文獻標識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.179007
中文引用格式: 梁超. 數(shù)字為主的混合信號設(shè)計的驗證方法學(xué)[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2017,43(8):37-39,42.
英文引用格式: Liang Chao. Low power and mixed signal verification method for digital centric mixed signal designs[J].Application of Electronic Technique,2017,43(8):37-39,42.
0 引言
目前大部分的SoC是混合信號設(shè)計,混合信號驗證成為了SoC成功的重要一環(huán)。混合信號驗證的挑戰(zhàn)主要包括:產(chǎn)生和驗證行為級模型、晶體管級仿真速度不夠快、缺少混合信號VIP、驗證功耗目標等。本文將分別介紹行為模型產(chǎn)生和數(shù)字為主的混合信號驗證方法學(xué)[1]。
1 KW41設(shè)計
KW41是一款超低功耗、高集成度的單芯片多協(xié)議無線通信MCU, 它集成了2.4 GHz收發(fā)器,同時具備BlueTooth Low Energy(BLE) V4.2 和IEEE 802.15.4射頻連接功能,內(nèi)核采用ARM Coretex M0+,F(xiàn)lash容量高達512 KB,SRAM容量128 KB,具備硬件加密模塊,擁有豐富的外設(shè)接口。KW41 主要的應(yīng)用包括:安保和近距離、醫(yī)療、智能家居、遙控?zé)o鑰門禁、遠程遙控、信標等。KW41是有NXP蘇州研發(fā)中心獨立完成的項目,包括頂層設(shè)計、驗證、后端、測試設(shè)計。KW41獲得了NXP 2016年度第四季度產(chǎn)品獎, 該獎項在NXP全球每季度只有一個。圖1為KW41的設(shè)計圖。KW41為NXP吸引了眾多客戶,創(chuàng)造了巨大的效益。KW41項目使用了先進的混合信號驗證方法,在項目流片之前能夠及時發(fā)現(xiàn)設(shè)計的問題, 流片前提供了信心,充分保證了KW41能夠一次流片成功。
2 用Schematic Model Generator創(chuàng)建行為級模型
在傳統(tǒng)驗證流程中,模擬設(shè)計是由行為級模型來表征的,行為級模型包括:傳統(tǒng)數(shù)字模型、VerilogAMS模型、wreal模型、Verilog、SV nettype模型等[2-3]。模型的創(chuàng)建者需要有一定的語言基礎(chǔ),建模工作對模擬設(shè)計師提出了挑戰(zhàn)。一直以來,模擬設(shè)計師都期待一款圖形化的建模工具,Cadence schematic model generator(簡稱SMG)就是一款這樣的工具。SMG是基于virtuoso界面,通過創(chuàng)建模型電路圖, 一鍵自動生成行為級模型。行為級模型包括Verilog模型、VerilogAMS模型、wreal模型等,模型電路圖需要使用building blocks(簡稱BBT)來構(gòu)建,類似搭積木的概念。SMG針對的用戶是缺少建模語言的模擬設(shè)計師。SMG提供了基本和高級的BBT,幫助用戶構(gòu)建模型電路圖,模型電路圖在不同設(shè)計之間可以復(fù)用。SMG生成的模型是完全開放的,可以使用第三方的仿真器仿真。SMG提供了160種BBT, 包括模擬功能、數(shù)字功能、算數(shù)功能、信號轉(zhuǎn)換功能等。wreal模型的雙向傳輸門可實現(xiàn)雙向通信功能。wreal模型是最適合數(shù)字為主的微控制器的模型,KW41設(shè)計中大量使用了wreal模型。
建模的第一步就是端口類型的聲明,連接到數(shù)字模塊的端口應(yīng)該聲明成logic類型,連接到模擬模塊的端口應(yīng)該聲明成wreal類型或者electrical類型,這樣可以避免插入互聯(lián)模塊。圖2為SMG的工作流程。
多層次建模是建模中一個重要的方面,全部打平的一層建模很難保證模型和電路圖的一致性,電路圖更新以后,模型維護難度增大。圖3是多層設(shè)計理念。在模擬設(shè)計中需要提出多層次設(shè)計的要求,自上而下分別是L2層、L1層和L0層,只有L0層允許有基本的單元,L1、L2都是symbol和symbol的互聯(lián)。SMG支持多層次建模。
