂部分布電容可以等效為一段開路傳輸線,等效傳輸線長度與天線原長度相疊加,使天線的工作長度得到延長。小尺寸天線在頂部加上容性負(fù)載后,可以等效為工作長度較長的天線使用。小球加載、圓盤加載、輻射葉加載等都是有效的頂加載方式。
2 分形光子晶體結(jié)構(gòu)簡介
光子晶體結(jié)構(gòu)是由一種介質(zhì)在另一種介質(zhì)中周期性排布組成的新型光學(xué)材料,其變化周期為光波長量級。光子晶體尚未獲得廣泛應(yīng)用,這與其制作工藝要求較高有關(guān)。光子晶體的周期結(jié)構(gòu)尺寸與其對應(yīng)的電磁波波長數(shù)量級一致。紅外光波段的光子晶體結(jié)構(gòu),其尺寸要求精確到微米數(shù)量級,制作難度較大。微波段的光子晶體結(jié)構(gòu),其尺寸只要求精確到厘米數(shù)量級,相對較容易制作,但是較大的尺寸使它難以實現(xiàn)小型化,限制了它的應(yīng)用領(lǐng)域。太赫茲波介于上述兩個波段之間,太赫茲波段光子晶體結(jié)構(gòu)尺寸較小,能夠適應(yīng)太赫茲器件小型化的要求,其尺寸要求精確到亞毫米數(shù)量級,目前的制作工藝可以達(dá)到這個精度要求,這些都說明了基于光子晶體結(jié)構(gòu)制作太赫茲波段的器件是可行的。
光子晶體產(chǎn)生的光子帶隙能夠全部或部分阻礙電磁波的傳播。在天線設(shè)計中使用光子晶體結(jié)構(gòu)時,經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計,可以使光子晶體產(chǎn)生的光子帶隙頻率與天線的工作中心頻率一致,這時光子帶隙將部分阻止天線在原工作中心頻率的能量輻射,使能量擴(kuò)散到附近的頻率輻射,從而增加了天線輻射能量的頻率范圍,增大天線的工作帶寬。
對于工作在太赫茲波段的器件,實現(xiàn)寬頻帶工作是設(shè)計的重點要求之一,而分形技術(shù)無疑是滿足這一要求的一種有效方法。我們利用分形結(jié)構(gòu)能夠有效地設(shè)計小型化、寬頻帶工作器件[13-14]。
將分形結(jié)構(gòu)與光子晶體結(jié)構(gòu)相結(jié)合,將光子晶體的每個周期結(jié)構(gòu)設(shè)計為分形結(jié)構(gòu),可以得到分形光子晶體結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)將兼具兩者的優(yōu)點,具有出色的寬頻帶工作特性。
3 頂加載分形光子晶體天線結(jié)構(gòu)設(shè)計
本文在設(shè)計中使用聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate, PET)薄膜基質(zhì)作為天線的基質(zhì)材料,保證了天線結(jié)構(gòu)可以耐油、耐稀酸、耐稀堿、耐大多數(shù)溶劑,天線可在-70 ℃~150 ℃的溫度范圍內(nèi)正常工作,且高、低溫對其機(jī)械性能影響很小。
薄膜基質(zhì)的相對介電常數(shù)為4,形狀為矩形,尺寸是80 μm×40 μm,厚度為10 μm。天線由印刷在薄膜基質(zhì)正面的輻射貼片和印刷在薄膜基質(zhì)背面的分形光子晶體結(jié)構(gòu)組成。
天線輻射貼片結(jié)構(gòu)如圖1所示。輻射貼片的基本結(jié)構(gòu)是偶極子天線,在偶極子天線的頂端加上了光子晶體結(jié)構(gòu)作為頂負(fù)載,利用它的孔隙結(jié)構(gòu)得到較大的分布電容,提高偶極子天線的有效工作長度。
偶極子臂由尺寸為16 μm×8 μm的金屬輻射臂和尺寸為24 μm ×40 μm的頂加載光子晶體結(jié)構(gòu)組成。頂加載光子晶體結(jié)構(gòu)劃分為5行3列15個小正方形區(qū)域,每個小正方形區(qū)域的大小都為8 μm×8 μm,每個小正方形區(qū)域的中心是一個尺寸為4 μm×4μm的正方形開孔,每個小正方形區(qū)域的外圍是金屬輻射區(qū)。
