《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 電子元件 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級(jí)碳化硅 MOSFET

Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級(jí)碳化硅 MOSFET

2023-04-14
來(lái)源:Diodes
關(guān)鍵詞: Diodes DMWS120H100SM4 MOSFET

  【2023 年 4 月 13 日美國(guó)德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿(mǎn)足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車(chē) (EV) 電池充電器等應(yīng)用,對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。

57.JPG

  DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達(dá) 37A) 的條件下運(yùn)作,同時(shí)維持低導(dǎo)熱性 (RθJC = 0.6°C/W),非常適合用于在惡劣環(huán)境中運(yùn)作的應(yīng)用。這款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低,僅 80mΩ (對(duì)于 15V 的閘極驅(qū)動(dòng)),能將傳導(dǎo)耗損降至最低,并提高效率。而這款裝置的閘極電荷僅 52nC,可減少開(kāi)關(guān)耗損與降低封裝溫度。

  本產(chǎn)品是市場(chǎng)上首款采用 TO247-4 封裝的碳化硅 MOSFET。額外的凱爾文感應(yīng)接腳可以接到 MOSFET 的源極,以?xún)?yōu)化切換效能,達(dá)到更高的功率密度。



更多精彩內(nèi)容歡迎點(diǎn)擊==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<

mmexport1621241704608.jpg

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話(huà)通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話(huà):010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。