據(jù)三星電子于11月29日宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)以第2代10nm FinFET制程技術(shù)（10LPP）為基礎(chǔ)的單芯片系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品，其搭配該單芯片系統(tǒng)的電子產(chǎn)品，也預(yù)計(jì)將在2018年首季問市。

　　三星表示，針對(duì)低功耗產(chǎn)品所研發(fā)的10LPP技術(shù)，相較于第1代的10LPE，10LPP的制程可使性能提高10%，功耗降低15%。而且，由于該制程是延續(xù)于已經(jīng)量產(chǎn)中的10LPE制程，所以將可以大幅縮短從開發(fā)到大量生產(chǎn)的準(zhǔn)備時(shí)間，并提供更高的初期生產(chǎn)良率，因此更具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

　　三星進(jìn)一步表示，采用10LPP制程技術(shù)制造的產(chǎn)品，預(yù)計(jì)將于2018年首季推出相關(guān)的電子產(chǎn)品。三星電子代工市場(chǎng)行銷副總裁RyanLee表示，通過從10LPE制程向10LPP制程的邁進(jìn)，三星將能夠更好地為客戶提供服務(wù)，同時(shí)提高性能，提高初期產(chǎn)量。

　　同時(shí)，三星宣布，位于韓國(guó)華城的最新S3生產(chǎn)線，目前正準(zhǔn)備加速生產(chǎn)10納米及其以下制程技術(shù)。S3是三星晶圓代工業(yè)務(wù)的第3座晶圓廠，其它2座分別是位于韓國(guó)京畿道的器興（Giheung）的S1，以及位于美國(guó)奧斯汀的S2。根據(jù)規(guī)劃，三星的7納米FinFET制程技術(shù)與EUV（ExtremeUltraViolet）技術(shù)也預(yù)計(jì)將在S3晶圓廠中于2018年開始大量生產(chǎn)。

　　IC Insights近日發(fā)布指出，三星今年在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支出達(dá)到260億美元，是去年支出的兩倍還多，其中用于晶圓代工/其他的資本支出達(dá)50億美元，專門用于提升10納米制程能力。目前來看進(jìn)展順利，有消息稱，三星 8nm LPP 制程工藝的技術(shù)驗(yàn)證工作也已完成，將于不久之后大規(guī)模量產(chǎn)。三星表示，相比于 10nm 制程，全新 8nm 制程的芯片不僅面積能縮減 10%，功耗也能降低10%。該工藝正式投產(chǎn)后，將會(huì)定位于高端旗艦市場(chǎng)。至于具體商用時(shí)間，三星表示會(huì)在隨后于全球各地舉行的三星半導(dǎo)體論壇上與 7nm EUV 光刻工藝進(jìn)展一同公布。