分形光子晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示,它由2行3列共6個2階康托爾分形金屬貼片組成,每個2階康托爾分形金屬貼片的尺寸為16 μm×16 μm。使用分形金屬陣列光子晶體結(jié)構(gòu)后,天線輻射貼片的部分輻射會被金屬陣列吸收,激發(fā)出二次輻射,原輻射與二次輻射同相疊加,可以有效提高天線的輻射強(qiáng)度;同時,分形光子晶體結(jié)構(gòu)將大大增加天線的工作帶寬。
4 天線輻射性能仿真與分析
4.1 天線輻射性能仿真
本文使用時域有限差分法對天線的輻射性能進(jìn)行了仿真,結(jié)果如圖3所示。
從圖3(a)可知,該款天線的工作中心頻率為1.00 THz,回波損耗最小值為-31.61 dB,天線工作頻帶范圍為0.917~1.052 THz,絕對工作帶寬為0.135 THz,相對工作帶寬為13.5%。從圖3(b)可知,該款天線的H面和E面方向圖都能夠有效覆蓋超過280°的角度范圍,天線具有全向輻射特性。仿真結(jié)果顯示,該款天線能夠很好地滿足現(xiàn)有太赫茲波段設(shè)備對于天線的性能要求。
4.2 薄膜基質(zhì)參數(shù)變化對天線性能的影響
在天線實際制作過程中,由于制作工藝的不同,薄膜基質(zhì)的相對介電常數(shù)εr會發(fā)生變化,這種變化對天線性能的影響情況需要詳細(xì)討論。在保持薄膜基質(zhì)的厚度為10 μm不變的情況下,通過改變薄膜基質(zhì)的εr值,進(jìn)行了一系列的仿真計算,結(jié)果如圖4所示。
從圖4可知,當(dāng)εr≥4時,隨著相對介電常數(shù)的減小,天線的回波損耗最小值逐漸變小,天線工作帶寬逐漸增大。這是因為當(dāng)介電常數(shù)減小時,天線的品質(zhì)因數(shù)隨之減小,天線貯存的能量減少,天線將把更多的能量用于輻射,從而使天線工作帶寬增大。因此,適當(dāng)減小薄膜基質(zhì)相對介電常數(shù)可以提高天線的性能。
但是,當(dāng)相對介電常數(shù)減小較多(εr<4)時,繼續(xù)減小相對介電常數(shù)將導(dǎo)致天線的回波損耗最小值逐漸變大,天線工作帶寬逐漸變小,這說明當(dāng)相對介電常數(shù)的變化較大時,天線的匹配會被破壞,天線的輻射性能和帶寬性能都會變差。
5 天線樣品性能測試
根據(jù)前文所述的設(shè)計方案,使用磁控濺射工藝制作出了天線樣品,并對天線樣品的輻射性能進(jìn)行了實際測試,結(jié)果如圖5所示。
對比圖5和圖3可知,天線輻射性能的實測結(jié)果和仿真結(jié)果相似。實測結(jié)果顯示,該款天線的工作中心頻率為0.98 THz,回波損耗最小值為-28.08 dB,天線工作頻帶范圍為0.925~1.043 THz,絕對工作帶寬為0.118 THz,相對工作帶寬為12.04%,該款天線的H面和E面實測方向圖都具有全向輻射特性。
6 結(jié)論
本文針對太赫茲設(shè)備對于天線的性能要求,使用物理、化學(xué)特性非常穩(wěn)定、機(jī)械性能和耐高、低溫性能都很好的PET薄膜基質(zhì)作為天線的基質(zhì)材料,將頂加載技術(shù)、分形結(jié)構(gòu)、光子晶體結(jié)構(gòu)結(jié)合在一起,設(shè)計了一款頂加載分形光子晶體太赫茲波段天線。本文使用時域有限差分法對天線性能進(jìn)行了仿真分析,對天線性能隨薄膜基質(zhì)參數(shù)的變化情況做了詳盡討論,制作了天線樣品,進(jìn)行了實際測試。本款天線具有優(yōu)良的物理機(jī)械性能,可在-70 ℃~150 ℃的溫度范圍內(nèi)正常工作。天線尺寸很小,只有80 μm×40 μm×10 μm,可以放進(jìn)各種微型太赫茲設(shè)備里。本款天線的工作中心頻率為0.98 THz,天線回波損耗最小值低至-28.08 dB,天線工作帶寬達(dá)到0.118 THz,實現(xiàn)了太赫茲波段天線的寬頻化工作。本款天線具有輻射性能好、工作帶寬大的優(yōu)點,具有較大的性能冗余,在多種不可預(yù)知的惡劣環(huán)境下可以正常工作,在太赫茲波段設(shè)備中有望得到廣泛應(yīng)用。
參考文獻(xiàn)
[1] 吳邵華,李林濤,孫興,等.太赫茲器件與技術(shù)發(fā)展動態(tài)[J].云光技術(shù),2016,48(1):7-13.
[2] 董家蒙,彭曉昱,馬曉輝,等.超寬帶太赫茲時域光譜探測技術(shù)研究進(jìn)展[J].光譜學(xué)與光譜分析,2016,36(5):1277-1283.
