今年對(duì)于10nm來說是至關(guān)重要的一年，不過英特爾在年初發(fā)布的新處理器依舊采用14nm工藝，英特爾似乎也和臺(tái)積電、三星一樣陷入了良率不佳的問題。在不久前，臺(tái)積電就被曝出10nm工藝良率太低的問題，雖然臺(tái)積電隨后出面否認(rèn)，不過要真正將10nm推薦似乎還有不少的問題，不過可以肯定的是，今年10nm量產(chǎn)不會(huì)是太大的問題。

三星Exynos處理器

近日，在上海舉辦的中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)（CSTIC）上，三星電子就展示了自己的半導(dǎo)體工藝路線圖，并提到了7nm、5nm工藝，三星在會(huì)上明確表示他們分別在2018年、2020年投入量產(chǎn)。三星和臺(tái)積電的10nm工藝均是主打高效能、低功耗的移動(dòng)芯片產(chǎn)品，并不能勝任桌面級(jí)處理器的需求，不過三星的7nm工藝則會(huì)面向高性能芯片市場，包括CPU、GPU、AI、服務(wù)器、ADAS（先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)）均可以使用。

集成電路板

在去年的14nm工藝上，AMD處理器代工廠格羅方德正是向三星購買了14nm FinFET工藝，并在今年年初發(fā)布的Ryzen處理器上大獲成功。三星7nm技術(shù)一旦成熟，AMD也刻意非?？斓膶⒅瞥坦に囖D(zhuǎn)進(jìn)到7nm，因?yàn)楦窳_方德已經(jīng)放棄了10nm工藝，直奔7nm而去。

半導(dǎo)體工藝結(jié)構(gòu)

三星表示，隨著半導(dǎo)體工藝走向后10nm時(shí)代，半導(dǎo)體制造商所面臨的制程挑戰(zhàn)會(huì)越來越嚴(yán)峻，尤其是如何保證足夠高的良品率。為此，三星特別提出了環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管（GAA FET）技術(shù)，該技術(shù)將用在三星7nm、5nm工藝上。另外，三星在今年將會(huì)投資8萬億韓元，用于加快10nm、7nm制程工藝的制造與研發(fā)。其中三星已經(jīng)向ASML訂購了8臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī)，極紫外線光刻機(jī)的技術(shù)將要取得突破，一旦該技術(shù)成熟，三星就會(huì)立即使用。

英特爾

現(xiàn)在要討論7nm的量產(chǎn)其實(shí)為時(shí)過早，因?yàn)轭A(yù)計(jì)在今年第一度量產(chǎn)的三星和臺(tái)積電紛紛在良率上出現(xiàn)了問題，雖然官方已經(jīng)出面辟謠，不過行業(yè)供應(yīng)鏈上的消息也似乎在指向良率并不理想，亟待改善。相比三星，臺(tái)積電的壓力就要小很多，他們最大的客戶蘋果會(huì)在今年9月才發(fā)布新品，而高通驍龍835預(yù)計(jì)要再第二季度大量出貨。至于英特爾，這么多年無欲無求的他們自然不會(huì)太關(guān)心制程更新的問題，畢竟無敵也是一種寂寞。