《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 嵌入式技術(shù) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > Diodes公司同類(lèi)最佳有源OR’ing MOSFET控制器支持高達(dá)±400V的電源

Diodes公司同類(lèi)最佳有源OR’ing MOSFET控制器支持高達(dá)±400V的電源

2017-04-19

  德克薩斯州普萊諾 - 2017年4月18日 – Diodes公司推出的ZXGD3112N7有源OR'ing MOSFET控制器,擴(kuò)展了對(duì)具有高達(dá)±400V的軌電壓的冗余電源系統(tǒng)的支持能力;該器件創(chuàng)建于在以前的40V和200V器件中所采用的成功設(shè)計(jì)。低關(guān)斷閾值電壓使RDS(on)非常低的MOSFET能作為理想二極管工作,從而可提供高效率的電源系統(tǒng),非常適合于電信系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器(其中需要將兩個(gè)或更多的電源線或(OR’ing)起來(lái)一起提供冗余)中的目標(biāo)應(yīng)用。

  鑒于采用更高的系統(tǒng)電壓來(lái)提高配電效率的趨勢(shì),ZXGD3112N7還有助于提高系統(tǒng)可靠性,其原因是與肖特基阻塞二極管的替代方案相比,將其與低RDS(on)的MOSFET結(jié)合使用,可實(shí)現(xiàn)在更低溫度下工作。除了可提高系統(tǒng)效率之外,其<5mV的關(guān)斷閾值電壓,可提高輕負(fù)載的穩(wěn)定性,而可在<600ns時(shí)間內(nèi)關(guān)斷的能力,可避免反向電流流動(dòng),并防止公共軌上的電壓降。5A的灌電流可確保并聯(lián)MOSFET的柵極的快速放電。

  ZXGD3112N7具有一流的關(guān)斷閾值電壓和400V的額定電壓(其值是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的OR’ing控制器的四倍),在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi),效率、可靠性和穩(wěn)定性都非常出色。

  ZXGD3112N7采用SO-7封裝供貨,1000片批量售價(jià)為1.50美元/片。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。