[3] Yang Li,Xie Yanhua,Ding Yuanming,et al.Study of vibration compensation technology based on THz communication system[J].ICIC Express Letters,2013,4(2):491-496.
[4] 李斌,陳立平.太赫茲技術(shù)用于精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)污染檢測探索研究[J].紅外與激光工程,2016,45(4):61-67.
[5] 朱新建,何璇,王品,等.太赫茲成像技術(shù)應(yīng)用于燒傷檢測的研究發(fā)展[J].生物醫(yī)學(xué)工程學(xué)雜志,2016,33(1):184-187.
[6] Hasanuzzaman GKM,Habib MS,Razzak SMA,et al.Low loss single-mode porous-core kagome photonic crystal fiber for THz wave guidance[J].Journal of Lightwave Technology,2015,33(19):4027-4031.
[7] Xia Zuxue,Liu Falin,Chen Junxue,et al.Impact of dipole photoconductive antenna structure on the THz radiation characteristics[J].Infrared and Laser Engineering,2015,44(8):2429-2434.
[8] 王麗黎,王述海.一種新型光子晶體基底太赫茲天線設(shè)計[J].微型機(jī)與應(yīng)用,2015,34(23):69-72.
[9] 王漢奇,劉鑫,鄧朝,等.一種可用于太赫茲掃描成像的天線[J].光學(xué)學(xué)報,2015,35(7):140-145.
[10] Yin Wenfei,Khamas SK,Hogg RA.High input resistance terahertz dipole antenna with an isolating photonic band gap layer[C].EuCAP 2016,Davos,Switzerland:IEEE Press,2016:1-3.
[11] ISHIBASHI D,SASAKI S,ISHIZUKI Y,et al.Integrated module structure of fan-out wafer level package for terahertz antenna[C].ECTC 2015,San Diego,USA:IEEE Press,2015:1084-1089.
[12] TRINH-VAN S,HWANG K C.Miniaturised broadband top-loaded planar monopole antenna with binary-encoded sleeves[J].Electronics Letters,2015,51(13):968-970.
[13] SHRIVISHAL T,AKHILESH M,SANDEEP Y.A multinotched octagonal shaped fractal UWB antenna[J].Microwave and Optical Technology Letters,2014,56(11):2469-2473.
[14] KUMAR C Y,KUMAR B S.Modified sierpinski square fractal antenna covering ultra-wide band application with band notch characteristics[J].IET Microwaves,Antennas and Propagation,2014,8(7):506-512.
作者信息:
林 斌
(廈門大學(xué)嘉庚學(xué)院 信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,福建 漳州363105)