美國加利福尼亞州圣何塞，2017年11月28日訊 – 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出SCALE-iDriver? IC家族最新成員SID1102K —— 采用寬體eSOP封裝的單通道隔離型IGBT和MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器。新器件具有5 A峰值驅(qū)動(dòng)電流，在不使用推動(dòng)級(jí)的情況下可驅(qū)動(dòng)300 A開關(guān)器件；可以使用外部推動(dòng)級(jí)以高性價(jià)比的方式將門極電流增大到60 A峰值。該器件可同時(shí)為下管和上管推動(dòng)級(jí)MOSFET開關(guān)提供N溝道驅(qū)動(dòng)，從而降低系統(tǒng)成本、減小開關(guān)損耗和增大輸出功率。

 加強(qiáng)絕緣由Power Integrations創(chuàng)新的固體絕緣FluxLink?技術(shù)提供，因此無需光耦器，可進(jìn)一步增強(qiáng)可靠性和穩(wěn)定性。SCALE-iDriver技術(shù)可減少BOM物料數(shù)，從而簡化設(shè)計(jì)和制造；使用一個(gè)SID1102K IC和僅八個(gè)外圍元件即可設(shè)計(jì)完整的驅(qū)動(dòng)器。該器件可提供系統(tǒng)級(jí)保護(hù)特性，包括欠壓保護(hù)、軌到軌穩(wěn)定輸出電壓（單一電源供電）、高共模瞬態(tài)抗擾性以及9.4 mm爬電距離和電氣間隙。

 Power Integrations門極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品高級(jí)市場總監(jiān)Michael Hornkamp表示：“新的SID1102K門極驅(qū)動(dòng)器IC能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)者提供易于實(shí)施的可擴(kuò)展方案，并且在一個(gè)緊湊且堅(jiān)固的封裝內(nèi)集成了眾多重要的安全及保護(hù)特性，從而可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間?！?/span>

主要應(yīng)用包括UPS、標(biāo)準(zhǔn)交流驅(qū)動(dòng)和變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)、光伏/太陽能系統(tǒng)、商用空調(diào)、直流充電器和焊接設(shè)備。該器件現(xiàn)已開始供貨，以10,000片為單位訂貨，單價(jià)為1.52美元。SID1102K IC的技術(shù)支持資料請(qǐng)見Power Integrations網(wǎng)站：www.power.com/products/SID1102K。

 關(guān)于Power Integrations

Power Integrations, Inc.是高壓電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者。該公司的產(chǎn)品是清潔能源生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)的關(guān)鍵組成部分，可實(shí)現(xiàn)新能源發(fā)電以及毫瓦級(jí)至兆瓦級(jí)應(yīng)用中電能的有效傳輸和消耗。有關(guān)詳細(xì)信息，請(qǐng)?jiān)L問網(wǎng)站www.power.com。