文獻標識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.173882
中文引用格式: 宋飛,蔡俊,李楊,等. 射頻LNA的低噪聲LDO電源設計[J].電子技術應用,2018,44(5):29-32.
英文引用格式: Song Fei,Cai Jun,Li Yang,et al. Design of low-noise LDO power supply for RF LNA[J]. Application of Elec-
tronic Technique,2018,44(5):29-32.
0 引言
隨著毫米波雷達技術在汽車自動駕駛方面的應用,汽車毫米波雷達漸漸向高集成、高精度、高可靠性方向發(fā)展。從目前的研究情況和產(chǎn)品報道來看,僅有少數(shù)幾家公司能夠提供MMIC車載雷達的解決方案,技術研發(fā)尚不能完全滿足市場應用的需求。MMIC能夠集成射頻前端收發(fā)電路和中低頻信號處理電路。其中射頻LNA應用于毫米波信號接收端,它不僅要對接收到的微弱射頻信號進行放大,而且在放大的過程中要盡可能少地引入噪聲,以供后續(xù)電路對信號進行處理[1]。
射頻LNA由于對電源的噪聲比較敏感,無法與其他模塊共用一個電源管理單元(Power Management Unit, PMU),所以需要獨立的電源模塊。目前LDO低噪聲優(yōu)化設計主要分為兩個方面0。第一方面如圖1所示,通過改變傳統(tǒng)LDO電路結(jié)構(gòu)并添加RC濾波網(wǎng)絡來降低電路噪聲,這種結(jié)構(gòu)能有效地濾除前級電路的高頻噪聲,但其缺點是需要外接片外電容,增加了一個芯片引腳。第二種方法不改變傳統(tǒng)LDO的電路結(jié)構(gòu),由于噪聲的主要來源是帶隙基準源(BG)和誤差放大器(EA),所以第二種方法通過設計低噪聲的BG和EA來實現(xiàn)低噪聲電壓輸出。這種方法無需片外電容,也不會增加芯片面積,但相對于第一種方法來說其降低高頻噪聲的效果較差。本文采用了新型的電路結(jié)構(gòu),同時也通過優(yōu)化電路設計,盡量降低BG和EA的輸出噪聲。
1 LDO整體電路
圖1所示為本文設計的LDO電路結(jié)構(gòu)圖,可以簡單分為前級預調(diào)節(jié)電路、濾波電路、后級調(diào)節(jié)電路3個部分[3]。
其中M2為預調(diào)整管,通過RDAC模塊中的R1、R2將電壓VI輸出為反饋電壓VFB,并與帶隙基準電壓VBG經(jīng)誤差放大器EA相比較,通過控制M2的柵電壓來達到控制電壓VI的目的,由于噪聲主要來源于BG、EA和R1、R2,所以電壓VI通過低通濾波模塊,濾除高頻噪聲,再通過放大器AMP和調(diào)整管M1產(chǎn)生低噪聲輸出VOUT[4]。其中RS<7:0>8位數(shù)字控制信號通過改變R1、R2的比例來控制輸出電壓VOUT。C1、R1組成相位補償網(wǎng)絡,通過調(diào)節(jié)電路主極點的位置,使反饋環(huán)路具有足夠的相位裕度[5]。
通過式(5)可以看出通過電壓預調(diào)節(jié)和RC低通濾波之后,整體輸出噪聲功率明顯降低[8]。
2 各模塊具體電路設計
2.1 帶隙基準源電路
如圖2所示,BG主要由3部分構(gòu)成,分別是啟動電路、偏置電流產(chǎn)生電路、VBG產(chǎn)生電路[9]。
其中EN為控制信號,當EN為1時,ENN為0,M1~M5導通,M5會向偏置電路注入電流,使其脫離簡并點正常工作,而當EN為0時,電路停止工作。偏置電流產(chǎn)生電路通過電流鏡和電阻的組合產(chǎn)生基準電流,這些基準電流為放大器提供基準電流輸入。
BG的工作方式是通過正負溫度系數(shù)的相互抵消,來實現(xiàn)電壓基本不隨溫度變化的目的,VBG可表示為式(6)。
通過式(6)、式(7)可以得出,通過增大mn的乘積能夠有效地減小噪聲。
2.2 放大器電路
在BG、前級預調(diào)節(jié)環(huán)路和快速啟動RC濾波電路中的放大器均采用折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)。它的好處是在保證足夠的環(huán)路增益的情況下,電路具有較快的響應速度,電路引入的噪聲適中,在可控范圍內(nèi),具體電路如圖3所示。
后級調(diào)整電路中的AMP采用經(jīng)典二級運放結(jié)構(gòu)。它的優(yōu)點是高增益、低噪聲并且具有比較大的輸出電壓擺幅[10]。
折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)的主要噪聲來源為M7~M8、M9~M10、M15~M16??偟妮斎朐肼暦譃闊嵩肼暫烷W爍噪聲兩部分,其中輸入熱噪聲為:
其中k為玻爾茲曼常數(shù),T為絕度溫度,gm為MOS管的跨導。輸入閃爍噪聲如式(9)所示。
2.3 快速啟動低通濾波電路
對于普通的RC濾波電路,其截止頻率如式(11)所示:
由式(10)可以看出濾除噪聲的效果越好,RC低通濾波電路的啟動時間就越長。針對這一缺點,提出了一種快速啟動的RC低通濾波電路。如圖4所示。
M1為開關管,M2~M6工作在深三極管區(qū),可以看作是一系列的電阻串聯(lián)。電路啟動瞬間,VCTRL為低電平,M1導通,給電容C0充電,當VI=VO時,VCTRL轉(zhuǎn)換為高電壓,M1關斷,此時,RC濾波電路開始工作。其中兩個反相器級聯(lián)對誤差放大器(EA)輸出電壓進行數(shù)字化處理,使VCTRL更有效地控制開關M1。
