據(jù)外媒報道，三星電子已經(jīng)利用遠紫外線（EUV）設備完成了7納米芯片工藝的開發(fā)。最初，這家韓國半導體巨頭計劃在今年下半年完成這項技術(shù)，但最終它提前六個月實現(xiàn)目標。

相比10納米工藝，7納米工藝可以讓產(chǎn)品面積縮小40%。此外它還能將芯片性能提高10%，在性能相同時將能耗提高35%。這意味著，三星電子將能夠為移動設備、網(wǎng)絡設備、服務器和加密貨幣采礦業(yè)制造出更先進的半導體。

三星電子一名高管說：“7納米工藝讓移動設備廠商能夠在設備中安裝更大的電池，或者是采用更薄的設計?！?/p>

三星的這項新技術(shù)將在今年開始投入量產(chǎn)，目前該公司正準備向高通提供樣品，以利用新技術(shù)為后者大規(guī)模制造移動應用處理器。高通是三星7納米工藝的首家企業(yè)客戶。

三星也開始了5納米工藝的開發(fā)。在明年，該公司預計將完成這項技術(shù)，并在7納米產(chǎn)品于華城S3產(chǎn)線大規(guī)模量產(chǎn)的同時完成生產(chǎn)5納米產(chǎn)品的準備工作。然后，目前正在華城市建造的遠紫外線產(chǎn)線將開始在2020年生產(chǎn)基于7、6、5納米制程的產(chǎn)品。