近期，中國(guó)最大晶圓制造商中芯國(guó)際（SMIC）積極宣示在 2017 年中將沖刺 28 納米制程，并且進(jìn)一步擴(kuò)張產(chǎn)能。但是，從日前所提出的財(cái)報(bào)顯示，其 2016 年第 4 季的 28 納米制程營(yíng)收，僅占整體營(yíng)收的 3.5%，相較晶圓制造龍頭臺(tái)積電 2016 年財(cái)報(bào)中所揭露，臺(tái)積電 28 納米以下先進(jìn)制程占據(jù)晶圓代工營(yíng)收的 56%，其中 16/20 納米制程、28 納米制程各占營(yíng)收的比重為 31%、25% 的情況來(lái)說(shuō)，外資認(rèn)為，中國(guó)發(fā)展高階制程還有一段長(zhǎng)的路要走。

就全球市場(chǎng)來(lái)觀察，根據(jù)統(tǒng)計(jì) 2016 年中芯國(guó)際 28 納米晶圓產(chǎn)能，全球占比不足 1%，與 28 納米制程市占率分別為 66.7%、16.1% 與 8.4% 的前三大晶圓制造廠商商臺(tái)積電、格羅方德 （GlobalFoundries）、聯(lián)電等企業(yè)相比，仍有相當(dāng)大的差距。

根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，雖然中芯國(guó)際的 28 納米處于快速成長(zhǎng)階段，預(yù)期 2017 年底在 28 納米的季營(yíng)收占比將接近 10%。但從產(chǎn)品規(guī)格來(lái)分析，其多偏向中低階的 28 納米 Ploy/SiON 技術(shù)，而在高階的 28 納米 HKMG 制程的良率一直不如預(yù)期的情況下，中心國(guó)際在 2017 年能否在 HKMG 制程上如預(yù)期放量成長(zhǎng)，乃是外界觀察重點(diǎn)之一。

投資機(jī)構(gòu)德意志銀行前不久就發(fā)布研究報(bào)告表示，中芯國(guó)際的 28 納米晶圓不論在回報(bào)率、價(jià)格及毛利上都遇到挑戰(zhàn)。因此，預(yù)期 2017 年到 2019 年 28 納米晶圓將經(jīng)營(yíng)虧損。同時(shí)，雖然客戶未來(lái) 3 年對(duì) 28 納米晶圓的需求強(qiáng)烈，但中芯國(guó)際的 28 納米晶圓生產(chǎn)緩慢，高階技術(shù)門檻令其生產(chǎn)線缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，產(chǎn)品將持繼降價(jià)。

此外，在聯(lián)電獲準(zhǔn)授權(quán) 28 納米技術(shù)給予子公司廈門聯(lián)芯集成電路制造之后，聯(lián)芯的 28 納米預(yù)計(jì) 2017 年第 2 季開(kāi)始導(dǎo)入量產(chǎn)，將搶攻中國(guó)手機(jī)芯片市場(chǎng)。而在預(yù)計(jì)在廈門聯(lián)芯進(jìn)入 28 納米制程之后，展訊、聯(lián)發(fā)科這兩大 IC 設(shè)計(jì)大客戶會(huì)陸續(xù)轉(zhuǎn)移 28 納米生產(chǎn)訂單至廈門聯(lián)芯。同時(shí)，因?yàn)槁?lián)電的良率明顯比中芯國(guó)際的穩(wěn)定，而這個(gè)制程又是中端手機(jī)芯片和高端網(wǎng)絡(luò)芯片的所采用的主力制程。因此，屆時(shí)廈門聯(lián)芯勢(shì)必會(huì)搶奪中芯國(guó)際的市占率。這對(duì)于中芯國(guó)際來(lái)說(shuō)，則又增加了一個(gè)需要面對(duì)的問(wèn)題。