本設計中電容C的取值在納法量級,很難集成到芯片內(nèi)部[11],所以采用芯片外部連接電容的方式,同時也會相應的增加一個芯片引腳。
3 版圖和整體電路仿真
3.1 版圖
圖5所示為LDO的版圖,整體芯片面積大約0.03 mm2。傳統(tǒng)的LDO僅需要兩個運放,本設計多使用了兩個運放來滿足低噪聲和快速啟動的實際需要,雖然相對來說增大了芯片的面積,但其性能上的優(yōu)勢足以彌補面積上的損耗。
3.2 整體電路仿真
采用Cadence Spectre工具對整體電路仿真測試,圖6所示為LDO整體電路測試結(jié)果。其中VDD=5 V,VOUT輸出標準電源電壓3.3 V。由圖可以看出電路啟動時間小于1 ms,整體電路有較好的穩(wěn)定性。
圖7所示對電路的LNR進行仿真,VDD在4~6 V范圍內(nèi)變化,VOUT僅改變了16.4 mV。
通過計算可知其LNR為:
圖8所示為電路LDR測試結(jié)果。其中負載電流在1~30 mA范圍內(nèi)變化,輸出電壓僅變化了0.25 mV。通過式(15)可以計算得出LDR為:
圖9所示為輸出噪聲的仿真結(jié)果,圖中所示的輸出噪聲密度(單位V/sqrt(Hz))曲線是對輸出噪聲功率(單位V2/Hz)進行開平方運算。
經(jīng)計算,在1 kHz~100 kHz(陰影部分面積)范圍內(nèi)的噪聲積分為34.94 μVrms。
4 結(jié)論
本文設計了一種給MMIC中LNA供電的電源模塊,其性能參數(shù)對比如表1所示。從具體數(shù)據(jù)對比中可以看出本文設計的電源模塊集成了電壓基準源,并且具有較寬的輸出電壓范圍和較小的輸出噪聲,各性能參數(shù)均滿足設計應用的要求。
參考文獻
[1] VARONEN M,REEVES R,KANGASLAHTI P,et al.An MMIC low-noise amplifier design technique[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,2016,64(3):826-835.
[2] HO M,LEUNG K N.Dynamic bias-current boosting technique for ultralow-power low-dropout regulator in biomedical applications[J].IEEE Transactions on Circuits and Systems II:Express Briefs,2011,58(3):174-178.
[3] MAGOD R,SUDA N,IVANOV V,et al.A low-noise output capacitorless low-dropout regulator with a switched-RC bandgap reference[J].IEEE Transactions on Power Electronics,2017,32(4):2856-2864.
[4] 陳遠龍,張濤,王影,等.低噪聲快速建立的全片內(nèi)LDO設計[J].電子元件與材料,2016,35(2):35-38.
[5] 陰亞東,閻躍鵬.一種低噪聲高電源抑制比CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器[J].固體電子學研究與進展,2013,33(6):571-577.
[6] 朱勤為,唐寧,吳鵬,等.LDO低輸出噪聲的分析與優(yōu)化設計[J].電子器件,2009,32(5):875-879.
[7] WONG K,EVANS D.A 150 mA low noise,high PSRR low-dropout linear regulator in 0.13 μm technology for RF SoC applications[C].Solid-state Circuits Conference,ESSClRC,2006:532-535.
[8] 毛毳,何樂年,嚴曉浪.一種新型的全片內(nèi)低噪聲CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器[J].半導體學報,2008,29(8):1602-1607.
[9] RAZAVI B.模擬CMOS集成電路設計[M].陳貴燦,程軍,張睿智,等譯.西安:西安交通大學出版社,2002:312-327.
[10] KIM Y,LEE S.A capacitorless LDO regulator with fast feedback technique and low-quiescent current error amplifier[J].IEEE Transactions on Circuits and Systems II:Express Briefs,2013,60(6):326-330.
[11] CHONG S S,CHAN P K. A 0.9-μA quiescent current output capacitorless LDO regulator with adaptive power transistors in 65 nm CMOS[J]. IEEE Transactions on Circuits and Systems I:Regular Papers,2013,60(4):1072-1081.
作者信息:
宋 飛,蔡 俊,李 楊,王 飛
(安徽理工大學 電氣與信息工程學院,安徽 淮南232001)