臺(tái)積電為防堵強(qiáng)敵三星在七納米導(dǎo)入極紫外光（EUV）及后段先進(jìn)封裝，搶食蘋(píng)果新一代處理器訂單，已加速在七納米強(qiáng)化版導(dǎo)入極紫外光時(shí)程。

　　供應(yīng)鏈透露，臺(tái)積電可望年底建構(gòu)七納米強(qiáng)化版試產(chǎn)線(xiàn)，進(jìn)度追平或超前三星，讓三星無(wú)奪蘋(píng)機(jī)會(huì)。臺(tái)積電近年來(lái)挾高超的晶圓代工技術(shù)和龐大產(chǎn)能，和蘋(píng)果建立緊密合合作，相繼在廿納米、十納米及七納米三個(gè)世代制程，獨(dú)攬?zhí)O果處理器大單。

　　臺(tái)積電強(qiáng)化七納米 三星搶食蘋(píng)果不容樂(lè)觀(guān)

　　三星為了分食蘋(píng)果大單，包括計(jì)劃在七納米制程率先導(dǎo)入最先進(jìn)的極紫外光曝光顯影像設(shè)備，取代原有利用浸潤(rùn)機(jī)的多重曝光等繁復(fù)的制程，希望在制程進(jìn)展超越臺(tái)積電，甚至曾打算向生產(chǎn)EUV設(shè)備的艾司摩爾（ASML），包下幾乎一整年產(chǎn)量的EUV產(chǎn)量。

　　外界認(rèn)為，三星買(mǎi)斷EUV機(jī)臺(tái)，可強(qiáng)化七納米以下制程的競(jìng)爭(zhēng)力，并可拖延臺(tái)積電推進(jìn)EUV制程進(jìn)度，并讓格羅方德、英特爾都很難買(mǎi)到設(shè)備，不易發(fā)展下一代的微縮制程。不過(guò)，三星不僅七納米導(dǎo)入EUV制程進(jìn)度落后，要包下艾司摩爾多數(shù)EUV機(jī)臺(tái)，也遭艾司摩爾打回票。

　　據(jù)了解，臺(tái)積電在竹科建立的七納米強(qiáng)化版小型試產(chǎn)線(xiàn)，在導(dǎo)入EUV的晶圓輸出率已經(jīng)大幅提升，內(nèi)部正打算在下半年建立試產(chǎn)線(xiàn)，預(yù)料年底即可在中科進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，明年正式量產(chǎn)，進(jìn)度與三星相近，甚至有機(jī)會(huì)超前。