本次鑒定會(huì)由中國(guó)電子學(xué)會(huì)組織，西安電子科技大學(xué)的郝躍院士擔(dān)任鑒定會(huì)主任，中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中電集團(tuán)五十五所、電子科技大學(xué)、北京大學(xué)、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院、中科院電工所和中科院物理所等各單位專家擔(dān)任鑒定會(huì)委員。鑒定委員會(huì)認(rèn)真聽取了項(xiàng)目完成單位關(guān)于該成果的研制報(bào)告、技術(shù)報(bào)告、用戶使用報(bào)告及經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益分析報(bào)告，審閱了查新報(bào)告、測(cè)試報(bào)告和資料審查報(bào)告等相關(guān)技術(shù)資料。

“高性能SiC SBD、MOSFET電力電子器件產(chǎn)品研制與應(yīng)用驗(yàn)證”項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)了高性能SiC SBD 650V／150A、1200V／100A、1700V／50A、3300V／32A和5000V／3A 五個(gè)代表品種和SiC MOSFET 600V／5A、1200V／20A 和1700V／5A 三個(gè)代表品種，部分產(chǎn)品已應(yīng)用于光伏逆變、軌道交通、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。

經(jīng)質(zhì)詢和討論，鑒定委員會(huì)認(rèn)為該項(xiàng)目在高功率SiC器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、關(guān)鍵制造工藝和界面態(tài)控制等技術(shù)取得突破，器件性能達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平，成果已經(jīng)在地鐵車輛牽引系統(tǒng)運(yùn)行6000公里，光伏電場(chǎng)掛機(jī)發(fā)電19．5MWh，混合動(dòng)力城市客車運(yùn)行9469公里，具有良好的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益。鑒定委員會(huì)一致同意該項(xiàng)目成果通過(guò)科技成果鑒定。