模型需要對電壓進行檢測,成為功率感知建模。比如對于時鐘模塊,當輸入電壓低于0.6 V時,時鐘輸出0;當輸入電壓大于0.6 V且小于0.9 V時,時鐘輸出x;當輸入電壓大于0.9 V且小于1.3 V時,時鐘輸出是一個周期性的時鐘信號。對于輸入電壓的檢測,可以滿足實現(xiàn)低功耗驗證的需要。
模型內(nèi)建自測試需求。對于模擬設(shè)計來說,可能對于輸入信號有具體的要求,比如2個輸入信號同時為高是不允許的,內(nèi)建的自測試可以幫助驗證工程師發(fā)現(xiàn)來自數(shù)字部分的錯誤設(shè)計。
3 數(shù)字為主的混合信號設(shè)計驗證流程
微控制器是典型的數(shù)字為主的混合信號設(shè)計,包括混合信號設(shè)計,如ADC、DAC、時鐘、射頻模塊、電源管理模塊等。微控制器的混合信號驗證流程包括基于wreal模型的數(shù)字仿真、混合模式的數(shù)?;旌戏抡?、全芯片的晶體管級仿真。
3.1 混合模式的數(shù)模混合仿真
基于wreal模型的數(shù)字仿真使用Metrix driven驗證方法學(xué),用wreal模型代表模擬設(shè)計,目標是發(fā)現(xiàn)數(shù)字設(shè)計的問題。模擬設(shè)計的仿真是在單獨的模擬仿真環(huán)境中進行,端口加的是靜態(tài)的激勵,通過運行各種corner的仿真來發(fā)現(xiàn)模擬設(shè)計的問題。通常數(shù)字和模擬關(guān)系十分緊密,有反饋的環(huán)路,由于wreal模型的局限性,模型不是100%精準,基于wreal模型的數(shù)字仿真和模擬模塊的晶體管級仿真都不能滿足復(fù)雜SoC設(shè)計的要求。為實現(xiàn)既使用來自數(shù)字設(shè)計的激勵,又能夠達到晶體管級仿真的精度[4],就需要混合模式的數(shù)模混合仿真[5]。
KW41項目的混合模式的數(shù)模混合仿真是在SoC驗證環(huán)境中完成的,是基于命令行方式的仿真。首先要制定詳細的混合模式數(shù)模仿真計劃,根據(jù)計劃編寫測試向量,對于仿真的結(jié)果,使用了自動化檢測的方法,包括模擬斷言、靜態(tài)動態(tài)模擬檢測等方法。這樣可以在設(shè)計的不同階段多次運行所有仿真激勵,自動化得到仿真結(jié)果,不是依靠人工檢測波形的方法。以上電序列驗證為例,設(shè)計中包括3個關(guān)鍵電壓輸入,每個電壓域的上電先后順序和上電快慢都沒有明確的要求。綜合考慮各個電壓的范圍,上電先后快慢因素,3個電壓域的上電關(guān)系有幾十種組合情況,所有的模擬斷言會在上電過程中檢測所有模擬模塊的行為,對于錯誤的行為會及時報錯,有效地發(fā)現(xiàn)了模擬設(shè)計中相關(guān)的問題,這些問題在單模擬模塊的晶體管級仿真中無法發(fā)現(xiàn)[6]。
alwas @(ref_clka)
begin
vdd_lv_core_out=$cgav("testbench.top.alwayson_
domain.m4_core_driver.vddlv","potential");
pmc_isnk_2u=$cgav("testbench.top.alwayson_
domain.pmc_core_ln28fdsoi.REFBIAS.reg_isnk_2u_ztc_0","flow");
core_vdddig_1p8_current = $cgav("testbench.top.
alwayson_domain.pmc_core_ln28fdsoi.vdddig_1p8","flow");
end
average #(.id("core_vdddig")) monitor_core_vdddig
(.in(core_vdddig_1p8_current),.clka(`CLKA));
這是模擬斷言的一個例子,用$cgav可以拿到模擬電路內(nèi)部截點電壓和電流的值,可以用system verilog assertion來檢測這些電壓電流。Average函數(shù)可以算出電流的平均值。
模擬assert是Cadence混合仿真中測模擬電路的一個重要特性。在圖4的設(shè)計中,來自bandgap的vref連接給一個模擬開關(guān)。圖5中pmos的襯底vdd來自adc regulator是關(guān)閉的,這違反了v(d,b)<0.3的規(guī)則,導(dǎo)致bandgap vref下降。Assertion 代碼:
assert_vds assert sub=psvt33 expr="(v(d,s)>0.3)"
assert_vdb assert sub=psvt33 expr="(v(d,b)>0.3)"
生成的log文件:
Warning from aps at time=10.5469 us during transient analysis `tran'.
