內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。

不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND  Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。

根據(jù)研究機構(gòu)Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進入小量生產(chǎn)階段。  不過，這些新興內(nèi)存技術(shù)中，除了少數(shù)例外，要發(fā)展到能跟DRAM、NAND Flash分庭抗禮的程度，恐怕還需要很長的一段時間，因為DRAM與NAND  Flash已具備極為龐大的經(jīng)濟規(guī)模，即便新興內(nèi)存技術(shù)在性能方面明顯優(yōu)于現(xiàn)有內(nèi)存，在供貨穩(wěn)定度、成本方面也未必能與現(xiàn)有內(nèi)存技術(shù)比拚。

有鑒于此，某些新興內(nèi)存技術(shù)選擇朝利基市場發(fā)展，搶攻DRAM、NAND  Flash不適合應(yīng)用的領(lǐng)域，例如德州儀器(TI)、柏士半導(dǎo)體(Cypress)、富士通微電子(Fujitsu)的FRAM，便主要鎖定汽車應(yīng)用或作為微控制器(MCU)的內(nèi)嵌內(nèi)存。