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美高森美推出新系列寬帶塑封和裸片GaAs MMIC器件

從DC至27 GHz提供高性能表現 擴展MMIC產品組合
2017-07-10

  新產品已在6月6至8日舉行的IEEE國際微波研討會展出

  致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 推出新系列寬帶塑封和單片微波集成電路(MMIC)器件。新產品擴充了不斷增長的高性能寬帶MMIC產品組合,包括四個塑封低噪聲放大器(LNA)MMA040PP5、MMA041PP5、MMA043PP4和MMA044PP3;一個寬帶功率放大器(PA)芯片MMA053AA;以及兩個塑封開關MMS006PP3和MMS008PP3。新的MMIC產品已于6月6至8日在作為微波周2017的一部分的夏威夷火奴魯魯IEEE國際微波研討會(IMS2017)上展示。

  新封裝的放大器包括兩個新的分布式LNA(MMA040PP5和MMA041PP5),在從DC至27GHz的更寬頻率的表現優(yōu)于競爭器件,具有17 dB的更高增益,OIP3為35 dBm。這些器件封裝在小型5mm塑料QFN封裝中,是尺寸受限應用的理想選擇。另外兩個寬帶LNA(MMA043PP4和MMA044PP3)可提供從0.5至18GHz的極低噪聲系數(NF),典型NF低于2dB,且?guī)Ь壊怀^2.5dB。

  與競爭器件相比,兩個新的寬帶GaAs開關(MMS006PP3和MMS008PPS)改善了從DC至20GHz較寬頻率范圍的插入損耗和隔離特性。這些器件采用3mm塑料QFN封裝,是滿足尺寸受限應用高性能要求的理想選擇。這些器件僅需要最少的片外控制邏輯,可簡化系統(tǒng)級集成。

  新發(fā)布的寬帶PA芯片(MMA053AA)從DC至8GHz可保持17dB的平坦增益和35dBm的高OIP3,超過了競爭器件的性能。憑借具有競爭力的定價,客戶可以利用所有這些器件的領先性能,以最小的DC功耗滿足苛刻系統(tǒng)和模塊布局要求。

  美高森美射頻/微波分立產品事業(yè)部戰(zhàn)略營銷總監(jiān)Kevin Harrington表示:“我們推出各種新產品,代表美高森美在加強MMIC產品組合方面的重大投資,同時繼續(xù)滿足客戶的總體要求。我們將繼續(xù)投資并擴大尖端MMIC器件產品組合,我們致力于成為一家為客戶提供卓越性能MMIC產品,并且值得長遠信賴的供應商?!?/p>

  美高森美的新MMIC寬帶LNA、分布式寬帶MMIC功率放大器和寬帶MMIC開關非常適合航空航天、國防和工業(yè)市場的各種前端信號鏈應用,包括測試與測量、電子戰(zhàn)(EW)/電子對抗/電子反對抗、高線性微波無線電和無人駕駛飛行器(UAV)及其他軍事通信應用。全球市場研究和咨詢公司Strategy Analytics估計,到2019年,GaAs MMIC在EW、雷達和微波通信市場的銷售額將達5億美元。

  新MMIC器件的主要特性包括:

  MMS006PP3開關

  ·3x3 mm QFN塑封DC-20 GHz單刀雙擲(SPDT)開關

  ·評估板:MMS006PP3E

  MMS008PP3開關

  ·3x3 mm QFN塑封DC-8GHz單刀四擲(SP4T)開關

  ·評估板:MMS008PP3E

  MMA040PP5 LNA

  ·5x5 mm QFN塑封DC-27 GHz分布式LNA

  ·評估板:MMA040PP5E

  MMA041PP5 LNA

  ·5x5 mm QFN塑封DC-25GHz分布式LNA

  ·評估板:MMA041PP5E

  MMA043PP4 LNA

  ·4x4 mm QFN塑封0.5至12 GHz寬帶LNA

  ·評估板:MMA043PP4E

  MMA044PP3 LNA

  ·3x3 mm QFN塑封6至18 GHz LNA

  ·評估板:MMA044PP3E

  MMA053AAPA

  ·DC-8 GHz分布式PA芯片

  作為MMIC產品的領導者,美高森美不斷擴大其產品組合,覆蓋DC至65 GHz頻率范圍,并瞄準廣泛的應用,包括電子戰(zhàn)、雷達、測試和測量儀器儀表,以及微波通信。這些新產品建立在高性能寬帶MMIC放大器、控制產品、預分頻器,以及相位頻率檢測器等不斷增加的產品組合基礎之上,伴隨進一步加強美高森美MMIC產品的未來高性能產品開發(fā)計劃,能夠確??蛻魸M足非常專門和復雜的MMIC要求。


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