WARNING (APS-4056): assert_vdb, Instance
testbench.top.a_ip_2p4ghz_transceiver_c90tfs.IRF_
ANATOP.Ilf_sys.IADC.IADCQ.dac.I17.I0.MP:
Expression `(v(d,b)>0.3)' is getting true.
WARNING (APS-4056): assert_vdb, Instance
testbench.top.a_ip_2p4ghz_transceiver_c90tfs.IRF_
ANATOP.Ilf_sys.IADC.IADCI.dac.I17.I0.MP:
Expression `(v(d,b)>0.3)' is getting true.
Circuit check也可以用來檢測模擬電路,針對APS, XPS仿真器分別提供了不同的檢測語法。Static check在仿真開始之前進行檢測,dynamic check整個瞬態(tài)分析過程中持續(xù)檢測,最終結(jié)果為XML格式文件,可用瀏覽器查看。目前常用的是high impedance node、高阻截點檢查、leakage path檢查、floating node induced leakage path。
3.2 用XPS MS做全芯片晶體管級仿真
混合模式晶體管級仿真中,數(shù)字設(shè)計是由RTL代碼來表征,由于使用了CPF流程,綜合以后會插入level shifter、isolation等單元,這些在RTL階段是不可見的。為了更精準仿真整個芯片的上電和進出低功耗模式的功能,需要在流片之前進行全芯片晶體管級仿真。使用Cadence XPS MS仿真工具。
全芯片晶體管級仿真流程:產(chǎn)生全芯片網(wǎng)表,轉(zhuǎn)換模擬CDL網(wǎng)表到spice網(wǎng)表格式,產(chǎn)生SRAM verilogA模型,把C代碼轉(zhuǎn)成hex文件加載進入SRAM模型,加模擬激勵,用XPS仿真,存儲波形,使用circuit check檢測電路。
3.3 混合模式仿真發(fā)現(xiàn)問題分析
圖6是混合模式數(shù)?;旌戏抡嬷邪l(fā)現(xiàn)的問題。27%的數(shù)字控制問題是指由于數(shù)字控制錯誤導(dǎo)致的模擬設(shè)計的錯誤,例如當LDO和DCDC同時工作時,LDO輸入應(yīng)該比DCDC更低,由于數(shù)字的錯誤控制,出現(xiàn)了相反的情況。23%的模擬內(nèi)部控制錯誤指的是模擬設(shè)計中的問題,如ADC外部參考電壓選擇電路錯誤,導(dǎo)致無法使用外部參考電壓。18%模擬模塊互聯(lián)錯誤指的是單個模擬模塊功能正確,但是互聯(lián)以后功能不正確,例如LDO輸出的參考電壓連接給IO regulator,當IO regulator打開之后,LDO參考電壓會出現(xiàn)上升,從而導(dǎo)致芯片產(chǎn)生低電復(fù)位。
4 結(jié)論
在本項目中,數(shù)字驗證工程師基于SMG產(chǎn)生的wreal模型發(fā)現(xiàn)了大量數(shù)字設(shè)計的問題,wreal模型大大提高了仿真效率?;旌夏J降臄?shù)模混合仿真發(fā)現(xiàn)了模擬模塊互聯(lián)、數(shù)字和模擬交互等方面的問題,以及多電壓域、漏電等問題,全芯片晶體管級仿真保證芯片可以正常上電。混合信號驗證方法學(xué)保證了芯片一次流片成功。
參考文獻
[1] Liang Chao.Mixed-signal verification methods for multi-power mixed-signal System-on-Chip(SoC) design[C].IEEE 10th Int.Conf.on ASIC,Oct,2013:1102-1104.
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[5] KUNDERT K.Principles of top-down mixed-signal design[EB/OL].The Designer′s Guide Community.(2003)[2017].http://www.designers-guide.org/Design.
[6] Liang Chao,Zhong Geng,Huang Song,et al.UVM-AMS based sub-system verification of wireless power receiver SoC[C].IEEE 12th Int.Conf.on Solid-State and Integrated Circuit Technology,2014:1108-1109.
作者信息:
梁 超1,2
(1.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 航天學(xué)院,黑龍江 哈爾濱150001;2.恩智浦半導(dǎo)體蘇州研發(fā)中心,江蘇 蘇州215011)