臺積電與三星的晶圓領域均已經進入了 10nm 制程，半導體大廠英特爾(Intel）也不甘示弱，今天在中國北京所舉辦的尖端制造大會上，英特爾正式公布了自家的 10 nm 制程技術，以及全球首次對外展示的 10 nm 晶圓。英特爾還宣布，該公司將會在接下來的技術大會上，除了介紹自家的 10 nm 制程技術之外，同時也將于競爭對手，也就是臺積電以及三星的 10 nm 制程技術進行比較。

在本次大會上，英特爾制程架構總監(jiān) Mark T.Bohr 發(fā)布了英特爾的 10 nm 制程技術。Mark T.Bohr 表示，與臺積電和三星等競爭對手相比，可以看出英特爾的 10 nm 制程在鰭片的間距、柵極間距都低于臺積電和三星，而且最小金屬間距更是大幅領先競爭對手。

另外，從最終邏輯晶體管密度參數(shù)上面，英特爾的 10 nm 制程技術能夠達到每平方毫米 1 億晶體數(shù)，而臺積電為 4800 萬，三星為 5160 萬，也就是說英特爾的 10nm 制程技術的晶體密度是臺積電的 2 倍還多。

另外，英特爾執(zhí)行副總裁 Stacy J.Smith 做完英特爾未來戰(zhàn)略演講后，Smith 還向全世界首次展示了以最新 10 nm 制成技術所打造的圓晶，這也是未來 Cannon Lake CPU 的最基礎部分。這次是英特爾首次全球展示 10 nm 的圓晶，雖然英特爾表示自家的 10 nm 制成技術還將會領先競爭對手很多，而且未來還會有 10 nm+ 以及 10nm++ 制程技術。

不過在目前英特爾還沒有對最新的 10nm 制成技術透露更多的技術資訊。英特爾已經表示，將會在 2017 年底前正式投產 10 nm 制成技術的處理器。